兩年一屆的德國慕尼黑國際電子元器件博覽會（Electronica）是全球電子元件領域規(guī)模大、影響廣的盛會之一，今年將于11月15-18日在線下舉辦。據外媒報道，英諾賽科、納微半導體、安世半導體、安森美、AOS等第三代半導體領域的龍頭企業(yè)將匯聚慕尼黑，展示各自在SiC/GaN等功率半導體領域的最新技術和產品。
英諾賽科將攜低、高壓GaN功率半導體新品亮相
在本屆展會上，英諾賽科將帶來一系列低壓、高壓GaN功率半導體產品，展示其在功率半導體應用市場的最新研發(fā)成果。
低壓產品部分，英諾賽科將展示30V-150V GaN功率器件，包含最新推出的通過JEDEC認證INN100W032A器件，電壓等級100V, 典型RDS(on) 值低至2.4mΩ，采用WLCSP封裝，封裝尺寸僅為3.5mm x 2.13mm。
同時，英諾賽科也將展示適用于輕度混合動力汽車及工業(yè)應用的2.4kW 48V-12V雙向升降壓轉換器樣品，以及采用40V InnoGaN功率器件的150W升降壓轉換器。英諾賽科稱，這些產品解決方案的尺寸及性能優(yōu)勢，體現了英諾賽科產品在驅動下一代USB-C, PD3.1設計的能力。
此外，英諾賽科也將展示雙向（BiGaN）功率器件，這據稱是首款導入手機內部的GaN器件，用于OPPO智能手機的電池管理系統(tǒng)。
高壓產品中，英諾賽科將重點展示650V高壓GaN功率器件產品組合，該系列產品導通電阻涵蓋30毫歐到2.2歐，能夠滿足各種場景的功率轉換器應用。
值得關注的是，英諾賽科將推出JEDEC認證的新型650V GaN HEMT INN650D080BS產品，典型RDS(on) 值為60mΩ，采用尺寸為8×8的標準DFN封裝，這款產品已開始用于英諾賽科與兩大合作伙伴聯(lián)合開發(fā)的項目。
其中，英諾賽科與比利時魯汶大學/Energie Ville合作采用650V GaN HEMT INN650D080BS器件開發(fā)400V雙有源橋式（DAB）轉換器，功率超1kW。英諾賽科與瑞士伯爾尼高等專業(yè)學院（BFH）研究所聯(lián)合開發(fā)的項目也采用了這款器件，目的是開發(fā)800V多電平轉換器。
除此之外，高壓GaN HEMT系列中，英諾賽科也將展示一些樣品，重點包括一款基于INN650D140A器件的緊湊型300W PFC + LLC 電源，廣泛適用于消費家電、工業(yè)應用、計算機、醫(yī)療及游戲等豐富場景。
納微半導體將展出GaN及SiC最新產品
納微半導體近日透露，將于德國慕尼黑電子展推出GaN、SiC寬禁帶半導體技術產品組合，覆蓋20W-20MW的半導體應用，具體產品如下：
● 新型65V MHz GaNSense氮化鎵半橋功率ICs，搭載自動、低損耗感測功能，防護速度快6倍；
● 新型750V-6.5kV GeneSiC碳化硅MOSFET，以耐高溫、高速度性能為主要特點；
● 200W移動快充，10分鐘內可實現0-100%的充電；
● 電動車車載充電器及22kW DC-DC設計產品，尺寸、重量縮小20%；
● “Titanium Plus”2.7kW高效電源，適用于數據中心場景；
● 高速、高效電機驅動，適用于家用電器、工業(yè)自動化等場景；
除了新產品之外，納微半導體屆時還將會在展會同期回顧最新的技術及市場進展。
值得關注的是，納微半導體今年8月并購了SiC MOSFET品牌GeneSiC，第三代半導體業(yè)務從GaN延伸至SiC。2022年德國慕尼黑電子展將是其SiC和GaN產品首次同時亮相的平臺。納微歐洲高級銷售總監(jiān)Alessandro Squeri表示，對于納微進軍高功率市場和工業(yè)市場而言，今年是突破性的一年。
安世半導體將展出GaN、SiC相關樣品
安世半導體表示，德國慕尼黑國際電子展為企業(yè)提供了與客戶面對面溝通和交流的機會，也為廠商提供了聚焦網聯(lián)化、數字化、電氣化、自動化、可持續(xù)發(fā)展及能源效率等當下行業(yè)大趨勢的平臺。
在本屆展會上，安世半導體將展示面向電源管理、信號轉換等不同應用場景的精密、高功率量產解決方案。同時，安世半導體還將展示一些GaN、SiC相關的樣板，具體如下：
●CCPAK：新型表面貼裝銅片夾扣鍵合（Copper Clip）封裝，適用于功率GaN；
● GaN FETs雙脈沖評估板；
● 650V SiC整流器動態(tài)性能測試評估板；
● 含電池充電機的電源管理IC，適用于無線傳感器及由紐扣電池驅動的IoT應用；
● 首款功率轉換應用柵極驅動IC；
安森美將展示搭載其SiC技術的奔馳汽車
安森美本次展品的兩大亮點是頂部冷卻MOSFET及搭載SiC技術的奔馳VISION EQXX概念車。
奔馳VISION EQXX汽車搭載了安森美的SiC技術，以高效、長續(xù)航里程等為特點，據說僅充一次電就可以從德國開到英國，全程1202公里（747英里）。
除此之外，安森美本次的展品也包含不少基于SiC技術的電動車、先進安防、工廠自動化、能源基礎設施及電動車充電應用。
另一個重點展示的樣品搭載了創(chuàng)新型頂部冷卻MOSFET器件，可簡化電動機控制及DC-DC轉換等應用的散熱設計。7個器件集成在LFPAK封裝中，尺寸僅5x7mm，搭載15mm2的導熱墊片，可直接通過散熱片散熱，不需要借助PCB板，有利于降低PCB的溫度，從而提升整體系統(tǒng)的可靠性和使用壽命，降低系統(tǒng)成本。
AOS將展示車用、工業(yè)應用SiC MOSFET
AOS（Alpha and Omega Semiconductor，阿爾法和歐米伽半導體）將展示車用、工業(yè)應用650V、750V SiC MOSFET新品以及分立半導體、IC產品線。
650V / 750V / 1200V SiC MOSFET的RDS(ON) 范圍覆蓋15-500mohm，采用多種標準封裝方式，其中650V/750V產品已通過AEC-Q100認證，具有較低的比導通電阻（RDS(ON), SP）與短路時間。（文：集邦化合物半導體 Jenny）
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