公告顯示，中瓷電子與國聯(lián)之芯于2024年7月26日簽署了《河北中瓷電子科技股份有限公司與北京國聯(lián)之芯企業(yè)管理中心（有限合伙）關(guān)于北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司之股權(quán)轉(zhuǎn)讓協(xié)議》。國聯(lián)萬眾為中瓷電子前次重大資產(chǎn)重組的標的公司之一，且為配套募集資金投資項目“第三代半導(dǎo)體工藝及封測平臺建設(shè)項目”及“碳化硅高壓功率模塊關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)項目”的實施主體。本次交易完成后，國聯(lián)萬眾將成為中瓷電子的全資子公司。

去年3月，中瓷電子發(fā)布了《發(fā)行股份購買資產(chǎn)并募集配套資金暨關(guān)聯(lián)交易報告書（草案）（修訂稿）》。根據(jù)該修訂稿，中瓷電子擬以發(fā)行股份的方式，購買博威公司73.00%股權(quán)、氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務(wù)資產(chǎn)及負債、國聯(lián)萬眾94.6029%股權(quán)。

中瓷電子還同時宣布擬向不超過35名特定對象發(fā)行股份，募集配套資金總額不超過25億，投向“第三代半導(dǎo)體工藝及封測平臺建設(shè)項目”、“碳化硅高壓功率模塊關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)項目”等4個項目。

其中，“第三代半導(dǎo)體工藝及封測平臺建設(shè)項目”將在國聯(lián)萬眾已有碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)線基礎(chǔ)上，搭建碳化硅功率模塊封測線，建設(shè)滿足車規(guī)級、風力發(fā)電、高壓電網(wǎng)等應(yīng)用的碳化硅功率模塊產(chǎn)品產(chǎn)能。

“碳化硅高壓功率模塊關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)項目”擬圍繞碳化硅高壓功率模塊關(guān)鍵技術(shù)進行研發(fā)，制定了3300V碳化硅MOSFET芯片窄線條溝槽刻蝕技術(shù)研發(fā)、3300V碳化硅MOSFET芯片柵極氧化技術(shù)研發(fā)、3300V碳化硅MOSFET芯片晶圓減薄技術(shù)研發(fā)、3300V碳化硅高壓功率模塊封裝技術(shù)研發(fā)四個研發(fā)課題，滿足3300V碳化硅高壓功率模塊對柵極氧化技術(shù)、刻蝕技術(shù)、減薄技術(shù)和封裝技術(shù)等方面的要求，最終實現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)的目標。

目前，國聯(lián)萬眾碳化硅功率模塊包括650V、1200V和1700V等系列產(chǎn)品，其中，車規(guī)級碳化硅MOSFET模塊已向國內(nèi)一線車企穩(wěn)定供貨數(shù)百萬只。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

資料顯示，中瓷電子專業(yè)從事電子陶瓷系列產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，公司主要產(chǎn)品包括光通信器件外殼、無線功率器件外殼、5G通信終端模塊外殼等，應(yīng)用于光通信、無線通信、消費電子、汽車電子等領(lǐng)域。

據(jù)稱，公司電子陶瓷外殼類產(chǎn)品是高端半導(dǎo)體元器件中實現(xiàn)內(nèi)部芯片與外部電路連接的重要橋梁，對半導(dǎo)體元器件性能具有重要作用和影響。公司已經(jīng)可以設(shè)計開發(fā)400G光通信器件外殼，與國外同類產(chǎn)品技術(shù)水平相當。

據(jù)中瓷電子介紹，公司無線功率器件外殼可用于封裝Si、GaAs、GaN等芯片的分立器件和模塊，種類覆蓋Bipolar、LDMOS、GaN和大功率晶體管等功率器件。

目前，以SiC和GaN為代表的第三代半導(dǎo)體市場一片火熱，中瓷電子業(yè)務(wù)布局也正在向第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)傾斜。

2023年3月，中瓷電子宣布擬向不超過35名特定對象發(fā)行股份，募集配套資金總額不超過25億，投向GaN微波產(chǎn)品精密制造生產(chǎn)線建設(shè)項目、通信功放與微波集成電路研發(fā)中心建設(shè)項目、第三代半導(dǎo)體工藝及封測平臺建設(shè)項目以及SiC高壓功率模塊關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)項目。

通過實施上述四大項目，中瓷電子有望實現(xiàn)GaN通信射頻芯片設(shè)計、制造、封裝、測試和銷售的全產(chǎn)業(yè)鏈布局，并具備SiC功率模塊的設(shè)計、生產(chǎn)、銷售能力。

目前，在SiC進展方面，中瓷電子子公司北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司(以下簡稱國聯(lián)萬眾)電驅(qū)用1200V SiC MOSFET芯片已研發(fā)成功正在交客戶上車驗證中，有小批量銷售。

據(jù)悉，國聯(lián)萬眾現(xiàn)有的SiC功率模塊包括650V、1200V和1700V等系列產(chǎn)品，未來擬攻關(guān)高壓SiC功率模塊領(lǐng)域。目前，國聯(lián)萬眾車規(guī)級SiC MOSFET模塊已向國內(nèi)一線車企穩(wěn)定供貨數(shù)百萬只。

