source：國星光電

該模塊采用風華芯電自主研發(fā)的扇出面板級封裝形式，其通過銅球鍵合工藝實現(xiàn)氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）和硅（Si MOS）芯片的凸點結(jié)構(gòu)，借助再布線層（RDL）的鍍銅工藝實現(xiàn)互連，達到4個功率管有效互連效果，并形成半橋拓撲結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)的高密度集成，減少產(chǎn)品體積，提升性能。

為了驗證模塊的性能，風華芯電將基于扇出面板級封裝的氮化鎵半橋模塊應(yīng)用于100W開關(guān)電源中，該開關(guān)電源整體尺寸為60×50×27mm，體積有效減少，且電源峰值效率可達到95%。此外，該模塊與常規(guī)分立封裝產(chǎn)品對比，開通速度提升17.59%，開通損耗下降10.7%。

據(jù)悉，半導(dǎo)體封裝技術(shù)可分為基板型封裝和晶圓級封裝，基板型封裝里面產(chǎn)品有IC、MOS、功率器件等封裝類型，國星光電子公司風華芯電業(yè)務(wù)涉及基板型封裝的功率器件，已具備第三代半導(dǎo)體功率器件的封裝量產(chǎn)能力。

在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，國星光電已完成氮化鎵基功率器件外延片的產(chǎn)品開發(fā)；正在發(fā)力第三代半導(dǎo)體封測技術(shù)，推出了低雜感碳化硅封裝系列產(chǎn)品、集成化GaN-IC產(chǎn)品，其中SiC-SBD產(chǎn)品已獲AEC-Q101車規(guī)級認證，碳化硅器件T0-247—2L通過了工藝驗證，具備量產(chǎn)能力。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新《2024全球GaN Power Device市場分析報告》顯示，2023年全球GaN功率元件市場規(guī)模約2.71億美元（約19.45億人民幣），至2030年有望上升至43.76億美元（約314.13億人民幣），CAGR（復(fù)合年增長率）高達49%。其中非消費類應(yīng)用比例預(yù)計會從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車、數(shù)據(jù)中心和電機驅(qū)動等場景為核心。（來源：國星光電，集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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據(jù)悉，SiC和GaN等第三代半導(dǎo)體憑借高頻率、高溫穩(wěn)定性和低損耗特性，在新能源汽車、光儲充、工業(yè)電源等高壓高功率應(yīng)用領(lǐng)域不斷開拓，發(fā)展前景光明。在此背景下，國星光電早在2019年就成立了第三代半導(dǎo)體小組，目前已經(jīng)整合了總部研究院、風華芯電（國星光電控股子公司）及國星半導(dǎo)體的第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)團隊，未來將在第三代半導(dǎo)體外延、功率芯片封裝及器件領(lǐng)域持續(xù)發(fā)力。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

目前，在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，國星光電已完成GaN基功率器件外延片的產(chǎn)品開發(fā)，正在全面發(fā)力第三代半導(dǎo)體封測技術(shù)，推出了低雜感SiC封裝系列產(chǎn)品、集成化GaN-IC產(chǎn)品，其中SiC SBD產(chǎn)品已獲AEC-Q101車規(guī)級認證。

產(chǎn)品方面，具體來看，國星光電SiC產(chǎn)品包括SiC SBD系列，SiC MOS系列，NSiC功率模塊NS34m、NS62m、NSEAS，應(yīng)用場景包括光伏逆變、工業(yè)電源、充電樁、軌道交通及智能電網(wǎng)、UPS不間斷電源等工業(yè)領(lǐng)域；其GaN產(chǎn)品包括NSGaN系列、E-mode系列、Cascode系列等，適用于LED驅(qū)動電源、適配器、插座充電面板等消費類領(lǐng)域。

近一年內(nèi)，國星光電GaN業(yè)務(wù)布局成果持續(xù)產(chǎn)出。2023年9月，國星光電聯(lián)合佛山照明智達電工科技有限公司開發(fā)的基于第三代半導(dǎo)體GaN應(yīng)用墻插快充產(chǎn)品正式面世。據(jù)介紹，該產(chǎn)品采用了國星光電33W GaN技術(shù)，該技術(shù)主要依托DFN5*6 NSGaN 器件搭建的GaN墻插電源，進一步提升了產(chǎn)品的充電效率及安全性能。

