38億買入+25億投資,中瓷電子大手筆進軍第三代半導體

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 03 月 08 日 17:18 | 分類 產(chǎn)業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC

以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代半導體市場正如火如荼地發(fā)展著,而“圍墻”之外的企業(yè)亦對此賽道十分看重。近日,中瓷電子資產(chǎn)重組重新恢復審核,其對第三代半導體業(yè)務(wù)的開拓有了新的進展。

“蛇吞象”式并購,中瓷電子擬38億買入標的

3月6日晚間,中瓷電子發(fā)布公告稱,公司于2023年3月3日收到深交所關(guān)于恢復審核公司本次重大資產(chǎn)重組的通知。此前,該事項被中止的原因是中瓷電子重大資產(chǎn)重組申請文件中記載的評估資料已過有效期。

中瓷電子還發(fā)布了《發(fā)行股份購買資產(chǎn)并募集配套資金暨關(guān)聯(lián)交易報告書(草案)(修訂稿)》。根據(jù)該修訂稿,中瓷電子擬以發(fā)行股份的方式,購買博威公司73.00%股權(quán)、氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務(wù)資產(chǎn)及負債、國聯(lián)萬眾94.6029%股權(quán)。

三大交易標的基本情況如下:

據(jù)悉,中瓷電子成立于2009年,2021年在深交所上市。目前,中瓷電子的主營業(yè)務(wù)為電子陶瓷系列產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。

而一旦三大交易標的成功注入中瓷電子,中瓷電子將新增氮化鎵通信基站射頻芯片與器件、微波點對點通信射頻芯片與器件、碳化硅功率模塊及其應(yīng)用業(yè)務(wù),業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)將發(fā)生較大改變。

值得注意的是,根據(jù)中瓷電子發(fā)布的公告,中瓷電子在2022年三季度末的資產(chǎn)總額為188,425.22萬元、負債總額為65,459.11萬元,也即凈資產(chǎn)為122,966.11萬元。

而本次交易價格為383,098.68萬元,是中瓷電子凈資產(chǎn)的3倍有余。中瓷電子以“蛇吞象”的態(tài)勢,彰顯進軍第三代半導體的強烈愿望。

募資25億,加碼第三代半導體

中瓷電子還同時宣布擬向不超過35名特定對象發(fā)行股份,募集配套資金總額不超過25億,投向以下項目:

其中,“氮化鎵微波產(chǎn)品精密制造生產(chǎn)線建設(shè)項目”主要建設(shè)以封裝測試環(huán)節(jié)為主的氮化鎵微波產(chǎn)品精密制造生產(chǎn)線,項目涉及的具體產(chǎn)品和產(chǎn)能情況如下:

“通信功放與微波集成電路研發(fā)中心建設(shè)項目”的研發(fā)課題包括:5G通信大功率基站用新一代高效率氮化鎵射頻芯片與器件技術(shù)開發(fā)、5G通信MIMO基站/Qcell基站用高集成度GaN塑封功放技術(shù)開發(fā)、射頻微波功率器件可靠性技術(shù)、面向6G、星鏈通信用功率器件技術(shù)研究、無線通信終端用GaN功率器件技術(shù)研究、GaN射頻能量芯片與器件技術(shù)研究。

“第三代半導體工藝及封測平臺建設(shè)項目”將在國聯(lián)萬眾現(xiàn)有碳化硅功率半導體產(chǎn)線基礎(chǔ)上,搭建碳化硅功率模塊封測線,建設(shè)滿足車規(guī)級、風力發(fā)電、高壓電網(wǎng)等應(yīng)用的SiC功率模塊產(chǎn)品生產(chǎn)能力,并不斷提高SiC功率模塊生產(chǎn)效率,提升產(chǎn)品品質(zhì)。項目產(chǎn)品涵蓋SiC功率模塊R1、SiC功率模塊R2、SiC功率模塊R3和SiC功率模塊R4產(chǎn)品。

