近日，英飛凌和羅姆兩大SiC龍頭在產品端公布了新進展。
英飛凌推出Cool SiC MOSFET G2
3月5日，英飛凌宣布，公司推出了下一代碳化硅 (SiC) MOSFET溝槽技術產品，CoolSiC MOSFET G2系列產品。
source：英飛凌
英飛凌表示，新一代CoolSiC MOSFET 650V和1200V產品與上一代相比，MOSFET的關鍵性能指標（例如存儲能量和電荷）提高了20%，同時又不影響質量和可靠性水平。
CoolSiC MOSFET G2技術繼續(xù)利用SiC的性能優(yōu)勢，實現更低的能量損耗，從而在功率轉換過程中提高效率，這對于光伏、儲能、直流電動汽車充電、電機驅動和工業(yè)電源等各種功率半導體應用客戶來說，將提供很大的優(yōu)勢。
與前幾代產品相比，配備 CoolSiC G2的電動汽車直流快速充電站最多可減少10%的功率損耗，同時在不影響外形尺寸的情況下實現更高的充電容量?；贑oolSiC G2設備的牽引逆變器可進一步增加電動汽車的續(xù)航里程。在可再生能源領域，采用CoolSiC G2設計的太陽能逆變器可以在保持高功率輸出的同時實現更小的尺寸，從而降低每瓦成本。
“大趨勢需要新的、高效的方式來產生、傳輸和利用能源。憑借CoolSiC MOSFET G2，英飛凌將SiC性能提升到了一個新的水平?！庇w凌綠色工業(yè)電力部門總裁Peter Wawer博士說道，“新一代SiC技術能夠加速設計成本更加優(yōu)化、緊湊、可靠且高效的系統，從而節(jié)省能源并減少現場安裝的每瓦特的CO2排放量?！?/p>
羅姆GaN器件被臺達電子采用
羅姆今（6）日宣布，旗下650V GaN器件（EcoGaN）被臺達電子Innergie品牌的45W輸出AC適配器（快速充電器）“C4 Duo”采用。
source：羅姆
據介紹，臺達是基于IoT技術的綠色解決方案全球供應商。
羅姆指出，Innergie的AC適配器通過搭載可提高電源系統效率的羅姆EcoGaN“GNP1150TCA-Z”，提高了產品性能和可靠性的同時也實現了小型化。
羅姆表示，GaN的潛力很大，但處理起來卻很難，目前羅姆正在推進注重“易用性”的產品開發(fā)并提供相關解決方案。在分立產品方面，羅姆已于2022年開始量產150V耐壓的GaN HEMT，并于2023年開始量產實現業(yè)界超高性能（RDS（ON）×Ciss / RDS（ON）×Coss）的650V耐壓GaN HEMT。
集邦化合物半導體Morty整理
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