近日，山東力冠于正式發(fā)布其12英寸PVT電阻設(shè)備及8英寸多坩堝設(shè)備，為8-12英寸SiC晶圓的規(guī)模化、穩(wěn)定化、低成本制備樹立了新的行業(yè)標(biāo)桿。
山東力冠發(fā)布的12英寸PVT電阻設(shè)備及8英寸多坩堝設(shè)備，是碳化硅晶圓制備的核心工藝設(shè)備，可以決定了碳化硅晶錠的生長效率、質(zhì)量和成本，與碳化硅產(chǎn)業(yè)的發(fā)展密切相關(guān)。
據(jù)了解，12英寸PVT電阻爐單爐次生長效率提升達(dá)40%，且集成先進(jìn)多溫區(qū)精準(zhǔn)控制技術(shù)，可有效確保晶格質(zhì)量與厚度一致性，能滿足嚴(yán)苛的量產(chǎn)質(zhì)量要求。
8英寸多坩堝設(shè)備采用3-5個(gè)坩堝同步生長，單次產(chǎn)出能力成倍提升，可大幅攤薄晶錠的制造成本。同時(shí)，其創(chuàng)新的硬件架構(gòu)與智能控制軟件融合，可實(shí)現(xiàn)高精度溫度與真空壓力動(dòng)態(tài)調(diào)控，獨(dú)家多坩堝協(xié)同溫場技術(shù)還解決了傳統(tǒng)超大尺寸設(shè)備熱場分布不均的問題。
公開資料顯示，山東力冠成立2013年，是國內(nèi)半導(dǎo)體裝備制造行業(yè)的頭部企業(yè)。其產(chǎn)品涵蓋第一代至第四代半導(dǎo)體材料工藝裝備，包括PVT單晶生長設(shè)備、HVPE設(shè)備、SiC籽晶粘接設(shè)備等。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于集成電路、5G芯片、光通信等戰(zhàn)略新興領(lǐng)域，已進(jìn)入比亞迪半導(dǎo)體等頭部企業(yè)產(chǎn)線，還出口至中國臺(tái)灣、俄羅斯、韓國、新加坡等國家和地區(qū)。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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