“碳化硅高壓功率模塊關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)項目”擬圍繞碳化硅高壓功率模塊關(guān)鍵技術(shù)進行研發(fā),制定了3,300V SiC MOSFET芯片窄線條溝槽刻蝕技術(shù)研發(fā)、3,300V SiC MOSFET芯片柵極氧化技術(shù)研發(fā)、3,300V SiC MOSFET芯片晶圓減薄技術(shù)研發(fā)、3,300V SiC高壓功率模塊封裝技術(shù)研發(fā)四個研發(fā)課題,滿足3,300V SiC高壓功率模塊對柵極氧化技術(shù)、刻蝕技術(shù)、減薄技術(shù)和封裝技術(shù)等方面的要求,最終實現(xiàn)規(guī)?;慨a(chǎn)的技術(shù)目標。

可以看到,若發(fā)行股份購買資產(chǎn)及募集配套資金均得以順利完成,中瓷電子將實現(xiàn)GaN通信射頻芯片設(shè)計、制造、封裝、測試和銷售的全產(chǎn)業(yè)鏈布局,并具備碳化硅功率模塊的設(shè)計、生產(chǎn)、銷售能力,第三代半導體業(yè)務(wù)有望在未來成為公司的長期增長點。

第三代半導體成收購的熱門賽道

事實上,除中瓷電子外,近來還有許多企業(yè)選擇以收購的方式,布局或擴大第三代半導體業(yè)務(wù)。
2023年3月2日,英飛凌和GaN Systems共同宣布,英飛凌擬以現(xiàn)金8.3億美金(約合人民幣57.27億元)收購GaN?Systems,雙方已就此達成最終協(xié)議。在此之前,英飛凌的業(yè)務(wù)重心以SiC為主;收購GaN Systems后,英飛凌在第三代半導體領(lǐng)域的業(yè)務(wù)版圖變得更加全面;

2023年2月,韓媒報道,韓國LED廠商Lumens已成為氮化鎵材料商Soft-Epi的最大股東。據(jù)悉,Soft-Epi在2022年5月成功開發(fā)了紅色GaN外延片,同年6月又宣布Micro LED用紅色GaN外延片已量產(chǎn)出貨;

2023年1月,美國設(shè)備廠宣布收購CVD化學氣相沉積外延設(shè)備系統(tǒng)廠Epiluvac AB,加速切入SiC外延設(shè)備領(lǐng)域,瞄準高速成長的電動汽車市場的發(fā)展機遇;

2022年11月29日,國星光電宣布正式完成對風華芯電的股權(quán)收購,國星光電也借此順利實現(xiàn)從硅基封測到第三代半導體封測全覆蓋、實現(xiàn)從LED封測向半導體封測的跨越;

2022年10月,荷蘭半導體設(shè)備制造商ASM宣布已完成對LPE的收購,而LPE是硅基和碳化硅基半導體外延爐設(shè)備廠商;

2022年8月,納微半導體正式宣布收購GeneSiC。據(jù)悉,GeneSiC擁有深厚的碳化硅功率器件設(shè)計和工藝方面的專業(yè)知識,順利合并后納微半導體將在下一代功率半導體領(lǐng)域創(chuàng)建了一個全面的、行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)組合。

對第三代半導體領(lǐng)域優(yōu)質(zhì)標的的收購案例數(shù)不勝數(shù),這主要是得益于SiC、GaN所擁有的廣闊的未來。TrendForce集邦咨詢表示,SiC、GaN在800V汽車電驅(qū)系統(tǒng)、高壓快充樁、消費電子適配器、數(shù)據(jù)中心及通訊基站電源等領(lǐng)域的滲透率正快速提升。

市場容量方面,TrendForce集邦咨詢研究推估,第三代功率半導體產(chǎn)值將在2025年成長至47.1億美元,年復合成長率達48%。(文:集邦化合物半導體 Winter)

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