資料顯示，賽英電子是國(guó)內(nèi)專(zhuān)業(yè)從事研發(fā)和生產(chǎn)大功率半導(dǎo)體器件用陶瓷管殼系列的企業(yè)，主要產(chǎn)品是晶閘管用陶瓷管殼、平板壓接式IGBT用陶瓷管殼、平底型散熱基板、針齒型散熱基板，是國(guó)家級(jí)專(zhuān)精特新“小巨人”、國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)、江蘇省民營(yíng)科技企業(yè)、無(wú)錫市瞪羚企業(yè)。

賽英電子于2025年4月14日登陸新三板，目前屬于基礎(chǔ)層，交易方式為集合競(jìng)價(jià)轉(zhuǎn)讓。6月25日賽英電子發(fā)布公告稱(chēng)，公司將于6月26日（星期四)開(kāi)市起停牌，公司披露相關(guān)事項(xiàng)后恢復(fù)轉(zhuǎn)讓交易。停牌原因?yàn)椋合蚓硟?nèi)證券交易所申請(qǐng)公開(kāi)發(fā)行股票并上市。

6月27日，賽英電子發(fā)布2024年全年業(yè)績(jī)報(bào)告。2024年1月1日-2024年12月31日，公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入4.57億元，同比增長(zhǎng)42.65%，盈利7390.15萬(wàn)元，同比增長(zhǎng)34.20%，基本每股收益為2.4500元。

業(yè)界表示，賽英電子若成功上市，有望成為北交所功率半導(dǎo)體部件第一股。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來(lái)源：上海證券之星

今年一季度，聞泰科技公司歸母凈利潤(rùn)2.61億元，同比增長(zhǎng)82.29%，其中半導(dǎo)體業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)營(yíng)收37.11億元，同比增長(zhǎng)8.40%，凈利潤(rùn)5.78億元，經(jīng)營(yíng)性?xún)衾麧?rùn)同比增長(zhǎng)65.14%，毛利率38.32%，同比上升超7個(gè)百分點(diǎn)，持續(xù)驗(yàn)證行業(yè)領(lǐng)先地位與盈利能力。此外，公司經(jīng)營(yíng)活動(dòng)現(xiàn)金流量?jī)纛~達(dá)25.23億元，同比增長(zhǎng)29.58%；截至第一季度末，公司現(xiàn)金及現(xiàn)金等價(jià)物余額增加至94.53億元，較去年同期翻倍增長(zhǎng)，為半導(dǎo)體研發(fā)與產(chǎn)能擴(kuò)張?zhí)峁﹫?jiān)實(shí)資金保障。

聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)遵循“低壓向高壓，功率向模擬”的產(chǎn)品拓展戰(zhàn)略，模擬芯片研發(fā)加速，同時(shí)該公司緊跟AI、機(jī)器人趨勢(shì)，產(chǎn)品在AI數(shù)據(jù)中心/AI服務(wù)器、AIPC/手機(jī)中增長(zhǎng)較快。在工業(yè)機(jī)器人、協(xié)作機(jī)器人、家居機(jī)器人等領(lǐng)域，公司已積累深厚的客戶(hù)資源。依托車(chē)規(guī)半導(dǎo)體的高可靠性與安全標(biāo)準(zhǔn)，公司將有望助力更多機(jī)器人新興應(yīng)用更廣泛、安全地落地。

供應(yīng)鏈方面，聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)具備海內(nèi)外“雙供應(yīng)鏈”，保障產(chǎn)品供應(yīng)穩(wěn)定高效。

產(chǎn)能方面，聞泰科技后端封測(cè)廠位于廣東東莞、江蘇無(wú)錫（在建）。同時(shí)，聞泰科技積極通過(guò)外部工廠強(qiáng)化產(chǎn)能布局，由大股東先行代建的臨港 12 吋車(chē)規(guī)級(jí)晶圓廠已實(shí)現(xiàn)車(chē)規(guī)級(jí)晶圓量產(chǎn)出貨，將成為半導(dǎo)體業(yè)務(wù)中國(guó)區(qū)產(chǎn)能提升、工藝升級(jí)和成本控制的有力支撐，幫助公司在中國(guó)區(qū)市場(chǎng)積極開(kāi)拓市場(chǎng)份額。

