近日,智新半導(dǎo)體二期產(chǎn)線順利下線首批采用納米銀燒結(jié)技術(shù)的碳化硅模塊,該批產(chǎn)品已完成自主封裝、測(cè)試以及應(yīng)用老化試驗(yàn)。
據(jù)悉,智新半導(dǎo)體碳化硅模塊項(xiàng)目于2021年進(jìn)行前期先行開發(fā),去年12月正式立項(xiàng)為量產(chǎn)項(xiàng)目。該項(xiàng)目以智新半導(dǎo)體封裝技術(shù)為引領(lǐng),實(shí)現(xiàn)了從模塊設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試、電控應(yīng)用到整車路試等環(huán)節(jié)關(guān)鍵核心技術(shù)的自主掌控。
據(jù)智新半導(dǎo)體介紹,該碳化硅模塊采用納米銀燒結(jié)工藝、銅鍵合技術(shù),使用高性能氮化硅陶瓷襯板和定制化pin-fin散熱銅襯底,熱阻較傳統(tǒng)工藝改善10%以上,工作溫度可達(dá)175℃,損耗相比IGBT模塊大幅降低40%以上,整車?yán)m(xù)航里程提升5%-8%。
資料顯示,碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體是國(guó)家“十四五”規(guī)劃綱要中重點(diǎn)關(guān)注的科技前沿領(lǐng)域攻關(guān)項(xiàng)目,同時(shí)具備高禁帶寬度、高電子遷移率、高導(dǎo)熱等特點(diǎn),使得碳化硅模塊具有高效率、高壓、高工作溫度幾大優(yōu)勢(shì),在中高端新能源汽車中的應(yīng)用越來(lái)越普及。
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值得關(guān)注的是,近期碳化硅功率模塊相關(guān)廠商動(dòng)作頻頻。英飛凌、現(xiàn)代和起亞在10月18日發(fā)布聲明稱,三方已簽署碳化硅和硅功率半導(dǎo)體供應(yīng)協(xié)議。根據(jù)協(xié)議,英飛凌將在未來(lái)數(shù)年內(nèi)向現(xiàn)代起亞供應(yīng)相關(guān)產(chǎn)品,現(xiàn)代起亞則出資支持前者產(chǎn)能建設(shè)與儲(chǔ)備。
隨后在10月26日-27日,基本半導(dǎo)體正式發(fā)布第二代碳化硅MOSFET芯片、汽車級(jí)及工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET功率模塊、功率器件門極驅(qū)動(dòng)器及驅(qū)動(dòng)芯片等系列新品,基本半導(dǎo)體功率器件整體解決方案同期亮相。
據(jù)基本半導(dǎo)體介紹,此次發(fā)布的第二代碳化硅MOSFET芯片系列新品基于6英寸晶圓平臺(tái)進(jìn)行開發(fā),比上一代產(chǎn)品在品質(zhì)系數(shù)因子、開關(guān)損耗以及可靠性等方面表現(xiàn)更出色,可廣泛應(yīng)用于新能源汽車電機(jī)控制器、車載電源、充電樁等領(lǐng)域。
此外,中瑞宏芯半導(dǎo)體近日完成近億元人民幣產(chǎn)投融資,由禾邁股份和納芯微聯(lián)合投資。中瑞宏芯表示,本輪融資將繼續(xù)用于碳化硅器件的技術(shù)研發(fā)創(chuàng)新、生產(chǎn)運(yùn)營(yíng)及市場(chǎng)拓展,全面提升公司在SiC功率半導(dǎo)體行業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力。(化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)Zac整理)
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