企查查官網(wǎng)顯示，深圳市至信微電子有限公司（以下簡稱：至信微電子）今日完成A+輪融資，本輪由深圳重大產(chǎn)業(yè)投資集團領(lǐng)投，老股東深圳高新投繼續(xù)追加投資。據(jù)悉，融資將用于推動碳化硅功率器件領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新和市場拓展。
而在2023年的2月及12月，至信微電子還分別完成了數(shù)千萬元的天使+輪融資和數(shù)千萬元的A輪融資。這也就意味著，至信微電子在一年內(nèi)共完成了三輪融資。
圖源：企查查
據(jù)悉，至信微電子成立于2021年，一直致力于碳化硅功率器件的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，主打產(chǎn)品為碳化硅MOSFET及模組等系列產(chǎn)品。公司推出的碳化硅器件產(chǎn)品目前已在光伏、新能源汽車、工業(yè)等領(lǐng)域獲得客戶認(rèn)可。
產(chǎn)品方面，至信微電子于2018年即成功推出1200V10/20A SiC SBD，并于2020年實現(xiàn)第二代1200V 80mQ MOSFETs選代；
2023年6月，至信微電子發(fā)布了主要應(yīng)用于電動汽車主驅(qū)模塊的1200V／16m?SiC MOSFET，該產(chǎn)品單位面積比導(dǎo)通電阻RSP達到2.8mΩ?cm2；
2024年1月，至信微電子發(fā)布1200V/7mΩ、750V/5mΩ等SiC芯片，同時展示了超高良率的晶圓裸片。至信微電子副總經(jīng)理王仁震介紹，受益于超高良率，1200V/7mΩ具有強大的性能指標(biāo)和非常明顯的成本優(yōu)勢。
此外，至信微電子還在2023年3月與清華大學(xué)蘇州汽車研究院簽訂共建“碳化硅聯(lián)合研發(fā)中心”的協(xié)議，以推動SiC技術(shù)在汽車電子領(lǐng)域的研究和運用，加速第三代半導(dǎo)體SiC在產(chǎn)線前端應(yīng)用的落地與定制開發(fā)。
據(jù)悉，聯(lián)合研發(fā)分兩個階段進行，第一階段主要是針對本土技術(shù)的盲點和缺陷進行技術(shù)創(chuàng)新，培育本土技術(shù)支撐；第二階段是推動跨界融合的聯(lián)合創(chuàng)新，包括產(chǎn)品開發(fā)和產(chǎn)業(yè)應(yīng)用，開展推動聯(lián)合創(chuàng)新，整合整個產(chǎn)業(yè)鏈。（集邦化合物半導(dǎo)體 Winter整理）
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