6月17日，上海新微半導體有限公司（簡稱“新微半導體”）宣布正式發(fā)布基于砷化鎵（GaAs）的高速和陣列光電探測器（PD, Photodetector）工藝平臺。該平臺的推出，標志著新微半導體在高速數據通信與光通信領域業(yè)務板塊的進一步拓展，可以為客戶提供更豐富、更高效和更可靠的光電解決方案。
圖片來源：新微半導體
據介紹，該平臺采用了4英寸GaAs/AlGaAs異質結外延技術，結合深臺面刻蝕、側壁鈍化及BCB/PBO平坦化等關鍵工藝，具備低暗電流、低電容、高響應度、高帶寬及高可靠性等優(yōu)越性能。其代工產品能夠在-40℃到85℃的寬溫范圍內穩(wěn)定運行，確保設備在嚴寒、高溫等嚴苛環(huán)境下的性能一致性，保障終端設備可靠運行。
在可靠性驗證上，其代工產品已通過Telcordia GR468可靠性標準測試，涵蓋HTOL（高溫工作壽命）、ESD（靜電放電）、T/C（溫度循環(huán)）及THB（高溫高濕壽命）等關鍵測試項目。在175℃的HTOL測試以及THB（溫度85℃、濕度85%RH）測試環(huán)境中，施加-5V偏置電壓條件，三批產品（抽樣標準77顆樣品）經過2000小時老化后，均實現零失效，產品可靠性滿足通信級標準。
作為先進的化合物半導體晶圓代工企業(yè)，新微半導體自成立以來，一直專注于為功率和光電兩大應用領域的客戶提供多元化的晶圓代工及配套服務。除了此次推出的砷化鎵光電探測器工藝平臺，公司還擁有基于3/4吋磷化銦（InP）材料的全系列光電工藝解決方案，以及氮化鎵（GaN）功率器件制造平臺等，產品廣泛應用于通信、新能源、消費電子、汽車、工業(yè)和生物醫(yī)療等多個終端應用領域。
新微半導體總經理王慶宇博士表示：“新微半導體始終致力于為客戶提供最先進的化合物半導體工藝解決方案。此次高速和陣列砷化鎵光電探測器工藝平臺的推出，是我們在光電領域的又一重大突破。我們相信，憑借該平臺的卓越性能，將幫助客戶在市場競爭中取得優(yōu)勢，推動行業(yè)的技術進步和應用拓展。”
（集邦化合物半導體整理）
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