近日，國星光電開發(fā)的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件成功通過第三方權(quán)威檢測機構(gòu)可靠性驗證，并獲得AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證。這標(biāo)志著國星光電第三代半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)品從工業(yè)領(lǐng)域向新能源汽車領(lǐng)域邁出堅實步伐。
01、提升性能，做實高品質(zhì)產(chǎn)品
通過認(rèn)證的國星光電SiC-SBD器件采用TO-247-2L封裝形式,在長達1000小時的高溫、高濕等惡劣環(huán)境下驗證，仍能保持正常穩(wěn)定的工作狀態(tài)，可更好地適應(yīng)復(fù)雜多變的車載應(yīng)用環(huán)境，具備高度的可靠性、安全性和穩(wěn)定性。
此外，相比傳統(tǒng)的硅基二極管產(chǎn)品，SiC-SBD器件在高耐壓、高導(dǎo)熱、低損耗等性能方面表現(xiàn)更出色，并且擁有快速的恢復(fù)時間，可以提高開關(guān)速率，減小磁性元件和其它無源元件的尺寸，更節(jié)省空間與重量，可適配尺寸較小的終端產(chǎn)品，適用于新能源電動汽車的車載充電機、控制系統(tǒng)以及汽車充電樁電路等場景。
02、拓展應(yīng)用，推進三代半“上車”
隨著新一輪科技革命和產(chǎn)業(yè)變革加速演進，半導(dǎo)體新興應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)展迅猛。第三代半導(dǎo)體作為國星光電前瞻布局的重要方向之一，在過去一年里，公司面向SiC（碳化硅）及GaN（氮化鎵）開發(fā)的系列新產(chǎn)品已陸續(xù)問世。
如應(yīng)用于光伏逆變、儲能、充電樁等場景的NSiC-KS系列產(chǎn)品；應(yīng)用于太陽能發(fā)電、電網(wǎng)傳輸、風(fēng)力發(fā)電等領(lǐng)域的NS62m功率模塊；應(yīng)用于照明及大功率驅(qū)動市場的GaN-IC器件等，已逐漸形成品類豐富、品質(zhì)上乘的產(chǎn)品布局，并與多家知名廠商建立良好的合作關(guān)系。
此次通過認(rèn)證的車規(guī)級SiC-SBD是國星光電布局車載應(yīng)用推出的首款車載功率器件，此外，公司車規(guī)級SiC-MOSFET分立器件及all-SiC功率模塊系列產(chǎn)品已同步在車規(guī)系列技術(shù)路線中布局，將為國星光電第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品加快滲透新能源車載領(lǐng)域，推動公司高質(zhì)量發(fā)展“加速跑”注入源源不斷的新動能。（文：國星光電）
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