全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢(xún)針對(duì)2022年科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展，整理十大科技趨勢(shì)，精彩內(nèi)容請(qǐng)見(jiàn)下方：
主動(dòng)式驅(qū)動(dòng)方案將成為Micro/MiniLED顯示器發(fā)展趨勢(shì)
2022年Micro LED技術(shù)雖然存在許多瓶頸，以至于整體成本居高不下，但參與Micro LED上中下游廠(chǎng)商依舊熱度不減，積極建立Micro LED生產(chǎn)線(xiàn)，在Micro LED自發(fā)光顯示應(yīng)用產(chǎn)品方面，電視產(chǎn)品是目前Micro LED顯示技術(shù)主要開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品之一，最主要的原因是電視相較于IT產(chǎn)品其規(guī)格門(mén)檻較低，有利于Micro LED技術(shù)的發(fā)展，因此，三星推出110英寸商業(yè)型Micro LED被動(dòng)式驅(qū)動(dòng)方案的顯示器后，預(yù)估將持續(xù)發(fā)展88英寸以下家庭用主動(dòng)式驅(qū)動(dòng)方案的電視，亦即由大型顯示商業(yè)應(yīng)用延伸至家庭場(chǎng)景的應(yīng)用，進(jìn)而擴(kuò)展Micro LED整體應(yīng)用的市場(chǎng)。
MiniLED背光顯示應(yīng)用產(chǎn)品方面，品牌廠(chǎng)商為了增加顯示器新亮點(diǎn)，追求百萬(wàn)等級(jí)的高對(duì)比度，以對(duì)比OLED的顯示效果，欲提高M(jìn)iniLED背光燈板上的使用顆數(shù)，因此，MiniLED的使用顆數(shù)與傳統(tǒng)背光LED使用量相比將有10倍以上的成長(zhǎng)，而在MiniLED SMT打件到背板上的設(shè)備精度及產(chǎn)能相對(duì)也需要提升，現(xiàn)下MiniLED背光源以被動(dòng)式驅(qū)動(dòng)方案為主，未來(lái)將朝向主動(dòng)式驅(qū)動(dòng)方案發(fā)展，MiniLED使用量將大幅成長(zhǎng)，故SMT打件設(shè)備的性能及產(chǎn)能，將成為品牌廠(chǎng)商評(píng)斷供應(yīng)鏈的關(guān)鍵因素之一。
AMOLED技術(shù)工藝再精進(jìn)與屏下鏡頭革新，再掀手機(jī)新風(fēng)貌
AMOLED在供應(yīng)增加，以及產(chǎn)能逐漸擴(kuò)增下，技術(shù)逐漸成熟。為保持領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，一線(xiàn)廠(chǎng)商仍試圖增加更多功能與規(guī)格，以提升AMOLED面板的附加價(jià)值。首要可以看到持續(xù)進(jìn)化的折疊設(shè)計(jì)，在輕薄與省電效益上更加優(yōu)化; 除了過(guò)去看到的左右折疊設(shè)計(jì)外，上下折疊類(lèi)似Clamshell設(shè)計(jì)的方式，讓產(chǎn)品形態(tài)更貼近現(xiàn)行的手機(jī)設(shè)計(jì)，此外, 定價(jià)也貼近主流旗艦手機(jī)的價(jià)格區(qū)間，可望帶動(dòng)銷(xiāo)售成長(zhǎng)。其他折疊形態(tài)的嘗試，包括多折式與卷軸式, 在不遠(yuǎn)的將來(lái)也可望獲得實(shí)現(xiàn)，TrendForce集邦咨詢(xún)預(yù)期，折疊手機(jī)滲透率在2022年將突破1%，2024年挑戰(zhàn)4%。此外，LTPO背板的搭載，將改善在5G傳輸以及高刷新率規(guī)格而衍生的耗電問(wèn)題，預(yù)期將逐步成為旗艦機(jī)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。而經(jīng)過(guò)了兩年的開(kāi)發(fā)與調(diào)整后，屏下鏡頭模組終于有機(jī)會(huì)在眾品牌的旗艦手機(jī)上陸續(xù)亮相，可望實(shí)現(xiàn)真正的全屏幕手機(jī)。
