作為一家聚焦于SiC半導(dǎo)體領(lǐng)域的芯片廠商，瞻芯電子致力于開(kāi)發(fā)SiC功率器件、驅(qū)動(dòng)和控制芯片、SiC功率模塊產(chǎn)品，并圍繞SiC功率半導(dǎo)體應(yīng)用，為客戶提供一站式芯片解決方案。
圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)
據(jù)悉，瞻芯電子在國(guó)內(nèi)較早自主開(kāi)發(fā)并掌握了6英寸SiC MOSFET產(chǎn)品以及工藝平臺(tái)，并持續(xù)進(jìn)行升級(jí)迭代。
依托自建的SiC晶圓產(chǎn)線，瞻芯電子開(kāi)發(fā)了第二代SiC MOSFET產(chǎn)品，其中IV2Q12040T4Z（1200V 40mΩ SiC MOSFET）于2023年8月獲得了車規(guī)級(jí)可靠性（AEC-Q101）認(rèn)證證書(shū)，而且通過(guò)了新能源行業(yè)頭部企業(yè)的導(dǎo)入測(cè)試，開(kāi)啟了量產(chǎn)交付。
瞻芯電子開(kāi)發(fā)的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品驅(qū)動(dòng)電壓（Vgs）為15-18V，可提升應(yīng)用兼容性，簡(jiǎn)化應(yīng)用系統(tǒng)設(shè)計(jì)。在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上，第二代SiC MOSFET與第一代產(chǎn)品同為平面柵MOSFET，但進(jìn)一步優(yōu)化了柵氧化層工藝和溝道設(shè)計(jì)，使器件比導(dǎo)通電阻降低約25%，并顯著降低開(kāi)關(guān)損耗，提升系統(tǒng)效率。
而在近日，瞻芯電子基于第三代工藝平臺(tái)開(kāi)發(fā)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品（IV3Q12013T4Z）通過(guò)了車規(guī)級(jí)可靠性（AEC-Q101）測(cè)試認(rèn)證；同時(shí)，瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺(tái)已正式量產(chǎn)。
瞻芯電子的第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET，現(xiàn)有IV3Q12013T4Z、IV3Q12013BA、IV3Q12013BD 3款產(chǎn)品，主要用于車載電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，已獲得多家車載電驅(qū)動(dòng)客戶的項(xiàng)目定點(diǎn)。
其第三代1200V SiC MOSFET仍為平面柵型MOSFET，相比第二代工藝，元胞的Pitch縮小了超過(guò)20%。核心指標(biāo)方面，第三代產(chǎn)品在保證器件的耐壓和短路能力的前提下，將比導(dǎo)通電阻Rsp降低至2.5mΩ*cm2，同時(shí)，第三代產(chǎn)品的開(kāi)關(guān)損耗對(duì)比第二代產(chǎn)品進(jìn)一步降低30%以上。
在可靠性方面，首款產(chǎn)品IV3Q12013T4Z不僅按照AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)完成了三批次可靠性認(rèn)證，獲得車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證證書(shū)，而且通過(guò)了更嚴(yán)格的Beyond-AECQ可靠性考核，包括動(dòng)態(tài)可靠性（D-HTRB，D-H3TRB，AC-BTI)，柵極負(fù)偏壓下的HTRB等。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。