在當(dāng)今快速發(fā)展的科技時(shí)代,半導(dǎo)體材料的創(chuàng)新和應(yīng)用正成為推動(dòng)全球電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵力量。在第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,氮化鎵(GaN)因其卓越的電子特性和廣泛的應(yīng)用前景,正受到業(yè)界的關(guān)注。近期,山東省的濟(jì)南和臨沂兩地,在氮化鎵襯底方面取得了新進(jìn)展。
濟(jì)南:新增一個(gè)氮化鎵項(xiàng)目
據(jù)濟(jì)南日?qǐng)?bào)消...  [詳內(nèi)文]
山東2個(gè)氮化鎵襯底項(xiàng)目有新進(jìn)展 |
作者
huang, Mia
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發(fā)布日期:
2024 年 10 月 22 日 17:50
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關(guān)鍵字:
晶鎵半導(dǎo)體, 氮化鎵
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