8月18日，WaveLoad對外宣布，公司計劃明年年初量產(chǎn)氮化鎵外延片。
WaveLoad已在韓國京畿道華城市建成占地300平方米、潔凈度達(dá)1000級的無塵室，可批量生產(chǎn)氮化鎵外延片。該設(shè)施可生產(chǎn)4英寸和8英寸氮化鎵外延片，產(chǎn)能分別為2,000片/月和500片/月。目前，WaveLoad正在向多個客戶提供樣品，以便對批量生產(chǎn)的產(chǎn)品性能和質(zhì)量進(jìn)行評估。
WaveLoad產(chǎn)品主要用于有源電子掃描陣列（AESA）雷達(dá)、5G移動通信和衛(wèi)星通信等領(lǐng)域。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
WaveLoad計劃先從高頻、高輸出功率放大器半導(dǎo)體所需的4英寸碳化硅基氮化鎵（GaN on SiC）外延片開始量產(chǎn)，后續(xù)再將其產(chǎn)品線擴展到用于高頻、低輸出功率放大器半導(dǎo)體的8英寸硅基氮化鎵（GaN on Si）外延片。
此外，用于電動汽車和新能源發(fā)電與存儲系統(tǒng)（ESS）所需功率轉(zhuǎn)換的8英寸硅基氮化鎵外延片計劃于2026年底前量產(chǎn)。
資料顯示，WaveLoad由LG Innotek LED業(yè)務(wù)部門前主管Jun-Oh Song于2019年底成立。由于氮化鎵外延片上需要生長的襯底和材料各不相同，這增加了人們使用MOCVD設(shè)備的難度，但WaveLoad的優(yōu)勢在于其工程師曾在LG Innotek量產(chǎn)過用于LED發(fā)光設(shè)備的氮化鎵外延片。目前，該公司目前已擁有約160項專利。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）
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