半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)再現(xiàn)一宗大額投資。
4月21日晚，北方華創(chuàng)發(fā)布《2021年度非公開(kāi)發(fā)行股票預(yù)案》，宣布擬募資不超過(guò)85億，投入半導(dǎo)體裝備的擴(kuò)產(chǎn)及研發(fā)。
85億加碼半導(dǎo)體裝備生產(chǎn)研發(fā)
根據(jù)公告內(nèi)容，北方華創(chuàng)本次非公開(kāi)發(fā)行股票的募集資金總額不超過(guò)85億元，扣除發(fā)行費(fèi)用后擬全部投入以下項(xiàng)目：
其中，半導(dǎo)體裝備產(chǎn)業(yè)化基地?cái)U(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目（四期）建設(shè)期為24個(gè)月，建成后將成為公司最大的裝備生產(chǎn)制造基地，與公司總部基地形成研發(fā)與生產(chǎn)、裝備與核心零部件的雙向協(xié)同，形成年產(chǎn)集成電路設(shè)備500臺(tái)、新興半導(dǎo)體設(shè)備500臺(tái)、LED設(shè)備300臺(tái)、光伏設(shè)備700臺(tái)的生產(chǎn)能力。本項(xiàng)目完全達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)達(dá)產(chǎn)年年平均銷(xiāo)售收入為746,008.00萬(wàn)元，項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)年平均利潤(rùn)總額80,667.00萬(wàn)元。
高端半導(dǎo)體裝備研發(fā)項(xiàng)目投資周期為5年，將改造研發(fā)實(shí)驗(yàn)室，購(gòu)置研發(fā)用設(shè)備及軟件，開(kāi)展下一代高端半導(dǎo)體裝備產(chǎn)品技術(shù)的研發(fā)，包括先進(jìn)邏輯核心工藝設(shè)備、先進(jìn)存儲(chǔ)核心工藝設(shè)備、先進(jìn)封裝核心工藝設(shè)備、新興半導(dǎo)體核心工藝設(shè)備、Mini/Micro LED核心工藝設(shè)備和先進(jìn)光伏核心工藝設(shè)備。
高精密電子元器件產(chǎn)業(yè)化基地?cái)U(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目（三期）建設(shè)期為24個(gè)月，建成后將形成生產(chǎn)線量產(chǎn)22萬(wàn)只高精密石英晶體振蕩器和2000萬(wàn)只特種電阻的規(guī)模。
半導(dǎo)體產(chǎn)能緊缺，設(shè)備需求迎來(lái)暴漲
產(chǎn)能緊缺、漲價(jià)、擴(kuò)產(chǎn)等成為當(dāng)下半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的熱門(mén)話(huà)題。
上游半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)供應(yīng)不足，導(dǎo)致下游應(yīng)用市場(chǎng)，包括面板、家電、手機(jī)、汽車(chē)等都遭受?chē)?yán)重的供貨危機(jī)，于是，擴(kuò)產(chǎn)已經(jīng)成為必選答案之一：臺(tái)積電計(jì)劃未來(lái)3年投資1000億美元增加產(chǎn)能；Intel斥資200億美元在亞利桑那州新建兩家晶圓廠；中芯國(guó)際將投資23.5億美元在深圳擴(kuò)充12英寸晶圓產(chǎn)能。
圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)
北方華創(chuàng)也在公告中指出，隨著世界經(jīng)濟(jì)的復(fù)蘇和世界半導(dǎo)體市場(chǎng)的增長(zhǎng)，我國(guó)已經(jīng)成為全球最大的電子產(chǎn)品制造基地，也是全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng)。中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)地位的逐年提升，國(guó)內(nèi)政策與資金環(huán)境的不斷改善都促使著全球產(chǎn)業(yè)重心一步步向中國(guó)大陸傾斜。同時(shí)，旺盛的市場(chǎng)需求環(huán)境下，技術(shù)與資金的加速轉(zhuǎn)移也為我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了新的發(fā)展機(jī)遇。
在擴(kuò)產(chǎn)潮的大背景之下，半導(dǎo)體設(shè)備的需求隨之飆升。北方華創(chuàng)表示，“一代技術(shù)依賴(lài)于一代工藝，一代工藝依賴(lài)一代設(shè)備來(lái)實(shí)現(xiàn)，裝備是推動(dòng)產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新的引擎。以邏輯芯片為例，從28nm的HKMG，到20nm的雙重曝光技術(shù)，再到16/14nm從平面結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)向FinFET結(jié)構(gòu)，7/5nm開(kāi)始采用EUV光刻，3nm節(jié)點(diǎn)開(kāi)始GAA結(jié)構(gòu)取代FinFET。這些技術(shù)、工藝的實(shí)現(xiàn)都依賴(lài)于裝備的不斷創(chuàng)新?！?/p>
北方華創(chuàng)是國(guó)家02重大科技專(zhuān)項(xiàng)承擔(dān)單位。公司認(rèn)為，受下游產(chǎn)業(yè)需求增長(zhǎng)拉動(dòng)，公司電子工藝裝備和電子元器件業(yè)務(wù)均面臨較為有利的市場(chǎng)環(huán)境和不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求。中國(guó)大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資總體趨勢(shì)向好，集成電路、先進(jìn)封裝、新型顯示等均保持快速的增長(zhǎng)勢(shì)頭，國(guó)產(chǎn)集成電路裝備市場(chǎng)提升空間巨大，公司亟需布局裝備產(chǎn)業(yè)擴(kuò)產(chǎn)的資源，提前做好產(chǎn)能提升規(guī)劃。（LEDinside Lynn整理）
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