文章分類： 功率

車用GaN需求攀升，國產(chǎn)企業(yè)有望搶占先機(jī)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 26 日 17:45 |
| 分類: 功率
1. 在材料特性的支持下，車用GaN元件的競爭優(yōu)勢將日益顯著 憑借優(yōu)異的材料特性，SiC元件正加速導(dǎo)入汽車、再生能源、電源PFC等領(lǐng)域，而GaN元件亦在終端設(shè)備的快速充電領(lǐng)域大放異彩；此外，在汽車、網(wǎng)絡(luò)通訊領(lǐng)域，GaN元件的能見度也越來越高。 在電動車搭載的牽引逆變器、車載充電器...  [詳內(nèi)文]

SiC和GaN，這個問題不容忽視

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 26 日 10:13 |
| 分類: 功率
在談到SiC和GaN這些炙手可熱的寬禁帶材料的時候，大家首先想到是其領(lǐng)先的特性，這讓它們在不少市場能尋找到一席之地。來到技術(shù)層面，讀者們可能對其襯底、外延、制造工藝、晶圓尺寸甚至制造設(shè)備等都有廣泛的關(guān)注。 其實，對于GaN和SiC，還有一個少被提及，但又非常重要的一環(huán)，那就是測試...  [詳內(nèi)文]

英飛凌與深圳英飛源技術(shù)（Infypower）達(dá)成合作

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 22 日 17:45 | | 分類: 功率
北京時間9月20日，英飛凌宣布與深圳英飛源（Infypower）合作，其將為 INFY 提供業(yè)界領(lǐng)先的 1200 V CoolSiC?MOSFET 功率半導(dǎo)體器件，以提高電動汽車充電站的效率。 據(jù)介紹，通過集成英飛凌的1200 V CoolSiC MOSFET，Infypower...  [詳內(nèi)文]

國星光電聯(lián)合佛照電工推出33W氮化鎵墻插快充新品

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 22 日 16:45 |
| 分類: 功率
9月20日，國星光電聯(lián)合佛山照明智達(dá)電工科技有限公司（以下簡稱“佛照電工”）開發(fā)的基于第三代半導(dǎo)體氮化鎵應(yīng)用墻插快充產(chǎn)品正式面世。 據(jù)介紹，國星光電與佛照電工聯(lián)合推出的86面板墻插產(chǎn)品，采用了國星光電33W氮化鎵技術(shù)，該技術(shù)主要依托DFN5*6 NSGaN 器件搭建的氮化鎵墻插...  [詳內(nèi)文]

SiC和GaN雙管齊下，中瓷電子在化合物半導(dǎo)體賽道開始發(fā)力

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 21 日 14:57 |
| 分類: 功率
9月19日，中瓷電子在互動平臺表示，子公司北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司（下文簡稱“國聯(lián)萬眾”）第三代半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線已基本建成，目前產(chǎn)線場地及主要設(shè)備已基本具備月產(chǎn)2000片SiC晶圓的能力，產(chǎn)能正在逐步達(dá)產(chǎn)中。 國聯(lián)萬眾主要從事氮化鎵射頻芯片和碳化硅功率模塊的設(shè)計、測 試、銷...  [詳內(nèi)文]

芯投微電子濾波器研發(fā)生產(chǎn)總部項目封頂，計劃2024年通線投產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 19 日 17:45 |
| 分類: 功率
9月16日，芯投微電子濾波器研發(fā)生產(chǎn)總部項目封頂儀式舉行，此次FAB廠房封頂意味著項目建設(shè)取得了階段性成果。 據(jù)官微介紹，芯投微電子濾波器研發(fā)生產(chǎn)總部項目位于安徽省合肥市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)，于2022年12月正式開工建設(shè)，計劃2024年通線投產(chǎn)。項目建成初期將聚焦射頻濾波器設(shè)計、...  [詳內(nèi)文]

浙江南潯發(fā)布泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)劃，力爭2025年產(chǎn)業(yè)規(guī)模突破50億

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 18 日 17:45 |
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新民晚報消息，9月16日，浙江湖州市南潯區(qū)發(fā)布《湖州市南潯區(qū)泛半導(dǎo)體新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》，長三角泛半導(dǎo)體新材料產(chǎn)業(yè)園揭牌成立。 根據(jù)《湖州市南潯區(qū)泛半導(dǎo)體新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》，南潯將積極導(dǎo)入長三角核心城市關(guān)鍵資源，重點布局半導(dǎo)體涉化材料、封測產(chǎn)業(yè)、新型顯示、面向上海的芯片設(shè)計服務(wù)...  [詳內(nèi)文]

新潔能推出的SiC MOSFET產(chǎn)品通過驗證并可小規(guī)模量產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 15 日 17:45 |
| 分類: 功率
近日，無錫新潔能股份有限公司（下文簡稱“新潔能”）在互動平臺表示目前已開發(fā)完成1200V 23mohm~62mohm SiC MOSFET系列產(chǎn)品，新開發(fā)650V SiC MOSFET工藝平臺，用于新能源汽車OBC、光伏儲能、工業(yè)及自動化等行業(yè)，相關(guān)產(chǎn)品已通過客戶驗證，并實現(xiàn)小規(guī)...  [詳內(nèi)文]

最高5000萬元資助，深圳大力發(fā)展半導(dǎo)體等領(lǐng)域關(guān)鍵材料

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 15 日 10:32 |
| 分類: 功率
9月13日，深圳市工業(yè)和信息化局、深圳市發(fā)展和改革委員會、深圳市科技創(chuàng)新委員會，三部門聯(lián)合印發(fā)《深圳市關(guān)于推動新材料產(chǎn)業(yè)集群高質(zhì)量發(fā)展的若干措施》（以下簡稱“《若干措施》”），推動新材料產(chǎn)業(yè)集群高質(zhì)量發(fā)展。本措施自2023年9月13日起實施，有效期5年。 source：深圳市工...  [詳內(nèi)文]

三菱電機(jī)將交付用于5G 基站的GaN功率放大模塊樣品

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 14 日 17:45 |
| 分類: 功率
9月13日，三菱機(jī)電股份有限公司（下文簡稱“三菱電機(jī)”）宣布，9月21日起，用于5G大規(guī)模MIMO（mMIMO）基站的新型GaN功率放大模塊樣品將大量出貨。該GaN功率放大模塊在 400 MHz 的寬頻率范圍內(nèi)可以提高至少 43% 的功率附加效率，能有效降低5G mMIMO基站的...  [詳內(nèi)文]