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三篇論文工作如下：

1、He離子注入終端實(shí)現(xiàn)3kV氧化鎵功率二極管

本研究報(bào)道了一種高穩(wěn)定性的垂直結(jié)構(gòu)NiO/β-Ga2O3異質(zhì)結(jié)二極管，該器件實(shí)現(xiàn)了3kV的高擊穿電壓和3.10 GW/cm2的巴利加優(yōu)值。

研究團(tuán)隊(duì)創(chuàng)新性地采用氦原子注入技術(shù)構(gòu)建了高效低損傷的邊緣終端結(jié)構(gòu)，有效抑制了異質(zhì)結(jié)PN結(jié)處的高電場(chǎng)聚集，將Ga2O3異質(zhì)結(jié)二極管的擊穿電壓從1330 V提升至3000 V。通過(guò)擬合分析反向漏電機(jī)制，揭示了氦離子注入器件的獨(dú)特?fù)舸┨匦?。進(jìn)一步采用氧氣退火工藝，將器件的比導(dǎo)通電阻從5.08 mΩ·cm2顯著降低至2.90 mΩ·cm2，并提升了器件穩(wěn)定性。

研究成果以“3 kV/2.9 mΩ·cm2 β-Ga2O3 Vertical p–n Heterojunction Diodes with Helium-implanted Edge Termination and Oxygen Post Annealing”為題目發(fā)表在IEEE ISPSD 2025上并作現(xiàn)場(chǎng)口頭匯報(bào)，第一作者為博士生韓甲俊。

圖片來(lái)源：深圳大學(xué)材料學(xué)院

圖為具有He離子注入終端的β-Ga2O3 HJDs（a）截面示意圖和制造關(guān)鍵工藝，（b）反向擊穿特性曲線

?2、GaOx界面工程實(shí)現(xiàn)高性能氮化鎵MOS電容器

在本研究中，研究團(tuán)隊(duì)采用氫化物氣相外延技術(shù)，成功生長(zhǎng)了低位錯(cuò)密度（~1.5×106 cm-2）的單晶氮化鎵襯底及其外延層，這些材料被用于制造高質(zhì)量的垂直氮化鎵MOS電容器。

研究團(tuán)隊(duì)引入了一種界面技術(shù)，通過(guò)等離子體增強(qiáng)原子層沉積在Al2O3/GaN界面處沉積一層薄薄的氧化鎵作為中間層。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示，這些器件的界面陷阱密度（Dit）低至~8×1010 cm-2 eV-1，且VFB遲滯僅為50 mV。引入GaOx界面技術(shù)不僅有效抑制了柵極漏電流，還鈍化了氮和氧相關(guān)的空位及懸掛鍵。這一方法為垂直氮化鎵MOSFET的制造提供了新的方法。

研究成果以“Enhancing Key Performance of Vertical GaN MOS Capacitors through GaOx Interface Technology”為題目發(fā)表在IEEE ISPSD 2025上，第一作者為碩士生林錦沛。

圖片來(lái)源：深圳大學(xué)材料學(xué)院

圖為具有GaOx界面層的垂直GaN MOS電容（a）結(jié)構(gòu)示意圖及關(guān)鍵工藝，（b）器件的界面態(tài)密度參數(shù)提取

3、高性能垂直p-NiO/n-GaN功率二極管

本研究報(bào)道了一種高性能的垂直p-NiO/n-GaN異質(zhì)結(jié)二極管。

通過(guò)氫化物氣相外延技術(shù)生長(zhǎng)的低位錯(cuò)密度氮化鎵晶圓，N面經(jīng)氧氣等離子體處理（OPT）有效緩解了費(fèi)米能級(jí)釘扎效應(yīng)，并鈍化了表面，使接觸電阻（ρc）降至3.84×10-6Ω·cm2。通過(guò)氧氣后退火處理濺射的氧化鎳薄膜，優(yōu)化了異質(zhì)結(jié)界面。因此，擊穿電壓提升至1135 V，優(yōu)值（FOM）達(dá)到0.23 GW/cm2，導(dǎo)通狀態(tài)電阻降至5.7 mΩ·cm2。

