繼6月18日，總投資120億元的士蘭微8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線開工后，又有兩個SiC相關(guān)項目披露了最新進(jìn)展。
長飛先進(jìn)武漢基地正式封頂
6月19日，據(jù)長飛先進(jìn)官微消息顯示，年產(chǎn)36萬片SiC晶圓的長飛先進(jìn)武漢基地日前正式完成主體結(jié)構(gòu)封頂。
source：長飛先進(jìn)
據(jù)悉，長飛先進(jìn)武漢基地主要聚焦于第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)與生產(chǎn)，致力于打造一個集芯片設(shè)計、制造及先進(jìn)技術(shù)研發(fā)于一體的現(xiàn)代化半導(dǎo)體制造基地。項目總投資預(yù)計超過200億元，占地面積約22.94萬㎡，建筑面積約30.15萬㎡，主要建設(shè)內(nèi)容包括晶圓制造廠房、封裝廠房、外延廠房、動力廠房、成品庫、綜合辦公樓、員工宿舍以及生產(chǎn)配套用房設(shè)施等。
接下來，項目將進(jìn)入塔樓內(nèi)部裝修及裙樓主體結(jié)構(gòu)施工階段，預(yù)計明年7月量產(chǎn)通線。項目投產(chǎn)后可年產(chǎn)36萬片SiC晶圓及外延、6100萬個功率器件模塊，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光儲充等領(lǐng)域。
長飛先進(jìn)專注于SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)及制造，具備從外延生長、器件設(shè)計、晶圓制造到模塊封測的全流程生產(chǎn)能力和技術(shù)研發(fā)能力。
目前，長飛先進(jìn)產(chǎn)品覆蓋650V-3300V全電壓平臺的SiC MOSFET和SBD，應(yīng)用于車載主驅(qū)、車載OBC、光伏逆變器、充電樁逆變器、工業(yè)電源等全場景。長飛先進(jìn)目前晶圓代工產(chǎn)品超過50款，自營產(chǎn)品超過20款，其中1200V 15mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)開始導(dǎo)入市場，面向車載主驅(qū)逆變器應(yīng)用場景。
晶能微電子車規(guī)級半導(dǎo)體封測基地二期項目將于2026年投產(chǎn)
6月17日，據(jù)溫嶺發(fā)布官微消息顯示，晶能微電子車規(guī)級半導(dǎo)體封測基地二期項目用地近日成功出讓。項目總用地面積達(dá)14755平方米，由溫嶺新城開發(fā)區(qū)下屬國有企業(yè)負(fù)責(zé)廠房建設(shè)。
據(jù)悉，去年5月，晶能微電子與溫嶺新城開發(fā)區(qū)成功簽約車規(guī)級半導(dǎo)體封測基地項目，項目共分兩期實施建設(shè)。其中，一期擴(kuò)建項目于2023年12月28日開工，主要建設(shè)一條車規(guī)級Si/SiC器件先進(jìn)封裝產(chǎn)線，目前已進(jìn)入設(shè)備進(jìn)場及調(diào)試階段，將于本月正式投產(chǎn)。投產(chǎn)后，預(yù)計每年可生產(chǎn)超3.96億顆單管產(chǎn)品。
二期項目主要用于開展MEMS、IC等產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售，同時將一期產(chǎn)線整體遷入新建廠房。項目計劃于今年三季度開工建設(shè)，并于2026年投產(chǎn)。
晶能微電子是吉利孵化的功率半導(dǎo)體公司，聚焦于新能源領(lǐng)域的芯片設(shè)計與模塊創(chuàng)新,為新能源汽車、電動摩托車、光伏、儲能、新能源船舶等客戶提供功率產(chǎn)品和服務(wù)。
近年來，晶能微電子持續(xù)強(qiáng)化功率半導(dǎo)體封測業(yè)務(wù)布局。去年8月，據(jù)晶能微電子官微消息，其擬與錢江摩托簽署協(xié)議，投資1.23億元收購后者持有的益中封裝100%股權(quán)。益中封裝主要做單管先進(jìn)封裝，年產(chǎn)能3.6億只。收購?fù)瓿珊?，晶能微電子產(chǎn)品版圖實現(xiàn)對殼封模塊、塑封模塊和單管產(chǎn)品的全覆蓋。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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