揚(yáng)杰科技等第三代半導(dǎo)體企業(yè)公布2022業(yè)績(jī),幾家歡喜幾家愁?

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 03 月 29 日 16:58 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC

近日,揚(yáng)杰科技、賽微電子和鋮昌科技等第三代半導(dǎo)體企業(yè)先后發(fā)布了2022年業(yè)績(jī)情況。

揚(yáng)杰科技:凈利增38.17%,SiC獲突破

揚(yáng)杰科技3月28日晚間發(fā)布業(yè)績(jī)快報(bào),2022年實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)總收入54.18億元,同比增長(zhǎng)23.22%;凈利潤(rùn)10.61億元,同比增長(zhǎng)38.17%;基本每股收益2.08元。

對(duì)于業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)的原因,揚(yáng)杰科技透露,1、報(bào)告期內(nèi),公司持續(xù)加大新產(chǎn)品研發(fā)投入,不斷開(kāi)發(fā)出具有市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的高附加值產(chǎn)品,新產(chǎn)品的業(yè)績(jī)表現(xiàn)突出。IGBT、MOSFET、小信號(hào)等產(chǎn)品線均實(shí)現(xiàn)了大幅增長(zhǎng),SiC產(chǎn)品線研發(fā)取得重大突破。

圖片來(lái)源:拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

賽微電子:營(yíng)收凈利均有下降

賽微電子發(fā)布2022年年度報(bào)告,公司報(bào)告期內(nèi)營(yíng)業(yè)收入7.86億元,同比減少15.37%;歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)-7336.11萬(wàn)元,同比由盈轉(zhuǎn)虧;歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤(rùn)-2.28億元,同比由盈轉(zhuǎn)虧。

報(bào)告期內(nèi),公司從事的主要業(yè)務(wù)包括MEMS工藝開(kāi)發(fā)及晶圓制造、GaN外延材料生長(zhǎng)及芯片設(shè)計(jì),以及因剝離未完成而被動(dòng)延續(xù)的部分原有業(yè)務(wù);與此同時(shí),公司圍繞半導(dǎo)體主業(yè)開(kāi)展產(chǎn)業(yè)投資布局,對(duì)實(shí)體企業(yè)、產(chǎn)業(yè)基金進(jìn)行參股型投資。

GaN方面,公司現(xiàn)有GaN業(yè)務(wù)包括外延材料和芯片設(shè)計(jì)。公司在GaN外延材料方面擁有一條6-8英寸GaN外延材料產(chǎn)線(一期),具備了相關(guān)研發(fā)、生長(zhǎng)條件,已與下游客戶建立合作,形成產(chǎn)品序列并推向市場(chǎng),形成正式銷售。

公司在GaN器件設(shè)計(jì)方面已陸續(xù)研發(fā)、推出不同規(guī)格的功率器件產(chǎn)品及應(yīng)用方案,同時(shí)正在推動(dòng)微波器件產(chǎn)品的研發(fā),已形成產(chǎn)品序列并推向市場(chǎng),已形成正式銷售。

此外,公司參股子公司聚能國(guó)際仍在推進(jìn)GaN芯片制造產(chǎn)線一期產(chǎn)能(5000片/月)的建設(shè)。

鋮昌科技:營(yíng)收同比增長(zhǎng)31.69%

據(jù)鋮昌科技2022年年度報(bào)告,公司營(yíng)業(yè)收入2.78億元,同比增長(zhǎng)31.69%;歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)1.33億元,同比下降17.02%;歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤(rùn)1.12億元,同比增長(zhǎng)6.34%。

報(bào)告期內(nèi),公司參與的多個(gè)研制項(xiàng)目陸續(xù)進(jìn)入量產(chǎn)階段,不僅拓展了在星載領(lǐng)域產(chǎn)品應(yīng)用的衛(wèi)星型號(hào)數(shù)量,地面相控陣T/R芯片也已成為公司的重要收入來(lái)源之一,為營(yíng)收提供了有力的支撐,同時(shí)機(jī)載、艦載等應(yīng)用領(lǐng)域的產(chǎn)品數(shù)量亦有所增長(zhǎng),產(chǎn)品結(jié)構(gòu)逐漸豐富。

報(bào)告期內(nèi),公司的地面產(chǎn)品主要以各類型地面雷達(dá)為主,具有相控陣陣面大、T/R通道數(shù)量多、探測(cè)距離遠(yuǎn)的特點(diǎn),其中公司新產(chǎn)品GaN功率放大器芯片已實(shí)現(xiàn)規(guī)模應(yīng)用,GaN功率放大器芯片具有體積小、寬禁帶、耐高壓、耐高溫、高功率密度等多方面優(yōu)勢(shì),可滿足高功率相控陣?yán)走_(dá)的應(yīng)用場(chǎng)景。(文:集邦化合物半導(dǎo)體 Amber整理)

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