近日,羅姆(ROHM)接連發(fā)布了兩則好消息。一是其開發(fā)的SiC SBD成功應(yīng)用于村田制作所旗下企業(yè)的數(shù)據(jù)中心電源模塊;二是確立了一項(xiàng)技術(shù),可更大程度地激發(fā)出GaN等高速開關(guān)器件的性能。
SiC SBD成功應(yīng)用于村田數(shù)據(jù)中心電源模塊
3月2日,羅姆宣布其開發(fā)的第3代SiC肖特基二極...  [詳內(nèi)文]
SiC龍頭羅姆官宣兩則好消息 |
作者
huang, Mia
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發(fā)布日期:
2023 年 03 月 09 日 11:32
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關(guān)鍵字:
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