晶圓代工制程迎來(lái)革新，臺(tái)積電、三星3納米分別采用FinFET及GAA技術(shù)
在半導(dǎo)體制程逐漸逼近物理極限的限制下，芯片發(fā)展須通過(guò)“晶體管架構(gòu)的改變”，以及“后段封裝技術(shù)或材料突破”等方式，以持續(xù)達(dá)成提高效能、降低功耗及縮小芯片尺寸的目的。在2018年自7納米制程首度導(dǎo)入EUV微影技術(shù)后，2022年晶圓代工制程技術(shù)迎來(lái)另一大革新，亦即臺(tái)積電（TSMC）及三星（Samsung）計(jì)劃于2022下半年發(fā)表的3納米制程節(jié)點(diǎn)。前者在3納米制程選擇延續(xù)自1X納米以來(lái)所采用的鰭式場(chǎng)效晶體管架構(gòu)（FinFET），三星則首先導(dǎo)入基于環(huán)繞閘極技術(shù)（GAA）的MBCFET架構(gòu)（Multi-Bridge Channel Field-Effect Transistor）。
相較FinFET的三面式包覆，GAA為四面環(huán)繞閘極，源極（Source）及汲極（Drain）通道由鰭式立體版狀結(jié)構(gòu)改用納米線(xiàn)（Nanowire）或納米片（Nanosheet）取代，借以增加閘極（Gate）與通道的接觸面積，加強(qiáng)閘極對(duì)通道的控制能力，有效減少漏電的現(xiàn)象。從應(yīng)用別來(lái)看，預(yù)計(jì)于2022下半年量產(chǎn)的3納米制程首批產(chǎn)品仍主要集中在對(duì)提高效能、降低功耗、縮小芯片面積等有較高要求的高效能運(yùn)算和智能手機(jī)平臺(tái)。
DDR5產(chǎn)品將逐漸進(jìn)入量產(chǎn)，NAND Flash堆棧技術(shù)將超越200層
在DRAM方面，三星（Samsung）、SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron）將逐漸量產(chǎn)次世代DDR5產(chǎn)品，同時(shí)藉著5G手機(jī)需求的刺激，持續(xù)提升LPDDR5市占。DDR5規(guī)格將速度拉至4800Mbps以上，高速度、低功耗的特性可大幅優(yōu)化運(yùn)算質(zhì)量，隨著英特爾（Intel）新CPU平臺(tái)的量產(chǎn)開(kāi)展，時(shí)序上將先在PC平臺(tái)發(fā)表Alder Lake，再發(fā)表服務(wù)器的Eagle Stream，預(yù)估2022年底將達(dá)到總位元產(chǎn)出10~15%。制程上，兩大韓系供應(yīng)商陸續(xù)量產(chǎn)使用EUV技術(shù)的1 alpha 納米制程產(chǎn)品，市場(chǎng)能見(jiàn)度將在2022年逐季提升。
NAND Flash堆棧層數(shù)尚未面臨瓶頸；繼2021年176層產(chǎn)品量產(chǎn)，2022年將邁向200層以上技術(shù)，而單晶片容量仍維持512Gb/1Tb。在儲(chǔ)存界面上，2022年P(guān)CIe Gen4滲透率在PC消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)將出現(xiàn)大幅成長(zhǎng)；而在服務(wù)器市場(chǎng)隨著Intel Eagle Stream的量產(chǎn)，enterprise SSD將進(jìn)一步升級(jí)支援PCIe Gen 5傳輸，較前一代Gen4傳輸速率增倍至32GT/s，主流容量也擴(kuò)增以4/8TB為主，以滿(mǎn)足服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心高速運(yùn)算需求，也有助于單機(jī)搭載容量在該領(lǐng)域的快速提升。