今年2月，國星光電公布一項名為“一種氮化鎵器件驅(qū)動芯片及驅(qū)動方法“的專利。該專利提供的GaN器件驅(qū)動芯片，可同時兼容Cascode結(jié)構(gòu)的GaN器件和E-mode型的GaN器件，無需針對Cascode結(jié)構(gòu)的GaN器件和E-mode型的GaN器件分別設(shè)計驅(qū)動芯片，降低了成本。

而在5月28日，國星光電在互動平臺表示，風華芯電生產(chǎn)的GaN器件產(chǎn)品，目前已量產(chǎn)接單供客戶使用，意味著國星光電GaN產(chǎn)品系列有望進一步擴充。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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據(jù)介紹，國星光電與佛照電工聯(lián)合推出的86面板墻插產(chǎn)品，采用了國星光電33W氮化鎵技術(shù)，該技術(shù)主要依托DFN5*6 NSGaN 器件搭建的氮化鎵墻插電源，進一步提升了產(chǎn)品的充電效率及安全性能。

此款86面板墻插產(chǎn)品在滿足新國標CCC認證要求的同時，集成了電力“五孔”插座及1個氮化鎵墻插電源，其中氮化鎵墻插電源包含了1個type-A和1個type-C的快充接口，可滿足各種設(shè)備充電需求。

值得一提的是，氮化鎵墻插電源是此款86面板墻插產(chǎn)品的重要亮點，其不僅豐富了墻插的功能，同時還為用戶帶來安全穩(wěn)定的高效充電體驗，“電量滿格”無須久等。國星光電在氮化鎵墻插電源設(shè)計中進行優(yōu)化升級：

一是高效率長壽命，與傳統(tǒng)硅基墻插電源相比，氮化鎵墻插電源應(yīng)用了新一代的IC控制驅(qū)動器與NSGaN器件，使得電路設(shè)計更為精簡，并具有發(fā)熱量小、效率高、壽命長等特點。

二是大功率小體積，采用國星光電第三代NSGaN器件技術(shù)，相同的產(chǎn)品體積下，氮化鎵墻插電源功率密度提升了40%，輸入電壓范圍為180~264V，最大功率達到33W，真正做到體積小巧，功率充足。

三是輸出協(xié)議豐富，支持 PD、QC、FCP等快充協(xié)議，配備過溫、過載、短路保護功能，可以滿足各種不同的充電設(shè)備，給予用戶更快捷便利的使用體驗。

國星光電表示，聚焦墻插電源領(lǐng)域的應(yīng)用場景痛點，國星光電86面板氮化鎵65W快充電源也即將面世，同時，公司也在加緊布局86面板墻插在智能控制領(lǐng)域的應(yīng)用。、

在LED驅(qū)動電源領(lǐng)域，國星光電還開發(fā)出60W與120W櫥柜燈系列的LED驅(qū)動電源產(chǎn)品、180W LED磁吸燈驅(qū)動電源產(chǎn)品。與傳統(tǒng)硅基方案相比，基于氮化鎵電源方案的LED驅(qū)動電源產(chǎn)品，功率密度提升>40%，體積減小>30%，總體成本更低，產(chǎn)品設(shè)計更靈活。

下一步，國星光電將持續(xù)豐富第三代半導(dǎo)體在LED下游的應(yīng)用，加強創(chuàng)新研發(fā)，推進技術(shù)攻關(guān)，完善產(chǎn)品布局，為電源驅(qū)動行業(yè)提供氮化鎵關(guān)鍵元器件及應(yīng)用技術(shù)解決方案。（來源：國星光電）

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圖片來源：國星光電

據(jù)悉，今年5月18日，國星光電與華為舉行全面合作協(xié)議簽約儀式，雙方擬共建聯(lián)合創(chuàng)新中心，就Mini/Micro LED、功率器件等光電半導(dǎo)體及功率半導(dǎo)體領(lǐng)域多個利基細分領(lǐng)域展開全方位、深度的合作。

