近日,國星光電開發(fā)的1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二極管)器件成功通過第三方權(quán)威檢測機(jī)構(gòu)可靠性驗(yàn)證,并獲得AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證。這標(biāo)志著國星光電第三代半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)品從工業(yè)領(lǐng)域向新能源汽車領(lǐng)域邁出堅(jiān)實(shí)步伐。
01、提升性能,做實(shí)高品質(zhì)產(chǎn)品
通過認(rèn)證的國星光電SiC-SBD器件采用TO-247-2L封裝形式,在長達(dá)1000小時(shí)的高溫、高濕等惡劣環(huán)境下驗(yàn)證,仍能保持正常穩(wěn)定的工作狀態(tài),可更好地適應(yīng)復(fù)雜多變的車載應(yīng)用環(huán)境,具備高度的可靠性、安全性和穩(wěn)定性。
此外,相比傳統(tǒng)的硅基二極管產(chǎn)品,SiC-SBD器件在高耐壓、高導(dǎo)熱、低損耗等性能方面表現(xiàn)更出色,并且擁有快速的恢復(fù)時(shí)間,可以提高開關(guān)速率,減小磁性元件和其它無源元件的尺寸,更節(jié)省空間與重量,可適配尺寸較小的終端產(chǎn)品,適用于新能源電動(dòng)汽車的車載充電機(jī)、控制系統(tǒng)以及汽車充電樁電路等場景。
02、拓展應(yīng)用,推進(jìn)三代半“上車”
隨著新一輪科技革命和產(chǎn)業(yè)變革加速演進(jìn),半導(dǎo)體新興應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)展迅猛。第三代半導(dǎo)體作為國星光電前瞻布局的重要方向之一,在過去一年里,公司面向SiC(碳化硅)及GaN(氮化鎵)開發(fā)的系列新產(chǎn)品已陸續(xù)問世。
如應(yīng)用于光伏逆變、儲(chǔ)能、充電樁等場景的NSiC-KS系列產(chǎn)品;應(yīng)用于太陽能發(fā)電、電網(wǎng)傳輸、風(fēng)力發(fā)電等領(lǐng)域的NS62m功率模塊;應(yīng)用于照明及大功率驅(qū)動(dòng)市場的GaN-IC器件等,已逐漸形成品類豐富、品質(zhì)上乘的產(chǎn)品布局,并與多家知名廠商建立良好的合作關(guān)系。
此次通過認(rèn)證的車規(guī)級SiC-SBD是國星光電布局車載應(yīng)用推出的首款車載功率器件,此外,公司車規(guī)級SiC-MOSFET分立器件及all-SiC功率模塊系列產(chǎn)品已同步在車規(guī)系列技術(shù)路線中布局,將為國星光電第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品加快滲透新能源車載領(lǐng)域,推動(dòng)公司高質(zhì)量發(fā)展“加速跑”注入源源不斷的新動(dòng)能。(文:國星光電)
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