近日，九峰山實(shí)驗(yàn)室6英寸碳化硅（SiC）中試線全面通線，首批溝槽型MOSFET器件晶圓下線。實(shí)驗(yàn)室已具備碳化硅外延、工藝流程、測試等全流程技術(shù)服務(wù)能力。 實(shí)驗(yàn)室開發(fā)了低表面粗糙度、高激活率的高溫高能離子注入與激活工藝，實(shí)現(xiàn)了低溝槽表面粗糙度刻蝕，打通了高厚度一致性及均一性、低界面...  [詳內(nèi)文]