日前，華矽蓋澤半導體科技（上海）有限公司（以下簡稱：蓋澤半導體）宣布，其自主研發(fā)生產(chǎn)的SiC外延膜厚測量設(shè)備GS-M06Y已正式交付客戶。
GS-M06Y將應(yīng)用于半導體前道量測，主要針對硅外延/碳化硅外延層厚度進行測量。GS-M06Y設(shè)備采用了蓋澤半導體自主研發(fā)的高精算法、Load Port、控制軟件以及FTIR光路系統(tǒng)。
公司自主研發(fā)的FTIR光路系統(tǒng)，可快速檢測晶圓厚度，實現(xiàn)了掃描速度快、分辨率高、靈敏度高等需求。設(shè)備兼容性強，可基于客戶需求進行定制化；測量時間更短，精度更高。
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據(jù)了解，此臺設(shè)備運用蓋澤半導體最新研發(fā)的碳化硅外延檢測技術(shù)，可對碳化硅外延精準測量，是繼蓋澤半導體9月硅外延檢測設(shè)備出貨后，公司的又一里程碑。
據(jù)了解，蓋澤半導體不僅突破了SiC外延檢測技術(shù)，還可實現(xiàn)一代半導體（硅外延6英寸&8英寸&12英寸）、二代半導體（砷化鎵、磷化銦襯底外延4英寸&6英寸&8英寸）、三代半導體（碳化硅外延4英寸&6英寸&8英寸、氮化鎵外延）、SOI片頂層硅6英寸&8英寸&12英寸，以及鍺硅外延制程工藝中不同的外延層厚度測量。（文：集邦化合物半導體 Amber整理）
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