研究成果以“Enhancing Key Performance of Vertical p-NiO/n-GaN Heterojunction Diodes through Plasma Treatment and Oxygen Post-Annealing”為題目發(fā)表在IEEE ISPSD 2025上，碩士生黃燁瑩、王敏為文章的共同第一作者。

圖片來(lái)源：深圳大學(xué)材料學(xué)院

圖中，（a）NiO/GaN垂直pn HJD的結(jié)構(gòu)示意圖，（b）之前報(bào)道的NiO/GaN PND的FOM與擊穿電壓的對(duì)比

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圖片來(lái)源：羅姆——用戶(hù)可從第4代SiC MOSFET相應(yīng)產(chǎn)品頁(yè)面的“設(shè)計(jì)模型”中下載

羅姆介紹，功率半導(dǎo)體的損耗對(duì)系統(tǒng)整體效率有重大影響，因此在設(shè)計(jì)階段的仿真驗(yàn)證中，模型的精度至關(guān)重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1（L1）”，通過(guò)提高每種特性的復(fù)現(xiàn)性，滿(mǎn)足了高精度仿真的需求。然而另一方面，該模型存在仿真收斂性問(wèn)題和運(yùn)算時(shí)間較長(zhǎng)等問(wèn)題，亟待改進(jìn)。

新模型“ROHM Level 3（L3）”通過(guò)采用簡(jiǎn)化的模型公式，能夠在保持計(jì)算穩(wěn)定性和開(kāi)關(guān)波形精度的同時(shí)，將仿真時(shí)間較以往L1模型縮短約50%。由此，能夠高精度且快速地執(zhí)行電路整體的瞬態(tài)分析，從而有助于提升應(yīng)用設(shè)計(jì)階段的器件評(píng)估與損耗確認(rèn)的效率。

未來(lái)，羅姆將繼續(xù)通過(guò)提升仿真技術(shù)，助力實(shí)現(xiàn)更高性能以及更高效率的應(yīng)用設(shè)計(jì)，為電力轉(zhuǎn)換技術(shù)的革新貢獻(xiàn)力量。

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圖片來(lái)源：羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

新產(chǎn)品已經(jīng)暫以月產(chǎn)100萬(wàn)個(gè)的規(guī)模投入量產(chǎn)。前道工序的生產(chǎn)基地為ROHM Co., Ltd.（日本滋賀工廠），后道工序的生產(chǎn)基地為OSAT（泰國(guó)）。另外，新產(chǎn)品已經(jīng)開(kāi)始通過(guò)電商進(jìn)行銷(xiāo)售，通過(guò)電商平臺(tái)均可購(gòu)買(mǎi)。

隨著AI技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)中心的負(fù)載急劇增加，服務(wù)器功耗也逐年攀升。特別是隨著配備生成式AI和高性能GPU的服務(wù)器日益普及，如何兼顧進(jìn)一步提升電力效率和支持大電流這兩個(gè)相互沖突的需求，一直是個(gè)難題。

在此背景下，相較傳統(tǒng)12V電源系統(tǒng)具有更高轉(zhuǎn)換效率的48V電源系統(tǒng)正在加速擴(kuò)大應(yīng)用。另外，在服務(wù)器運(yùn)行狀態(tài)下實(shí)現(xiàn)模塊更換的熱插拔電路中，需要兼具更寬SOA范圍和更低導(dǎo)通電阻的MOSFET，以防止浪涌電流和過(guò)載時(shí)造成損壞。新產(chǎn)品“RY7P250BM”在8×8mm尺寸中同時(shí)具備業(yè)界超寬SOA范圍和超低導(dǎo)通電阻，有助于降低數(shù)據(jù)中心的功率損耗、減輕冷卻負(fù)荷，從而提升服務(wù)器的可靠性并實(shí)現(xiàn)節(jié)能。

