11月26日，據(jù)法國產(chǎn)業(yè)雜志新工廠（UsineNouvelle）報道，意法半導體（STMicroelectronics）繼與美商格羅方德在法國東南部Crolles的75億歐元（約588億人民幣）晶圓廠計劃后，為平衡集團在意法兩國布署，亦將于意大利西西里島Catane投資50億歐元（約392億人民幣），新建一座碳化硅（SiC）超級半導體晶圓廠。該晶圓廠將專門生產(chǎn)SiC芯片，為電動車關(guān)鍵技術(shù)并具強大成長潛力。
報道稱，意法半導體為維持其競爭力，擬自2024年起轉(zhuǎn)型升級至8英寸晶圓，并結(jié)合Soitec的SmartSiC技術(shù)，以提高效能，同時減少碳排放。同時，該公司積極提升產(chǎn)能、掌握內(nèi)部制造并與中國廠商三安光電合作，以期將SiC芯片相關(guān)營收由今年預期的12億美元（約85億人民幣）在2030年前提升至50億美元（約356億人民幣）。
其中，意法半導體與三安光電強強聯(lián)手曾在行業(yè)內(nèi)引發(fā)廣泛關(guān)注。今年6月7日，意法半導體和三安光電共同宣布，雙方已簽署協(xié)議，將在重慶建立一個新的8英寸SiC器件合資制造廠，投資總額預計達32億美元（約228億人民幣）。
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為了保障這項規(guī)模龐大的投資計劃順利實施，三安光電表示將利用自研SiC襯底工藝，單獨建造和運營一個新的8英寸SiC襯底制造廠，以滿足上述合資廠的襯底需求，這有助于合作方意法半導體加速向8英寸進軍。
根據(jù)TrendForce集邦咨詢分析，目前SiC產(chǎn)業(yè)以6英寸襯底為主，占據(jù)高達80%的市場份額，而8英寸襯底僅占1%，向更大的8英寸襯底過渡是進一步降低SiC器件成本的關(guān)鍵策略。
8英寸SiC襯底比6英寸同類襯底具有明顯的成本優(yōu)勢，6英寸向8英寸升級是行業(yè)發(fā)展大趨勢，國內(nèi)爍科晶體、晶盛機電、南砂晶圓、同光股份、科友半導體、乾晶半導體等龍頭企業(yè)都在推進8英寸SiC襯底的開發(fā)，從占總生產(chǎn)成本45%左右的襯底上實現(xiàn)降本后，SiC器件有望進一步推廣普及，反哺各大廠商，形成良性循環(huán)。
不僅僅是國內(nèi)廠商，國際半導體巨頭英飛凌（Infineon Technologies)、安森美（Onsemi）等也都在積極搶食市場大蛋糕。其中，英飛凌已經(jīng)在工廠制備了第一批8英寸晶圓機械樣品，很快將它們轉(zhuǎn)化為電子樣品，并計劃在2030年之前大規(guī)模量產(chǎn)應用，安森美、羅姆等國際器件大廠都制定了8英寸SiC晶圓的發(fā)展規(guī)劃。
目前，頭部廠商占據(jù)了超過90%的市場份額，競爭激烈，一旦步伐放緩，就可能讓追趕者有可乘之機。根據(jù)TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，2022年SiC功率半導體主要廠商的市場份額占比TOP5分別是意法半導體（36.5%）、英飛凌（17.9%）、Wolfspeed（16.3%）、安森美（11.6%）、羅姆（8.1%），剩余廠商僅占9.6%。
意法半導體此次在意大利投資建廠，不僅能夠平衡集團在意法兩國布署，也有助于穩(wěn)固自身在SiC功率器件領(lǐng)域的優(yōu)勢。（集邦化合物半導體Zac整理）
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