GaN進展方面，中瓷電子子公司博威集成電路擴建工程第三代半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)業(yè)化項目已建成并投入使用，項目主要產(chǎn)品為GaN通信基站射頻芯片與器件等產(chǎn)品，產(chǎn)能規(guī)劃為600萬只/年。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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芯聯(lián)集成車規(guī)級SiC MOSFET已量產(chǎn)

12月8日，芯聯(lián)集成電路制造股份有限公司（以下簡稱芯聯(lián)集成）在互動平臺表示，公司應(yīng)用于車載主驅(qū)逆變大功率模組的車規(guī)級SiC MOSFET已量產(chǎn)，最新一代產(chǎn)品的技術(shù)性能達到全球先進水平。

資料顯示，芯聯(lián)集成成立于2018年3月，是一家專注于功率、傳感和傳輸應(yīng)用領(lǐng)域，提供模擬芯片及模塊封裝的代工服務(wù)的制造商。公司以晶圓代工為起點，向下延伸到模組封裝，為國內(nèi)外客戶提供一站式代工解決方案，為功率、傳感和傳輸?shù)阮I(lǐng)域的半導(dǎo)體產(chǎn)品公司提供完整生產(chǎn)制造平臺，支持客戶研發(fā)以及大規(guī)模量產(chǎn)。

以代工制造為主營業(yè)務(wù)的芯聯(lián)集成，正在向SiC領(lǐng)域傾斜。今年10月24日晚，芯聯(lián)集成發(fā)布公告稱，公司新設(shè)立的合資公司——芯聯(lián)動力科技（紹興）有限公司（以下簡稱芯聯(lián)動力）已完成工商注冊登記手續(xù)，并取得營業(yè)執(zhí)照。

據(jù)悉，芯聯(lián)動力是車規(guī)級SiC制造及模組封裝的一站式系統(tǒng)解決方案提供商，創(chuàng)始股東包括芯聯(lián)集成、芯聯(lián)合伙、博原資本、小鵬星航資本、上汽尚頎資本和恒旭資本、寧德晨道投資、陽光電源等，其中芯聯(lián)集成投資2.55億元，為控股股東。

根據(jù)芯聯(lián)集成2023半年報顯示，新能源汽車及工控業(yè)務(wù)成為其核心收入來源，上半年，該類業(yè)務(wù)營收占比達81.5%，其中新能源汽車板塊業(yè)務(wù)收入占總營收比例為51.86%，工控（光伏儲能）業(yè)務(wù)占比29.6%。

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中瓷電子子公司1200V SiC MOSFET芯片正在進行客戶驗證

12月11日，河北中瓷電子科技股份有限公司（以下簡稱中瓷電子）在投資者互動平臺表示，公司子公司北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司(以下簡稱國聯(lián)萬眾)電驅(qū)用1200V SiC MOSFET芯片已研發(fā)成功交客戶上車驗證中，有小批量銷售。

據(jù)悉，國聯(lián)萬眾目前產(chǎn)品布局比較全面，供貨量較大。據(jù)中瓷電子介紹，國聯(lián)萬眾現(xiàn)有的SiC功率模塊包括650V、1200V和1700V等系列產(chǎn)品，未來擬攻關(guān)高壓SiC功率模塊領(lǐng)域。目前，國聯(lián)萬眾車規(guī)級SiC MOSFET模塊已向國內(nèi)一線車企穩(wěn)定供貨數(shù)百萬只。

為提高充電功率和縮短充電時間，各大主流車企競相投入開發(fā)SiC 800V高壓快充車型。為保障車企需求，國聯(lián)萬眾車載充電器（OBC）用SiC MOSFET芯片月產(chǎn)能已達5kk只以上。

與此同時，中瓷電子也在積極進軍氮化鎵（GaN）領(lǐng)域。11月27日，中瓷電子在投資者互動平臺表示，公司子公司博威集成電路擴建工程第三代半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)業(yè)化項目已建成并投入使用，項目主要產(chǎn)品為氮化鎵（GaN）通信基站射頻芯片與器件等產(chǎn)品，產(chǎn)能規(guī)劃為600萬只/年。

值得一提的是，11月30日，中汽創(chuàng)智首批自主研發(fā)的1200V 20mΩ SiC MOSFET在積塔工廠正式下線，意味著中汽創(chuàng)智有更強的SiC MOSFET產(chǎn)品實力與新能源汽車廠商合作。未來，各大半導(dǎo)體廠商有望推出更多契合車企需求的高壓SiC MOSFET產(chǎn)品。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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中瓷電子稱，博威公司主營業(yè)務(wù)為氮化鎵通信射頻集成電路產(chǎn)品的設(shè)計、封裝、測試和銷售，主要產(chǎn)品包括氮化鎵通信基站射頻芯片與器件、微波點對點通信射頻芯片與器件等。