RY7P250BM為8×8mm尺寸的MOSFET，預(yù)計(jì)該尺寸產(chǎn)品未來(lái)需求將不斷增長(zhǎng)，可以輕松替代現(xiàn)有產(chǎn)品。另外，新產(chǎn)品同時(shí)實(shí)現(xiàn)了更寬SOA范圍（條件：VDS=48V、Pw＝1ms/10ms）和更低導(dǎo)通電阻（RDS(on)），由此既可確保熱插拔（電源啟動(dòng)）工作時(shí)的更高產(chǎn)品可靠性，又能優(yōu)化電源效率，降低功耗并減少發(fā)熱量。

羅姆介紹，為了兼顧服務(wù)器的穩(wěn)定運(yùn)行和節(jié)能，熱插拔電路必須具有較寬的SOA范圍，以承受大電流負(fù)載。特別是AI服務(wù)器的熱插拔電路，與傳統(tǒng)服務(wù)器相比需要更寬的SOA范圍。RY7P250BM的SOA在脈寬10ms時(shí)可達(dá)16A、1ms時(shí)也可達(dá)50A，實(shí)現(xiàn)業(yè)界超優(yōu)性能，能夠應(yīng)對(duì)以往MOSFET難以支持的高負(fù)載應(yīng)用。

RY7P250BM是具有業(yè)界超寬SOA范圍的MOSFET，并且實(shí)現(xiàn)了更低導(dǎo)通電阻，從而大幅降低了通電時(shí)的功率損耗和發(fā)熱量。具有寬SOA范圍的普通8×8mm尺寸100V耐壓MOSFET的導(dǎo)通電阻絕大多數(shù)約為2.28mΩ，而RY7P250BM的導(dǎo)通電阻則降低了約18%——僅有1.86mΩ（條件：VGS=10V、ID=50A、Tj=25℃）。這種低導(dǎo)通電阻有助于提升服務(wù)器電源的效率、減輕冷卻負(fù)荷并降低電力成本。

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新成立的聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室將本著優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)、全面合作、平等互利的原則，整合三家企業(yè)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的資源與優(yōu)勢(shì)，重點(diǎn)開(kāi)展：功率半導(dǎo)體（IGBT、SiC）的可靠性、失效分析、材料分析、產(chǎn)品測(cè)試、晶圓磨劃等領(lǐng)域合作，為客戶(hù)的產(chǎn)品研發(fā)和測(cè)試提供更加專(zhuān)業(yè)、完善的技術(shù)服務(wù)。

圖片來(lái)源：季豐電子

目前，該聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室的各項(xiàng)合作正有序進(jìn)行中。

資料顯示，#林眾電子?致力于功率半導(dǎo)體芯片研發(fā)、功率半導(dǎo)體模組研發(fā)與制造。該公司聚焦于工業(yè)自動(dòng)化、電動(dòng)汽車(chē)和光伏新能源等行業(yè)，服務(wù)于海內(nèi)外客戶(hù)超過(guò)400家。
瞻芯電子是一家聚焦于碳化硅(SiC)半導(dǎo)體領(lǐng)域的高科技芯片公司，2017年成立于上海臨港。該公司自主開(kāi)發(fā)并掌握6英寸碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品以及工藝平臺(tái)的公司，擁有一座車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅(SiC)晶圓廠。公司致力于開(kāi)發(fā)碳化硅功率器件和模塊、驅(qū)動(dòng)和控制芯片產(chǎn)品，并圍繞碳化硅(SiC)應(yīng)用，為客戶(hù)提供一站式解決方案。

季豐電子是一家聚焦半導(dǎo)體領(lǐng)域，深耕集成電路檢測(cè)相關(guān)的軟硬件研發(fā)及技術(shù)服務(wù)的賦能型平臺(tái)科技公司。公司業(yè)務(wù)分為四大板塊，分別為基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)室、軟硬件開(kāi)發(fā)、測(cè)試封裝和儀器設(shè)備，可為芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試、材料裝備等半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈和新能源領(lǐng)域公司提供一站式的檢測(cè)分析解決方案。

