近日，羅姆（ROHM）接連發(fā)布了兩則好消息。一是其開發(fā)的SiC SBD成功應用于村田制作所旗下企業(yè)的數(shù)據(jù)中心電源模塊；二是確立了一項技術，可更大程度地激發(fā)出GaN等高速開關器件的性能。
SiC SBD成功應用于村田數(shù)據(jù)中心電源模塊
3月2日，羅姆宣布其開發(fā)的第3代SiC肖特基二極管(以下簡稱“SBD”)成功應用于Murata Power Solutions的產(chǎn)品上。
Murata Power Solutions是電子元器件、電池、電源領域的日本著名制造商——村田制作所集團旗下的一家企業(yè)。ROHM的高速開關SiC SBD產(chǎn)品“SCS308AH”此次成功應用于Murata Power Solutions的數(shù)據(jù)中心電源模塊“D1U系列”,并且為該系列產(chǎn)品的性能提升和尺寸的小型化做出了貢獻。
Murata Power Solutions所采用的第3代SiC SBD新產(chǎn)品具有總電荷量(QC)小、損耗低且開關速度高的特點。與第2代SBD相比,，其抗浪涌電流能力更出色，VF值更低。
據(jù)了解，羅姆自2010年在全球開始SiC MOSFET的量產(chǎn)以來，作為SiC功率元器件領域的領軍企業(yè)，一直在推動先進產(chǎn)品的技術開發(fā)。此前，羅姆計劃到2025財年（截至2026年3月）最高向碳化硅功率半導體投資2200億日元——這使羅姆的投資額增加到了2021年時計劃的4倍。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
超高速驅動控制IC技術
近年來，GaN器件因其具有高速開關的特性優(yōu)勢而被廣泛采用，然而，如何提高控制IC（負責GaN器件的驅動控制）的速度已成為亟需解決的課題。
在這種背景下，昨（7）0日，羅姆宣布進一步改進了在電源IC領域確立的超高速脈沖控制技術“Nano Pulse Control”，成功地將控制脈沖寬度從以往的9ns提升至2ns，達到業(yè)界超高水平。通過將該技術應用在控制IC中，又成功地確立了可更大程度激發(fā)GaN器件性能的超高速驅動控制IC技術。
目前，羅姆正在推動應用該技術的控制IC產(chǎn)品轉化工作，計劃在2023年下半年開始提供100V輸入單通道DC-DC控制器的樣品。通過將其與羅姆的“EcoGaN系列”等GaN器件相結合，將會為基站、數(shù)據(jù)中心、FA設備和無人機等眾多應用實現(xiàn)顯著節(jié)能和小型化做出貢獻。（文：集邦化合物半導體 Arely整理）
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