以服務(wù)器市場(chǎng)來(lái)看，數(shù)據(jù)中心彈性的價(jià)格策略與服務(wù)的多元性，直接驅(qū)動(dòng)近兩年企業(yè)對(duì)于云端應(yīng)用需求；若以服務(wù)器供應(yīng)鏈角度分析，這些轉(zhuǎn)變已促使供應(yīng)鏈模式由ODM Direct代工逐漸取代傳統(tǒng)服務(wù)器品牌廠(chǎng)的商業(yè)模式，而既有品牌廠(chǎng)業(yè)務(wù)模式將面臨結(jié)構(gòu)性的轉(zhuǎn)換，如提供租賃業(yè)務(wù)與一站式方案的上云輔助等等。此轉(zhuǎn)變更意味著，企業(yè)客戶(hù)仰賴(lài)更為彈性多元的計(jì)價(jià)方式，與面對(duì)大環(huán)境不確定性的避險(xiǎn)作為。尤其，2020年因疫情更加速了工作方式的轉(zhuǎn)變，與生活型態(tài)大幅改變，預(yù)期至2022年超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心對(duì)于服務(wù)器的需求占比大約50%；而ODM Direct代工模式將讓出貨比重成長(zhǎng)逾10%。
2022年5G擴(kuò)大SA網(wǎng)絡(luò)切片和低延遲應(yīng)用比例，將進(jìn)行廣泛試驗(yàn)
全球電信運(yùn)營(yíng)商積極推出5G獨(dú)立組網(wǎng)(SA)架構(gòu)作為支援各式服務(wù)所需之核心網(wǎng)絡(luò)，加快推進(jìn)主要城市基站建置，以網(wǎng)絡(luò)切片、邊緣運(yùn)算為基礎(chǔ)，使網(wǎng)絡(luò)服務(wù)多元化，提供端到端質(zhì)量保障。2022年企業(yè)需求將推動(dòng)5G結(jié)合大規(guī)模物聯(lián)網(wǎng)（Massive IoT）和關(guān)鍵物聯(lián)網(wǎng)（Critical IoT）應(yīng)用，包括更多網(wǎng)絡(luò)端點(diǎn)連接數(shù)據(jù)傳輸，如智能工廠(chǎng)燈光開(kāi)關(guān)、傳感器與溫度讀數(shù)等。關(guān)鍵物聯(lián)網(wǎng)則涵蓋智能電網(wǎng)自動(dòng)化、遠(yuǎn)端醫(yī)療、交通安全與工業(yè)控制等，另結(jié)合工業(yè)4.0案例，提供資產(chǎn)追蹤、預(yù)測(cè)性維護(hù)、現(xiàn)場(chǎng)服務(wù)管理和優(yōu)化物流處理。
疫情迫使企業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型、個(gè)人生活型態(tài)改變，再次凸顯5G部署重要性，2022年運(yùn)營(yíng)商將通過(guò)網(wǎng)絡(luò)切片功能進(jìn)行競(jìng)爭(zhēng)，由于5G專(zhuān)網(wǎng)、openRAN、未授權(quán)頻譜、毫米波等發(fā)展，因而出現(xiàn)多方生態(tài)系統(tǒng)，除傳統(tǒng)運(yùn)營(yíng)商外，更有來(lái)自O(shè)TT、云、社群媒體、電商業(yè)者參與，成為新興服務(wù)提供商。未來(lái)運(yùn)營(yíng)商將積極建立5G企業(yè)應(yīng)用，如O2參與5G-ENCODE項(xiàng)目，探索工業(yè)環(huán)境中專(zhuān)用5G網(wǎng)絡(luò)之新業(yè)務(wù)模型，及Vodafone和Midlands Future Mobility聯(lián)盟合作測(cè)試自駕車(chē)聯(lián)網(wǎng)。
低軌衛(wèi)星成全球衛(wèi)星運(yùn)營(yíng)商新戰(zhàn)場(chǎng)，3GPP亦首度納入非地面波通訊