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01、綜藝股份收購(gòu)吉萊微

5月13日，江蘇綜藝股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“綜藝股份”）發(fā)布公告，公司擬通過(guò)現(xiàn)金增資或受讓股份的方式，取得江蘇吉萊微電子股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“吉萊微”）的控制權(quán)，具體投資方案和投資比例待進(jìn)一步論證和協(xié)商。本次交易預(yù)計(jì)構(gòu)成重大資產(chǎn)重組，交易完成后，吉萊微將成為綜藝股份的控股子公司。

source：江蘇綜藝股份公告截圖

公開(kāi)資料顯示，吉萊微成立于2001年，專(zhuān)業(yè)從事功率半導(dǎo)體芯片及器件的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，是一家以芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試的垂直一體化經(jīng)營(yíng)為主的功率半導(dǎo)體芯片及器件制造企業(yè)。

而綜藝股份當(dāng)前的主營(yíng)業(yè)務(wù)分為信息科技、新能源、股權(quán)投資三大板塊，其中信息科技領(lǐng)域主要業(yè)務(wù)涵蓋芯片設(shè)計(jì)及應(yīng)用業(yè)務(wù)等。綜藝股份旗下?lián)碛卸嗉覍?zhuān)注于高科技領(lǐng)域的企業(yè)，分處于芯片開(kāi)發(fā)、設(shè)計(jì)、應(yīng)用等不同細(xì)分領(lǐng)域，如天一集成（信息安全芯片）、神州龍芯（自主處理器）等企業(yè)聚焦數(shù)字芯片設(shè)計(jì)。

綜藝股份表示，此次收購(gòu)吉萊微有助于公司戰(zhàn)略聚焦并補(bǔ)強(qiáng)信息科技領(lǐng)域核心產(chǎn)業(yè)板塊。吉萊微在成為公司的控股子公司后，公司將在原有芯片設(shè)計(jì)及應(yīng)用業(yè)務(wù)基礎(chǔ)上，進(jìn)入功率半導(dǎo)體芯片及器件的研發(fā)、生產(chǎn)及銷(xiāo)售領(lǐng)域，產(chǎn)業(yè)鏈條布局得到進(jìn)一步的優(yōu)化及延伸。

值得一提的是，吉萊微曾沖刺創(chuàng)業(yè)板IPO，于2022年6月30日獲得受理。此前公司招股書(shū)（申報(bào)稿）顯示其募集資金是為了投向功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目、生產(chǎn)線技改升級(jí)項(xiàng)目和研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目等，來(lái)新建6英寸晶圓芯片生產(chǎn)線與封裝線等。

公告顯示，吉萊微目前擁有2條4英寸的芯片生產(chǎn)線，在當(dāng)前全球模擬芯片公司紛紛轉(zhuǎn)向擴(kuò)產(chǎn)12英寸生產(chǎn)線的趨勢(shì)下，其盈利能力或造沖擊。

不過(guò)，后因公司撤回申請(qǐng)，深交所于2022年12月2日終止對(duì)吉萊微IPO的審核。

02、日月光投控收購(gòu)元隆電子

此外，近日另一家功率半導(dǎo)體晶圓廠也傳出被收購(gòu)的消息。

5月14日，全球半導(dǎo)體封測(cè)龍頭#日月光投資控股股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“日月光投控”）發(fā)布公告，其子公司#臺(tái)灣福雷電子股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“福雷電子”）將以每股新臺(tái)幣9元公開(kāi)收購(gòu)#元隆電子股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“元隆電子”）普通股，預(yù)定收購(gòu)最高數(shù)量為1.51萬(wàn)張，收購(gòu)總金額約1.36億元新臺(tái)幣。

source：ASE日月光

此次收購(gòu)?fù)瓿珊?，日月光投控持有元隆電子股?quán)比例將達(dá)68.18%。據(jù)悉，本次收購(gòu)的核心目標(biāo)在于整合元隆電子現(xiàn)有業(yè)務(wù)，推動(dòng)其向AI新世代技術(shù)領(lǐng)域轉(zhuǎn)型。

