據(jù)國家知識產(chǎn)權(quán)局公告,湖南三安半導(dǎo)體有限公司(下文簡稱湖南三安半導(dǎo)體)獲得名為“半導(dǎo)體器件”專利授權(quán),授權(quán)公告日為9月15日,授權(quán)公告號為CN219696448U。
source:國家知識產(chǎn)權(quán)局
根據(jù)摘要可知,該申請公開了一種半導(dǎo)體器件,屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。
半導(dǎo)體器件包括芯片;基板,基板包括安裝部和第一端子,第一端子連接在安裝部的第一端部;塑封體,安裝部包括裸露在塑封體的頂面的第一面和被塑封體包裹的第二面,芯片安裝在安裝部的第二面,第一端子從塑封體的第一側(cè)伸出并向塑封體的底面彎折;第二端子和第三端子,第二端子和第三端子與芯片電連接且從與塑封體的第一側(cè)相對的第二側(cè)的中部伸出;安裝部還包括與第一端部相對設(shè)置的第二端部,在安裝部的第二端部與第二端子和第三端子之間的塑封體上設(shè)置有凹槽,可增大基板與第二端子和第三端子之間的爬電距離,從而提高了半導(dǎo)體器件的安全性。
據(jù)悉,本月初湖南三安半導(dǎo)體就在SEMICON TaiWan 2023展會上,除了推出650V-1700V寬電壓范圍的SiC MOSFET外,三安半導(dǎo)體還首發(fā)了8英寸碳化硅襯底。
從產(chǎn)能來看,湖南三安現(xiàn)有SiC產(chǎn)能15,000片/月,較2022年底新增3,000片/月,提升25%;GaN-on-Si(硅基氮化鎵)產(chǎn)能2,000片/月。其6英寸碳化硅襯底已通過數(shù)家國際大客戶驗(yàn)證,并實(shí)現(xiàn)批量出貨,且2023年、2024年供應(yīng)已基本鎖定。
此次獲取專利授權(quán)也是從側(cè)面表示,三安光電在積極擴(kuò)大產(chǎn)能的同時,亦重視技術(shù)創(chuàng)新,其大有產(chǎn)能和技術(shù)兩手都抓的態(tài)勢。(文:集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理)
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