第三代合作伙伴計(jì)劃（3GPP）首度發(fā)布，將于2022年Release 17凍結(jié)版本，首度納入非地面波（NTN；Non-terrestrial Network）通訊，作為3GPP標(biāo)準(zhǔn)一部分，對(duì)于移動(dòng)通訊產(chǎn)業(yè)與衛(wèi)星通訊產(chǎn)業(yè)，皆為非常重要里程碑。此前，移動(dòng)通訊與衛(wèi)星通訊系為兩個(gè)獨(dú)立發(fā)展產(chǎn)業(yè)，故同時(shí)跨足兩個(gè)產(chǎn)業(yè)之上中下游廠(chǎng)商皆相異，然在3GPP納入NTN后，兩者產(chǎn)業(yè)鏈不僅有更多互動(dòng)合作機(jī)會(huì)，且有望打造全新產(chǎn)業(yè)格局。于低軌衛(wèi)星積極部署之際，尤以美國(guó)SpaceX申請(qǐng)發(fā)射數(shù)量為最大宗，其他主要衛(wèi)星運(yùn)營(yíng)商包含美國(guó)Amazon、英國(guó)OneWeb、加拿大Telesat等，全球衛(wèi)星發(fā)射數(shù)量以美國(guó)營(yíng)運(yùn)商持有數(shù)最高占全球逾50%；低軌衛(wèi)星通訊強(qiáng)調(diào)訊號(hào)覆蓋不受地形限制，如山區(qū)、海上、沙漠等，且可與移動(dòng)通訊5G作互補(bǔ)，此亦為3GPP Rel-17制定NTN規(guī)劃之應(yīng)用方向，預(yù)期2022年全球衛(wèi)星市場(chǎng)產(chǎn)值將有望受惠提升。
從數(shù)字孿生打造元宇宙，智能工廠(chǎng)將為首發(fā)場(chǎng)域
疫后新常態(tài)持續(xù)推升非接觸與數(shù)字化轉(zhuǎn)型需求，使物聯(lián)網(wǎng)在2022年聚焦強(qiáng)化虛實(shí)整合系統(tǒng)（Cyber-Physical System,；CPS），通過(guò)結(jié)合5G、邊緣運(yùn)算、AI等工具，從海量數(shù)據(jù)萃取有價(jià)資料加以分析，以達(dá)智動(dòng)自主預(yù)測(cè)之效?，F(xiàn)階段CPS實(shí)例中，數(shù)字孿生（Digital Twin）被用于智能制造、智能城市等關(guān)鍵垂直領(lǐng)域，前者可模擬設(shè)計(jì)測(cè)試與生產(chǎn)流程，后者多監(jiān)控重點(diǎn)資產(chǎn)及決策輔助。在現(xiàn)實(shí)環(huán)境越趨復(fù)雜、更多場(chǎng)域與設(shè)備交互影響須考量的趨勢(shì)下，將促使數(shù)字孿生擴(kuò)大部署范圍，若再輔以3D感測(cè)、VR/AR等遠(yuǎn)端作業(yè)，物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)來(lái)年有望以打造全面性的虛擬空間-元宇宙（Metaverse）為發(fā)展架構(gòu)，以期更智能、完整、實(shí)時(shí)且安全的鏡射物理世界，并以智能工廠(chǎng)為首發(fā)場(chǎng)域；此亦將帶動(dòng)感測(cè)層視覺(jué)、聲學(xué)、環(huán)境等信息搜集、平臺(tái)層AI精準(zhǔn)分析算力、以及確保數(shù)據(jù)可信的區(qū)塊鏈等技術(shù)革新。
導(dǎo)入AI運(yùn)算及增加傳感器數(shù)量，AR/VR力拼全面沉浸式體驗(yàn)
疫情下，改變了人們生活與工作情境，加速企業(yè)投入數(shù)字化轉(zhuǎn)型的意愿，并嘗試導(dǎo)入新科技，因而虛擬會(huì)議、AR遠(yuǎn)端協(xié)作、模擬設(shè)計(jì)等新形態(tài)AR/VR應(yīng)用的采用率也隨著提高；另一方面除了游戲應(yīng)用外，虛擬社群帶來(lái)的各種遠(yuǎn)端互動(dòng)功能也將成為廠(chǎng)商發(fā)展AR/VR市場(chǎng)的重要應(yīng)用。因此在硬件采取低價(jià)策略、以及應(yīng)用情境接受度提高的情況下，2022年AR/VR市場(chǎng)會(huì)出現(xiàn)明顯的擴(kuò)張，并促使市場(chǎng)追求更加真實(shí)化的AR/VR效果。例如，通過(guò)軟件工具打造影像更擬真的應(yīng)用服務(wù)，引入AI運(yùn)算進(jìn)行輔助，或是搭載更多種類(lèi)的傳感器，以提供更多真實(shí)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化為虛擬反應(yīng)，例如眼球追蹤功能就成為Oculus、Sony等廠(chǎng)商在未來(lái)消費(fèi)產(chǎn)品上的搭載選項(xiàng)。此外，甚至可以在控制器或穿戴裝置等硬件上提供部分觸覺(jué)反饋效果，以提高使用者的沉浸感。
