據(jù)“嘉興城南”官方消息,3月6日,博康(嘉興)半導(dǎo)體氮化鎵射頻功率芯片先導(dǎo)線項(xiàng)目正式開工。
該項(xiàng)目總投資約6億元,占地面積46667平方米,將新建工業(yè)廠房30543平米,并引進(jìn)光刻機(jī)、磁控濺射機(jī)等設(shè)備約100臺(tái)套,用于生產(chǎn)通信用氮化鎵射頻芯片先導(dǎo)線,預(yù)計(jì)年產(chǎn)能將為3000片。
項(xiàng)目一期用地約33200平方米,主營(yíng)4英寸氮化鎵射頻芯片、功放管,形成從GaN管芯到GaN氮化鎵功放管的系列化產(chǎn)品平臺(tái),滿足客戶多元化的應(yīng)用場(chǎng)景需求;二期則將拓展到6英寸砷化鎵(GaAs)射頻芯片產(chǎn)品。
圖片來(lái)源:拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)
公開資料顯示,博康(嘉興)半導(dǎo)體成立于2022年10月,主營(yíng)業(yè)務(wù)包括半導(dǎo)體分立器件制造、銷售及服務(wù)等。(化合物半導(dǎo)體市場(chǎng) Winter整理)
更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊,請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào):集邦化合物半導(dǎo)體。