Micro LED是指以微米量級LED為發(fā)光像素單元，將其與驅(qū)動(dòng)模塊組裝形成高密度顯示陣列的技術(shù)。與當(dāng)前主流的LCD、OLED等顯示技術(shù)相比，Micro LED在亮度、分辨率、能耗、使用壽命、響應(yīng)速度和熱穩(wěn)定性等方面具有跨代優(yōu)勢，是國際公認(rèn)的未來顯示技術(shù)。
然而，Micro LED的產(chǎn)業(yè)化目前仍面臨諸多挑戰(zhàn)。首先，小尺寸下高密度顯示單元的驅(qū)動(dòng)需求難以匹配。其次，產(chǎn)業(yè)界流行的巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)在成本和良率上難以滿足高分辨率顯示的發(fā)展需求。特別對于AR/VR等超高分辨應(yīng)用，不僅要求分辨率超過3000PPI，而且還需要顯示像元有更快的響應(yīng)頻率。
廈門市未來顯示技術(shù)研究院張榮教授與南京大學(xué)、東南大學(xué)、天馬微電子股份有限公司等單位合作提出了基于MoS?薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)電路、單片集成的超高分辨Micro LED顯示技術(shù)方案。
團(tuán)隊(duì)開發(fā)出非“巨量轉(zhuǎn)移”的低溫單片異質(zhì)集成技術(shù)，采用近乎無損傷的大尺寸二維半導(dǎo)體TFT制造工藝，實(shí)現(xiàn)了32×32陣列1270 PPI的高亮度、高分辨率微顯示器，可以滿足未來微顯示、車載顯示、可見光通訊等跨領(lǐng)域應(yīng)用。
其中，相較于傳統(tǒng)二維半導(dǎo)體器件工藝，團(tuán)隊(duì)研發(fā)的新型工藝將薄膜晶體管性能提升超過200%，差異度降低67%，最大驅(qū)動(dòng)電流超過200μA/μm，優(yōu)于IGZO、LTPS等商用材料，展示出二維半導(dǎo)體材料在顯示驅(qū)動(dòng)產(chǎn)業(yè)方面的巨大應(yīng)用潛力。
原子級薄晶體管矩陣驅(qū)動(dòng)的三維單片微型LED顯示器
該研究成果撰文《Three-dimensional monolithic micro-LED display driven by atomically thin transistor matrix》并于2021年9月9日發(fā)表在Nature Nanotechnology上（通訊作者為王欣然教授、劉斌教授、施毅教授和張榮教授）。
這是在國際上首次將高性能二維半導(dǎo)體TFT與Micro LED兩個(gè)新興技術(shù)融合，為未來Micro LED顯示技術(shù)發(fā)展提供了全新技術(shù)路線。（來源：嘉庚創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室）
更多LED相關(guān)資訊，請點(diǎn)擊LED網(wǎng)或關(guān)注微信公眾賬號（cnledw2013）?。