資料顯示，中瓷電子成立于2009年，從事電子陶瓷系列產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，公司電子陶瓷外殼類產(chǎn)品是高端半導(dǎo)體元器件中實現(xiàn)內(nèi)部芯片與外部電路連接的重要橋梁，對半導(dǎo)體元器件性能具有重要作用和影響。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

據(jù)悉，第三代半導(dǎo)體氮化鎵微波射頻器件具有高輸出功率、高效率、高頻率、大帶寬、低熱阻、抗輻照能力強等優(yōu)良特性，是非常理想的微波功率器件，因此成為4G/5G移動通信系統(tǒng)中首選的核心微波射頻器件，推廣應(yīng)用前景可期。整個產(chǎn)業(yè)來看，根據(jù)TrendForce集邦咨詢《2023全球GaN功率半導(dǎo)體市場分析報告》顯示，全球GaN功率元件市場規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長到2026年的13.3億美金，復(fù)合增長率高達65%。

今年以來，作為陶瓷產(chǎn)品廠商，中瓷電子從收購博威公司股權(quán)開始，直接跨界布局氮化鎵，也是看中了氮化鎵發(fā)展?jié)摿?。今?月，中瓷電子發(fā)布公告，宣布擬募集資金不超過25億元，用于向中國電科十三所購買其持有的博威公司73.00%股權(quán)、氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務(wù)資產(chǎn)及負債，同時，擬購買北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司94.60%股權(quán)。

而募集資金在支付本次重組相關(guān)費用后也基本都用于第三代半導(dǎo)體功率器件相關(guān)項目，包括博威公司的“氮化鎵微波產(chǎn)品精密制造生產(chǎn)線建設(shè)項目”、“通信功放與微波集成電路研發(fā)中心建設(shè)項目”以及國聯(lián)萬眾的“第三代半導(dǎo)體工藝及封測平臺建設(shè)項目”等。

中瓷電子主營業(yè)務(wù)并非第三代半導(dǎo)體功率器件，涉足該領(lǐng)域最直接的方式之一便是并購相關(guān)廠商，而博威第三代半導(dǎo)體功率器件項目投產(chǎn)，意味著中瓷電子親自入場，成為賽道又一位強有力的玩家。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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國聯(lián)萬眾主要從事氮化鎵射頻芯片和碳化硅功率模塊的設(shè)計、測 試、銷售，主要產(chǎn)品包括氮化鎵通信基站射頻芯片、碳化硅功率模塊等，氮化鎵通信基站射頻芯片主要客戶為安譜隆等射頻器件廠商，應(yīng)用于 5G 通信基站建設(shè)；碳化硅功率模塊主要應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)電源、新能源逆變器等領(lǐng)域，目前已與比亞迪、智旋等重要客戶簽訂供貨協(xié)議并供貨。

同日，中瓷電子在互動平臺表示，子公博威集成電路有限公司（下文簡稱“博威公司”）5G通信基站用GaN功放產(chǎn)業(yè)化項目按計劃進行建設(shè)，現(xiàn)已完成項目驗收并投產(chǎn)，2023年相關(guān)產(chǎn)品的訂單飽滿，產(chǎn)能利用率維持在較高水平。

博威公司5G通信基站用GaN功放產(chǎn)業(yè)化項目于2019年備案建設(shè)，2022年3月通過竣工驗收，總投資3000萬元，建立了高效可信自動化第三代半導(dǎo)體GaN基站功放測試系統(tǒng)，形成了年產(chǎn)1700萬只GaN功放產(chǎn)品的生產(chǎn)能力。

今年6月，石家莊鹿泉區(qū)宣傳部官方公眾號“精彩鹿泉”發(fā)文稱，石家莊市政府發(fā)布《關(guān)于2022年度高新技術(shù)成果落地獎獎勵的決定》，位于鹿泉區(qū)經(jīng)濟開發(fā)區(qū)的河北博威集成電路有限公司5G通信用GaN基站功放產(chǎn)業(yè)化項目獲得市高新技術(shù)成果落地獎三等獎。

今年3月，中瓷電子發(fā)布了《發(fā)行股份購買資產(chǎn)并募集配套資金暨關(guān)聯(lián)交易報告書（草案）（修訂稿）》。根據(jù)該修訂稿，中瓷電子擬以發(fā)行股份的方式，購買博威公司73.00%股權(quán)、氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務(wù)資產(chǎn)及負債、國聯(lián)萬眾94.6029%股權(quán)。
交易情況如下：

據(jù)悉，中瓷電子成立于2009年，2021年在深交所上市。目前，中瓷電子的主營業(yè)務(wù)為電子陶瓷系列產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。

當時交易價格已經(jīng)是中瓷電子凈資產(chǎn)的3倍有余，中瓷電子以“蛇吞象”的姿態(tài)邁進第三代半導(dǎo)體市場。
目前看，中瓷電子在第三代半導(dǎo)體賽道開始發(fā)力了，在SiC和GaN方面的產(chǎn)業(yè)都有了一定得進展，后續(xù)如何，讓人拭目以待。
（文：集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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