Soitec新廠在法國(guó)落成,預(yù)計(jì)年產(chǎn)50萬(wàn)片SmartSiC晶圓

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 10 月 08 日 9:40 | 分類 企業(yè)

法國(guó)創(chuàng)新半導(dǎo)體材料領(lǐng)先企業(yè)Soitec近日發(fā)表公告,其在法國(guó)格勒諾布爾附近的伯寧舉行了新工廠落成儀式。

此前2022年3月消息,Soitec宣布在法國(guó)伯寧總部建設(shè)Bernin 4新工廠,致力于制造6英寸和8英寸的 SmartSiC晶圓。同年3月該工廠舉行了奠基儀式。

根據(jù)法國(guó)媒體的報(bào)道,該工廠投資額為3.8億歐元(約30億人民幣),其中30%由法國(guó)和歐洲援助承擔(dān)。根據(jù)公告,該工廠占地面積2500平方米,2028年全部達(dá)成后可年產(chǎn)50萬(wàn)片,其中80%專用于SmartSiC晶圓,20%生產(chǎn)300mm SOI晶圓。

圖片來(lái)源:拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

該公司表示,新工廠將專門生產(chǎn)電動(dòng)汽車所需要的SmartSiC襯底,Soitec開(kāi)發(fā)的SmartCut技術(shù)可使SiC器件電氣性能提高了15%-20%,襯底的消耗量減少了十分之一。

具體而言,通過(guò)SmartSiC?技術(shù)的應(yīng)用,每個(gè)SiC襯底可以使用10次。因此,SmartSiC?使電動(dòng)汽車的續(xù)航里程超過(guò)500公里,而使用硅基IGBT的汽車平均續(xù)航里程為350公里,同時(shí)與單晶SiC襯底相比,晶圓制造過(guò)程中的二氧化碳排放量減少了70%。

Soitec 首席執(zhí)行官Pierre Barnabé 表示:“我們比以往任何時(shí)候都更愿意將SmartSiC技術(shù)建立為下一代電動(dòng)汽車半導(dǎo)體材料的新標(biāo)準(zhǔn)。該工廠將使我們能夠滿足對(duì)碳化硅不斷增長(zhǎng)的需求,并到2030年實(shí)現(xiàn)30%的市場(chǎng)份額,同時(shí)幫助提高電動(dòng)汽車的效率和降低價(jià)格。”

現(xiàn)階段,Bernin 4新工廠主要生產(chǎn)6英寸SiC晶圓,計(jì)劃從2024年開(kāi)始遷移到8英寸晶圓。新工廠的第一個(gè)測(cè)試樣品和資格認(rèn)證將在2個(gè)月內(nèi)開(kāi)始發(fā)貨,計(jì)劃于2024年春末開(kāi)始大批量交付。
(文:全球半導(dǎo)體觀察)

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