自動(dòng)駕駛解決痛點(diǎn)，自動(dòng)泊車(chē)（AVP）將成熱門(mén)發(fā)展功能
自動(dòng)駕駛技術(shù)將以貼近生活面的方式實(shí)現(xiàn)，預(yù)期符合SAE Leve4的無(wú)人自動(dòng)泊車(chē)(AVP)功能，將在2022年開(kāi)始成為高端車(chē)款上配載自動(dòng)駕駛功能的重要選項(xiàng)，而相關(guān)的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)也在制定中，對(duì)此功能的發(fā)展有正面助益。但該功能會(huì)因車(chē)輛搭載配備而異，產(chǎn)生固定/非固定路線(xiàn)、私人/公開(kāi)停車(chē)格等場(chǎng)景限制，停車(chē)場(chǎng)的條件也會(huì)影響AVP的可用性，包括標(biāo)示完整性和聯(lián)網(wǎng)環(huán)境等，執(zhí)行該功能時(shí)人與車(chē)的距離則與當(dāng)?shù)胤ㄒ?guī)有關(guān)。由于各車(chē)廠(chǎng)的技術(shù)路線(xiàn)皆不相同，運(yùn)算部分可分為由車(chē)端進(jìn)行運(yùn)算以及由云端運(yùn)算生成泊車(chē)路線(xiàn)，然云端運(yùn)算需要有良好的聯(lián)網(wǎng)環(huán)境方能執(zhí)行，故使用上來(lái)說(shuō)車(chē)端運(yùn)算會(huì)覆蓋更多使用場(chǎng)景，或也會(huì)有兩者兼具的方案。其他如V2X和高精地圖的搭配應(yīng)用也會(huì)影響自動(dòng)泊車(chē)的應(yīng)用范圍，預(yù)期仍有多種AVP解決方案同時(shí)進(jìn)行中。
除了持續(xù)擴(kuò)充產(chǎn)能，第三代半導(dǎo)體朝8英寸晶圓及新封裝技術(shù)發(fā)展
在各國(guó)將逐步于2025至2050年全面禁售燃油車(chē)的趨勢(shì)下，將加速全球電動(dòng)車(chē)銷(xiāo)售與拉抬SiC及GaN元件及模組市占，此外，能源轉(zhuǎn)換需求及5G通訊等終端應(yīng)用快速增長(zhǎng)，驅(qū)使第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)熱度不減，進(jìn)而帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體所需SiC及Si基板（Substrate）銷(xiāo)量暢旺。然由于現(xiàn)行基板于生產(chǎn)及研發(fā)上相對(duì)受限，迫使目前可穩(wěn)定供貨的SiC及GaN晶圓仍侷限于6英寸大小，使得Foundry及IDM廠(chǎng)產(chǎn)能長(zhǎng)期處于供不應(yīng)求態(tài)勢(shì)。
對(duì)此，基板供應(yīng)商如Cree、II-VI及Qromis等計(jì)劃將于2022年擴(kuò)增產(chǎn)能并提升SiC及GaN晶圓面積至8英寸，期望逐漸緩解第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)缺口。另一方面，F(xiàn)oundry廠(chǎng)如臺(tái)積電與世界先進(jìn)（VIS）試圖切入GaN on Si 8英寸晶圓制造，以及IDM大廠(chǎng)如英飛凌（Infineon）將發(fā)表新一代Infineon Trench SiC元件節(jié)能架構(gòu)，而通訊業(yè)者Qorvo也針對(duì)國(guó)防領(lǐng)域提出全新GaN MMIC銅覆晶（Copper Filp Chip）封裝結(jié)構(gòu)。（來(lái)源：集邦咨詢(xún)）
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