南京國(guó)盛第一枚GaN on Si外延片正式下線

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 12 月 25 日 17:43 | 分類 企業(yè)

12月22日,電科材料下屬國(guó)盛公司南京外延材料產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目第一枚硅基氮化鎵(GaN on Si)外延片正式下線。

據(jù)介紹,GaN on Si材料具有高頻率、低損耗、抗輻射性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì),制成的器件還有一定的成本優(yōu)勢(shì),具有較強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力。國(guó)盛公司制備的GaN on Si外延片,可以滿足電力電子用GaN器件的需求。

資料顯示,國(guó)盛公司前身是信息產(chǎn)業(yè)部電子第五十五研究所電子材料產(chǎn)品部,專業(yè)從事半導(dǎo)體硅外延材料的研發(fā)及批量生產(chǎn)。公司擁有LPE、Gemini等公司生產(chǎn)的多種型號(hào)外延爐,主要產(chǎn)品包含列從3英寸到8英寸的P型和N型外延片,產(chǎn)能為8萬片/月(4英寸等效)。

值得一提的是,近日,國(guó)盛公司大尺寸硅外延材料產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目第一枚碳化硅(SiC)外延產(chǎn)品誕生。國(guó)盛公司表示,首枚SiC外延產(chǎn)品誕生,預(yù)示著后續(xù)新品全尺寸檢測(cè)評(píng)估,向客戶提供驗(yàn)證樣片工作正式啟動(dòng)。

圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

近年來,電科材料大力布局第三代半導(dǎo)體外延領(lǐng)域。2021年9月,電科材料南京外延材料產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目簽約落戶南京江寧開發(fā)區(qū)綜合保稅區(qū),占地面積約10萬平方米。今年11月,電科材料南京外延材料產(chǎn)業(yè)基地宣布正式投產(chǎn)運(yùn)行。

該產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目分兩期實(shí)施,其中一期投資19.3億元,將建設(shè)成立第三代化合物外延材料、8-12英寸硅外延材料產(chǎn)業(yè)基地等。項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后,將形成8-12英寸硅外延片456萬片/年,6-8英寸化合物外延片12.6萬片/年的生產(chǎn)能力。

據(jù)悉,自電科材料南京外延材料產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目投產(chǎn)以來,大尺寸硅外延片、SiC外延片已先后實(shí)現(xiàn)客戶交付,第一枚GaN on Si外延片下線,標(biāo)志著國(guó)盛公司產(chǎn)品多元化布局初步完成。

此外,2022年4月,電科材料孫公司盛鑫半導(dǎo)體舉行大尺寸硅外延材料產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目開工儀式。今年6月,盛鑫半導(dǎo)體大尺寸硅外延材料產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目實(shí)現(xiàn)首批設(shè)備入場(chǎng)。

據(jù)電科材料介紹,該項(xiàng)目是南京市集成電路產(chǎn)業(yè)鏈建設(shè)的地標(biāo)性項(xiàng)目,將建設(shè)外延主廠房、晶體加工廠房、綜合試驗(yàn)樓、動(dòng)力站等相關(guān)建筑,主要從事大尺寸硅外延片和第三代半導(dǎo)體外延片生產(chǎn)。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)

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