具體來看，雙方主要是在Mini＆Micro LED、車載HUD、智能健康照明、光耦及功率器件、非視覺光源等方面開展技術(shù)創(chuàng)新，拓展未來業(yè)務(wù)覆蓋面，在現(xiàn)有的信號指示、智能終端兩大領(lǐng)域持續(xù)深化業(yè)務(wù)合作。

雙方此次合作主要基于國星光電在LED顯示、背光等領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢，結(jié)合華為在AI、5G等信息化技術(shù)能力，聯(lián)合國內(nèi)外先進的產(chǎn)學研團隊，共同推動聯(lián)合創(chuàng)新中心落地并掛牌。

國星光電當時表示，公司與華為將充分發(fā)揮各自優(yōu)勢，圍繞相關(guān)領(lǐng)域領(lǐng)先技術(shù)，在聯(lián)合創(chuàng)新中心共建、供應(yīng)鏈深度合作等方面，逐步落實合作措施、提高合作效益和水平，推動協(xié)同發(fā)展，實現(xiàn)互利共贏。（LEDinside整理）

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4月27日，國星光電發(fā)布公告稱，公司于近日收到國家知識產(chǎn)權(quán)局頒發(fā)的9項發(fā)明專利證書，包括6項涉及Mini/Micro LED技術(shù)領(lǐng)域?qū)＠?項涉及第三代半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域?qū)＠?/p>

涉及Mini/Micro LED技術(shù)領(lǐng)域的6項專利中，“一種量子點發(fā)光器件及其制造方法”的發(fā)明專利，是國星光電繼成功開發(fā)出高一致性像素化量子點色轉(zhuǎn)換彩膜制備技術(shù)、攜手華南理工大學成功研制行業(yè)最高發(fā)光效率的量子點LED器件2項技術(shù)突破后，在Mini/Micro LED領(lǐng)域量子點技術(shù)攻關(guān)中取得的又一科研成果。

國星光電表示，本次取得的6項專利的相關(guān)技術(shù)方案，可以提高超高清顯示產(chǎn)品的集成度，優(yōu)化及簡化線路結(jié)構(gòu)設(shè)計，提升制程及封裝良率，形成成熟的封裝技術(shù)路線，確保顯示效果的一致性，提升用戶的觀看體驗。

涉及第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的3項發(fā)明專利，可提升產(chǎn)品散熱效率，延長器件的使用壽命，更好地保障器件穩(wěn)定性，同時兼具良好的絕緣性能及抗壓能力，產(chǎn)品可根據(jù)實際需求進行多樣化設(shè)計，靈活性非常強。

國星光電稱，公司積極拓寬第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)新賽道，致力于打造高可靠性、高品質(zhì)的功率器件封測業(yè)務(wù)，目前在上游芯片領(lǐng)域布局有硅基氮化鎵的外延芯片技術(shù)儲備，中游封裝領(lǐng)域已建成第三代半導(dǎo)體功率器件實驗室及試產(chǎn)線。

國星光電表示，本次獲取的專利體現(xiàn)了公司正持續(xù)推進第三代半導(dǎo)體的研究開發(fā)和技術(shù)成果轉(zhuǎn)化，為公司打造具備高可靠性、高品質(zhì)優(yōu)勢的“第三代半導(dǎo)體功率器件封測企業(yè)”奠定堅實技術(shù)基礎(chǔ)。

上述專利的取得彰顯了國星光電在相關(guān)領(lǐng)域核心技術(shù)方面取得重要進展，相關(guān)專利的獲得雖不會對公司近期生產(chǎn)經(jīng)營產(chǎn)生重大影響，但對公司的工藝改進、產(chǎn)品創(chuàng)新、市場及品牌影響力提升等方面有積極的影響，有助于增強公司的核心競爭力。（LEDinside整理）

