據(jù)中電化合物介紹，相比6吋，8吋SiC外延片面積增加78%，能夠較大幅度降低碳化硅器件成本，進(jìn)而推動碳化硅材料降本增效。技術(shù)指標(biāo)方面，8吋SiC外延片可以實(shí)現(xiàn)厚度均勻性≤3%、摻雜濃度均勻性≤5%、表面致命缺陷≤0.5/cm2。

資料顯示，中電化合物成立于2019年11月1日，公司主要聚焦大尺寸、高性能的碳化硅材料和氮化鎵外延材料的研究、開發(fā)、生產(chǎn)和銷售，旗下產(chǎn)品可用于電動汽車、新能源、家用消費(fèi)電子設(shè)備等眾多領(lǐng)域。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

此前，中電化合物自主研發(fā)和生產(chǎn)的6吋碳化硅晶錠、襯底片和外延片已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。今年，該公司在8吋碳化硅產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn)上無疑也取得了重大進(jìn)展。

值得一提的是，2023年被業(yè)內(nèi)人士稱為“8吋SiC元年”，包括Wolfspeed、意法半導(dǎo)體在內(nèi)的全球功率半導(dǎo)體巨頭都已加快8吋SiC研發(fā)步伐。

國內(nèi)方面，目前至少有10家公司正在推進(jìn)8吋SiC襯底開發(fā)，包括山西爍科晶體（Semisic）、晶盛機(jī)電（JSJ）、山東天岳先進(jìn)科技（SICC）、廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)（Summit Crystal）、河北同光（Synlight）、北京天科合達(dá)半導(dǎo)體（TankeBlue）、哈爾濱科友半導(dǎo)體（KY Semiconductor）、杭州干晶半導(dǎo)體（IV-Semitec）等。

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中電化合物成立于2019年，是由中國電子信息產(chǎn)業(yè)集團(tuán)有限公司（央企）旗下華大半導(dǎo)體有限公司主導(dǎo)投資的一家致力于開發(fā)、生產(chǎn)寬禁帶半導(dǎo)體材料的高科技企業(yè)。

公司注冊資本4.7億，主要聚焦在大尺寸、高性能的碳化硅材料和氮化鎵外延材料的研究、開發(fā)、生產(chǎn)和銷售，產(chǎn)品可廣泛用于電動汽車、新能源、柔性電網(wǎng)、工業(yè)裝備、家用消費(fèi)電子設(shè)備等眾多領(lǐng)域。
公司已在杭州灣新區(qū)數(shù)字經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)園建成含百級超凈車間現(xiàn)材料生產(chǎn)線，正式向國內(nèi)外市場供應(yīng)商業(yè)化SiC和GaN材料，產(chǎn)品通過了車規(guī)級的驗(yàn)證。

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2022年7月，中電化合物半導(dǎo)體有限公司和浙江大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院成立聯(lián)合培養(yǎng)實(shí)踐基地，旨在加強(qiáng)產(chǎn)學(xué)研合作，聚焦碳化硅和氮化鎵材料，培養(yǎng)兼具理論知識和實(shí)踐能力的高層次材料工程人才。

中電化合物表示，其碳化硅年產(chǎn)能達(dá)2萬片，未來3年或達(dá)8萬片。

今年2月，中電化合物與復(fù)旦大學(xué)寧波研究院簽署產(chǎn)學(xué)研項(xiàng)目合作協(xié)議。通過本次簽約，中電化合物將進(jìn)一步開展深度合作，充分利用復(fù)旦大學(xué)人才優(yōu)勢、平臺優(yōu)勢，加大研發(fā)力度，加快碳化硅領(lǐng)域的發(fā)展進(jìn)程。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Arely整理）

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