KAIST開發(fā)新方法,成功突破MicroLED顯示器分辨率限制

作者 | 發(fā)布日期 2020 年 01 月 10 日 11:32 | 分類 Micro LED

據(jù)Business Korea報(bào)道,韓國(guó)研究團(tuán)隊(duì)KAIST提出一項(xiàng)能夠突破Micro LED顯示器分辨率限制的技術(shù)。新技術(shù)有望用來(lái)生產(chǎn)高分辨率小顯示器,用于VR/AR等裝置。

6日,KAIST宣布由電子工程系Kim Sang-hyun教授帶領(lǐng)的研究小組研發(fā)了采用半導(dǎo)體制造技術(shù)生產(chǎn)每英寸超過(guò)63,500像素的技術(shù)。

Micro LED顯示器使用微米尺寸的無(wú)機(jī)發(fā)光二極管作為像素點(diǎn)。鑒于此,紅綠藍(lán)(RGB)像素必須緊密排列,但能生產(chǎn)RGB三種顏色的LED材料各不相同,因此,每顆LED必須轉(zhuǎn)錄到顯示基板上。

然而,在此過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生很多技術(shù)難題,如LED轉(zhuǎn)移頭的尺寸限制、機(jī)械精度及良率降低等問(wèn)題,因此,很難將此技術(shù)應(yīng)用到超高分辨率的顯示器上。

目前,KAIST研究團(tuán)隊(duì)已經(jīng)開發(fā)出一種生產(chǎn)高分辨率Micro LED顯示器設(shè)備的新方法。據(jù)悉,他們將紅綠藍(lán)LED有源層堆疊在3D空間之后再使用半導(dǎo)體圖案化工藝。為解決在垂直堆疊RGB LED過(guò)程中產(chǎn)生的顏色干擾以及每個(gè)微小像素的效率等問(wèn)題,該團(tuán)隊(duì)在結(jié)合面上放置具有濾光片特性的絕緣膜,將紅色和藍(lán)色干擾光線消除了97%。最后,研究團(tuán)隊(duì)成功實(shí)現(xiàn)每英寸超過(guò)6萬(wàn)像素的高分辨率,提高了微發(fā)光二極管的效率。(編譯:LEDinside Janice)

更多LED相關(guān)資訊,請(qǐng)點(diǎn)擊LED網(wǎng)或關(guān)注微信公眾賬號(hào)(cnledw2013)。