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國星光電

國星光電預(yù)計2021年歸屬于上市公司股東的凈利潤為19,218.17萬元 – 21,241.14萬元，同比2020年增長90% ~110%。

國星光電指出，業(yè)績增長原因主要是得益于國家疫情管控得當，LED行業(yè)景氣度探底回暖，公司產(chǎn)品訂單量較去年同期取得明顯增長。另外，公司強化內(nèi)部管理，積極開展降增效工作，圍繞生產(chǎn)經(jīng)營目標與重點工作計劃，公司調(diào)整產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，增加高附加值產(chǎn)品，穩(wěn)步推進擴產(chǎn)擴能計劃。

瑞豐光電

瑞豐光電預(yù)計2021年歸屬于上市公司股東的凈利潤為9,000萬元 – 11,500萬元，同比2020年增長87% ~139%。

對于業(yè)績增長，瑞豐光電表示，2021年公司營業(yè)收入持續(xù)增長，毛利總額也較去年同期有所增長；與此同時 ，公司持續(xù)加大MiniLED研發(fā)的投入，積極拓展銷售，導(dǎo)致相關(guān)費用也有所增加。

奧拓電子

奧拓電子業(yè)績預(yù)告顯示，2021年歸屬于上市公司股東的凈利潤為3,000萬元-3,600萬元，同比2020年扭虧為盈。

奧拓電子指出，2021年公司業(yè)績實現(xiàn)扭虧為盈，主要原因是公司營業(yè)收入同比增加，計提的減值損失減少。

奧拓電子表示，報告期內(nèi)，公司繼續(xù)堅持”智能+”戰(zhàn)略，打造和提升包含軟件、硬件、數(shù)字創(chuàng)意內(nèi)容的一站式解決方案能力。海外市場在逐步恢復(fù)的同時，奧拓也在進一步加大國內(nèi)市場的開拓力度。而在XR影視拍攝、大交通、金融及通信、教育及政企等細分市場領(lǐng)域訂單需求持續(xù)增加，實現(xiàn)總收入同比增長。

浩洋股份

浩洋股份 2021 年實現(xiàn)營業(yè)收入約為 56,000萬元- 68,000萬元，較上年同期上升40.11%-70.13%；預(yù)計2021年歸屬于上市公司股東的凈利潤為11,000萬元 – 14,000萬元，同比上升24.82% ~58.86%。

浩洋股份指出，公司產(chǎn)品主要向海外銷售，近年海外業(yè)務(wù)占比在75%以上，并以歐美市場為主。隨著2021 年隨著各國新冠疫情防控的常態(tài)化，部分歐美國家對演藝活動與大型聚集活動限制政策的逐步放松，公司海外銷售收入增長較快。

時空科技

時空科技業(yè)績預(yù)告透露，2021年歸屬于上市公司股東的凈利潤預(yù)計為-2,200 萬元到-1,800萬元。

時空科技表示，2021年業(yè)績預(yù)虧主要有五方面原因：

1. 國內(nèi)疫情反復(fù)，旅游業(yè)受到較大沖擊，夜游經(jīng)濟相關(guān)的景觀照明工程投資需求及規(guī)?？s減，導(dǎo)致收入規(guī)模同比下降。

2. 因各地落實國家碳達峰、碳中和工作目標，陸續(xù)出臺對高能耗相關(guān)業(yè)務(wù)的調(diào)整政策，公司主業(yè)務(wù)景觀照明受到到較大的影響，造成收入同比下降。

3. 城市照明從業(yè)企業(yè)快速增加，行業(yè)競爭加劇。原材料成本上升，項目毛利率下降。

4. 公司主要客戶為政府部門、國有企事業(yè)單位及相關(guān)基礎(chǔ)設(shè)施投資建設(shè)主體等，項目資金來源主要為財政資金。受政府結(jié)算審批流程，資金支付安排等原因，部分項目回款及結(jié)算滯后，導(dǎo)致實際回款結(jié)算周期相對較長。

5. 公司加大市場營銷、新業(yè)務(wù)拓展等方面的投入力度，受此影響，報告期內(nèi)人工薪酬等費用支出有所增加。（LEDinside Irving整理）

