驗(yàn)收、發(fā)布,瑤光半導(dǎo)體、優(yōu)睿譜項(xiàng)目有新進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 11 月 27 日 17:50 | 分類 企業(yè)

瑤光半導(dǎo)體激光退火設(shè)備順利驗(yàn)收

據(jù)瑤光半導(dǎo)體官微消息,近日,瑤光半導(dǎo)體激光退火設(shè)備順利通過驗(yàn)收。

該設(shè)備已在客戶新產(chǎn)線投入生產(chǎn)使用,該產(chǎn)線計(jì)劃年產(chǎn)一億顆功率芯片和1萬片6英寸SiC外延片,同時(shí)包括“10萬片SiC外延片及JBS、MOSFET功率集成電路”。

據(jù)官微介紹,瑤光半導(dǎo)體自主研發(fā)的SiC/Si基激光退火設(shè)備,廣泛應(yīng)用于硅基IGBT離子摻雜激活和碳化硅背面電極鍍膜退火等多個(gè)工藝。其微秒級(jí)的控制系統(tǒng)、晶圓厚度測(cè)量功能以及出色的光學(xué)整形裝置,為晶圓的退火工藝提供了高效的解決方案。

此前報(bào)道,瑤光是浙江工業(yè)大學(xué)莫干山研究院今年引進(jìn)的重點(diǎn)項(xiàng)目,主要從事第三代寬禁帶半導(dǎo)體制程設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。目前公司已完成瑤光閉環(huán)溫度控制系統(tǒng),并擁有瑤光功率芯片背面激光退火方法,自主創(chuàng)新瑤光SiC外延生長(zhǎng)方案,惰性氣體屏障技術(shù)等多項(xiàng)專有技術(shù)。

除了SiC激光退火設(shè)備,瑤光半導(dǎo)體旗下設(shè)備“星型SiC MOCVD”(ES600)預(yù)計(jì)今年四季度完成研發(fā)。

SiC晶圓激光退火技術(shù)(LSA)相對(duì)于傳統(tǒng)高溫?zé)嵬嘶鸺夹g(shù)(RTA),具有升溫極快、控制靈敏、熱傳導(dǎo)深度淺、連續(xù)能量輸出穩(wěn)定等特點(diǎn),逐漸成為了新一代主流退火技術(shù)。作為該技術(shù)載體的激光退火設(shè)備,也因SiC等功率半導(dǎo)體的技術(shù)升級(jí)和需求增長(zhǎng),市場(chǎng)正不斷擴(kuò)大。

在激光退火設(shè)備領(lǐng)域,市場(chǎng)主要由相干(Coherent)、Veeco、應(yīng)用材料(Applied Materials)、日立、日本制鋼所等國(guó)外大廠占據(jù)。我國(guó)該市場(chǎng)起步晚,很多國(guó)內(nèi)企業(yè)的激光退火設(shè)備都依賴進(jìn)口。近年來,政府與國(guó)內(nèi)企業(yè)不斷加大激光退火設(shè)備研發(fā)力度,加速激光退火設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。目前,國(guó)內(nèi)我國(guó)制造激光退火設(shè)備的企業(yè)有大族激光、北京華卓精科、成都萊普特、上海微電子等。

隨著瑤光半導(dǎo)體等布局企業(yè)增加,國(guó)內(nèi)激光退火設(shè)備競(jìng)爭(zhēng)將更加激烈,同時(shí),更多企業(yè)共同推動(dòng)能有效促進(jìn)行業(yè)技術(shù)升級(jí),加快縮短國(guó)內(nèi)企業(yè)與國(guó)際大廠之間的差距,為爭(zhēng)取更多市場(chǎng)份額、實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代做準(zhǔn)備。

圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫

優(yōu)睿譜成功推出晶圓電阻率量測(cè)設(shè)備SICV200

優(yōu)睿譜半導(dǎo)體設(shè)備(無錫)有限公司(下文簡(jiǎn)稱“優(yōu)睿譜”)近日成功推出晶圓電阻率量測(cè)設(shè)備SICV200,即將交付客戶驗(yàn)證。

據(jù)介紹,SICV200是一款用于測(cè)量硅片電阻率、SiC或其它半導(dǎo)體材料摻雜濃度的半導(dǎo)體量測(cè)設(shè)備,可支持對(duì)包括12英寸在內(nèi)的各種不同尺寸晶圓,進(jìn)行可持多頻率下CV特性分析。機(jī)臺(tái)配置上,SICV200具有各種尺寸的半自動(dòng)方案以及符合SEMI標(biāo)準(zhǔn)的全自動(dòng)方案,可直接對(duì)接客戶工廠MES系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化生產(chǎn)。

優(yōu)睿譜總經(jīng)理唐德明博士介紹,在襯底上進(jìn)行同質(zhì)外延時(shí),載流子濃度是一個(gè)重要的技術(shù)參數(shù)。目前,行業(yè)普遍使用電容電壓(CV)法來測(cè)量同質(zhì)外延層的載流子濃度。該方法可直接在半導(dǎo)體上形成肖特基勢(shì)壘測(cè)得外延層的載流子濃度,也可以形成MOS電容結(jié)構(gòu)對(duì)CVD工藝等進(jìn)行監(jiān)控,從而有效評(píng)估各類半導(dǎo)體材料制造工藝中外延層的載流子濃度以及外延層的質(zhì)量,方便且無損地對(duì)半導(dǎo)體材料進(jìn)行測(cè)量分析,為優(yōu)化外延生長(zhǎng)工藝提供依據(jù)和支持。

優(yōu)睿譜成立于2021年,專注于半導(dǎo)體前道量測(cè)設(shè)備的研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造、銷售與服務(wù)。

據(jù)悉,半導(dǎo)體前道量測(cè)設(shè)備是半導(dǎo)體芯片制造過程中的核心設(shè)備之一,技術(shù)門檻高,對(duì)提高產(chǎn)品良率、降低生產(chǎn)成本、推進(jìn)工藝迭代起著重要作用。目前,雖然中國(guó)大陸已經(jīng)成為全球最大的前道量檢測(cè)市場(chǎng),但國(guó)內(nèi)廠商市場(chǎng)份額占比仍然較小。

隨著國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展,對(duì)前道量測(cè)設(shè)備的需求量持續(xù)走高,與此同時(shí),由于地緣政治和國(guó)外企業(yè)產(chǎn)能等因素影響,使得國(guó)產(chǎn)替代需求迫切。

面對(duì)技術(shù)落后的處境,國(guó)內(nèi)企業(yè)在加速追趕——上海精測(cè)、中科飛測(cè)等在前道量測(cè)設(shè)備領(lǐng)域取得了一定的進(jìn)展。值得一提的是,前不久,中導(dǎo)光電的納米級(jí)圖形晶圓缺陷光學(xué)檢測(cè)設(shè)備(NanoPro-150)實(shí)現(xiàn)了再次交付。

隨著技術(shù)更迭和行業(yè)認(rèn)可度的提升,在本土巨大的前道量檢測(cè)市場(chǎng),國(guó)內(nèi)廠商大有可為。(集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理)

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