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業(yè)績預(yù)告顯示，國星光電預(yù)計前三季實現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤1.70-1.86億元，相比去年同期的7,735.83萬元，增長120%-140%。其中，第三季預(yù)計實現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤7,858.09–9,405.25 萬元，相比去年同期的1,454.11萬元大幅增長440% -547%。

前三季業(yè)績預(yù)告

第三季業(yè)績預(yù)告

對于前三季業(yè)績顯著增長，國星光電表示主要受兩大影響因素。一方面，報告期內(nèi)，國內(nèi)疫情防控穩(wěn)定，市場需求持續(xù)回暖，公司產(chǎn)品訂單量較去年同期取得明顯增長；另一方面，公司圍繞生產(chǎn)經(jīng)營目標與重點工作計劃，調(diào)整產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，增加高附加值產(chǎn)品，并有序推進擴產(chǎn)項目，提升了公司規(guī)模和技術(shù)能力。

此外，報告期內(nèi)，國星光電非經(jīng)常性損益金額區(qū)間約為3,400萬元-3,600萬元，上年同期為3,953.40萬元。

據(jù)了解，國星光電上半年MiniLED、紫外LED等業(yè)務(wù)取得了重要進展，為公司增添顯著的增長動能。其中，MiniLED背光產(chǎn)品批量出貨，產(chǎn)能正在持續(xù)擴充，而MiniLED直顯產(chǎn)品也實現(xiàn)滿產(chǎn)滿銷。至于Micro LED，近期也獲得了重要進展。

據(jù)介紹，國星光電開發(fā)出高一致性像素化量子點色轉(zhuǎn)換彩膜制備技術(shù)，該技術(shù)方案可將巨量轉(zhuǎn)移次數(shù)減少三分之二，有效解決Micro LED紅光芯片良率低、光效低、巨量轉(zhuǎn)移難度高的技術(shù)痛點，進一步提高良率、減少修復(fù)、降低成本，為Micro LED產(chǎn)業(yè)化進程注入新動能。

隨著技術(shù)的不斷突破及成本管控能力的持續(xù)增強，Micro LED產(chǎn)品或有望加快為國星光電貢獻營收。（LEDinside整理）

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展會現(xiàn)場

閃耀亮相
國星光電，高端CHIP LED制造商

代表國星光電參加本次CEE的是CHIP LED事業(yè)部，該事業(yè)部從事CHIP LED產(chǎn)品研發(fā)制造已有20余年?；诙嗄甑腖ED封裝技術(shù)經(jīng)驗積累，國星光電CHIP LED器件具有尺寸小、光效高、壽命長和性能穩(wěn)定等特點，可根據(jù)客戶的需求適配不同領(lǐng)域的應(yīng)用產(chǎn)品。目前，已打造出具有市場競爭力的產(chǎn)品布局，在市場上也積累了良好口碑，產(chǎn)品涵蓋指示燈、數(shù)碼背光、消費電子、車載電子等，廣泛應(yīng)用于信號指示、顯示面板、儀器儀表等場景，并與國內(nèi)外知名龍頭企業(yè)建立長期戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。

以客戶為中心
加速助力關(guān)鍵技術(shù)國產(chǎn)化進程

隨著我國“十四五”規(guī)劃藍圖展開，5G應(yīng)用、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等技術(shù)的快速發(fā)展，新一輪科技革命和產(chǎn)業(yè)變革的加速演進。與此同時，國際競爭越發(fā)激烈，全球局勢風起云涌。作為國有企業(yè)，國星光電始終秉承“用戶至上，創(chuàng)新制勝，以人為本，多元共贏”的經(jīng)營理念，堅持創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展戰(zhàn)略，努力實現(xiàn)從芯片、封裝到應(yīng)用的自主研發(fā)，旨在掌握關(guān)鍵技術(shù)，為終端企業(yè)帶來“以客戶為中心”的體驗。

下一步，國星光電將繼續(xù)深化產(chǎn)學研合作，加快核心技術(shù)的攻關(guān)，深入挖掘LED產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新資源，主動對接產(chǎn)業(yè)需求，促進科技成果向產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化，協(xié)同上下游產(chǎn)業(yè)鏈實現(xiàn)LED創(chuàng)新技術(shù)的自主可控，抓住新機遇，為國星光電“十四五”目標夯實基礎(chǔ)，為廣晟集團奮進世界500強注入強勁動能。（來源：國星光電）

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其中，舞臺設(shè)置了總面積近10000平米的LED顯示屏組合，該顯示屏由利亞德打造，部分核心器件由國星光電提供。

國星光電·香港

7月1-4日，由香港各界慶典委員協(xié)會主辦的“賀建黨百年 慶香港回歸”光影3D耀維港主題光影秀在香港金鐘添馬公園亮相，該主題光影秀通過裸眼3D、燈光、顯示、控制、多媒體藝術(shù)裝置等技術(shù)手段的融合，通過沉浸式的夜游燈光體驗，帶市民走進黨史文化。

該主題3D光影秀由洲明科技及洲明科技(香港)共同策劃實施，由國星光電提供核心顯示器件。

國星光電·西安

西安樂華城1200平米顯示屏驚艷亮相，為古韻悠長的城市裝點氣勢恢弘的光影。

該顯示屏由邁銳打造，由國星光電提供核心器件。

國星光電·山東

山東各電視臺紛紛舉行慶祝晚會活動，營造濃厚的“紅色氛圍”。

晚會透明屏由浩彩顯示打造，由國星光電提供核心器件。

胸懷千秋偉業(yè)，砥礪時代征程。未來，國星光電定將不忘初心、牢記使命，瞄準“十四五”規(guī)劃藍圖目標，堅持以黨建引領(lǐng)為統(tǒng)攬，堅持創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展戰(zhàn)略，積極推動技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品創(chuàng)新，不斷整合優(yōu)化產(chǎn)業(yè)鏈資源，以先進的技術(shù)、優(yōu)化產(chǎn)品與解決方案，為我國LED產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展賦能。（來源：國星光電）

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中國專利獎作為我國專利領(lǐng)域的最高獎項，該獎項由國家知識產(chǎn)權(quán)局和世界知識產(chǎn)權(quán)組織聯(lián)合頒發(fā)，是中國唯一的、專門對授予專利權(quán)的發(fā)明創(chuàng)造給予獎勵的政府部門獎，在我國極具公信力、代表性和影響力。

國星光電本次獲獎的“一種COB顯示模塊的封裝方法及其顯示模塊”發(fā)明專利，技術(shù)創(chuàng)新點在于發(fā)明了像素全分割的創(chuàng)新性方法，解決相鄰兩LED像素單元的光學竄擾。該專利技術(shù)方案生產(chǎn)的MiniLED是4K、8K超高清視頻產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵產(chǎn)品，技術(shù)整體達到國際先進水平，像素間距、亮度及對比度指標處于國際領(lǐng)先。

目前，國星光電及子公司已申請專利近千項，其中發(fā)明專利近400項，已授權(quán)專利近700項?；诔掷m(xù)完善的知識產(chǎn)權(quán)保護體系，高質(zhì)量專利保護備受認可，國星光電已全面覆蓋國家、省、市知識產(chǎn)權(quán)相關(guān)平臺及榮譽，曾榮獲國家知識產(chǎn)權(quán)示范企業(yè)、國家知識產(chǎn)權(quán)優(yōu)勢企業(yè)、廣東省專利優(yōu)秀獎等國家級、省級榮譽獎項。

創(chuàng)新引領(lǐng)未來，專利護航發(fā)展。下一步，國星光電將持續(xù)提升自主創(chuàng)新的能力，加強關(guān)鍵領(lǐng)域自主知識產(chǎn)權(quán)創(chuàng)造和儲備，加大創(chuàng)新研發(fā)力度及專利技術(shù)成果轉(zhuǎn)化，打造創(chuàng)新型、科技型知識產(chǎn)權(quán)示范企業(yè)，推進LED顯示產(chǎn)業(yè)往高品質(zhì)超清顯示方向發(fā)展，為廣晟集團奮進世界500強貢獻力量。（來源：國星光電）

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