元隆電子成立于1987年，總部位于中國(guó)臺(tái)灣，專(zhuān)注于分離式元件、功率半導(dǎo)體、集成電路以及各種半導(dǎo)體零組件的研究、開(kāi)發(fā)、設(shè)計(jì)、制造與銷(xiāo)售。

據(jù)了解，元隆電子近年來(lái)在高壓技術(shù)及第三代半導(dǎo)體（如碳化硅、氮化鎵）領(lǐng)域的研發(fā)投入不足，導(dǎo)致其難以應(yīng)對(duì)IDM大廠整合邏輯IC與功率半導(dǎo)體、大型晶圓代工廠委外投片的雙重競(jìng)爭(zhēng)壓力。

據(jù)其2025年第一季度財(cái)報(bào)顯示，盡管合并營(yíng)收同比增長(zhǎng)24.6%至2.68億元新臺(tái)幣，但毛利率與營(yíng)業(yè)利益率仍為負(fù)值，稅后凈虧損達(dá)1.28億元新臺(tái)幣，每股凈值轉(zhuǎn)負(fù)至-0.42元新臺(tái)幣。

日月光投控的加入，或?qū)⑼ㄟ^(guò)集團(tuán)化資源整合，助力元隆電子突破技術(shù)瓶頸，加速向高附加值領(lǐng)域轉(zhuǎn)型。而對(duì)于日月光投控而言，元隆電子在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的制造經(jīng)驗(yàn)與日月光投控的封測(cè)技術(shù)形成互補(bǔ)，有望進(jìn)一步提升在AI芯片封裝測(cè)試領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力。

03、結(jié)語(yǔ)

綜藝股份收購(gòu)吉萊微以及日月光投控收購(gòu)元隆電子，這兩起收購(gòu)案是半導(dǎo)體行業(yè)資源整合與技術(shù)升級(jí)的具體體現(xiàn)。通過(guò)收購(gòu)，企業(yè)不僅能夠補(bǔ)強(qiáng)自身產(chǎn)業(yè)鏈，提升綜合競(jìng)爭(zhēng)力，還能夠加速技術(shù)迭代，搶占新興市場(chǎng)先機(jī)。

（集邦化合物半導(dǎo)體 妮蔻 整理）

? 搭配芯上印刷技術(shù)，在高精度壓力控制下，使芯片上再印刷成為現(xiàn)實(shí)。

? 應(yīng)用產(chǎn)品包括：大功率二極管、MOS 管、DrMOS、多芯 Clip等等。

窄邊印刷

框架類(lèi)產(chǎn)品通常比較薄且長(zhǎng)寬比差異較大，容易產(chǎn)生彎曲變形，形成曲面。當(dāng)選擇窄邊方向進(jìn)行印刷時(shí)，刮刀能夠在一定程度上減少因載板或框架本身曲面所導(dǎo)致的印刷不平整問(wèn)題。因此，在窄邊方向印刷時(shí)，刮刀在移動(dòng)過(guò)程中受到曲面的影響相對(duì)較小，可以更精準(zhǔn)地將錫膏/銀膠均勻地印刷在焊盤(pán)上，使錫膏/銀膠印刷更加平整，適合對(duì)貼裝平整度要求高的精密電子封裝。

芯上印刷

芯片級(jí)印刷機(jī)還配備芯上印刷技術(shù)，通過(guò)直接在芯片上刷錫膏/銀膠，能有效避免點(diǎn)膠造成的芯片損傷、溢膠等問(wèn)題，保證封裝產(chǎn)品的性能和穩(wěn)定性。（詳細(xì)信息可關(guān)注下期推文）

適應(yīng)性廣

上下料外掛：芯片級(jí)印刷機(jī)將上下料結(jié)構(gòu)置于設(shè)備外，方便單機(jī)和聯(lián)線

支持3D印刷：芯片級(jí)印刷機(jī)支持臺(tái)階3D印刷，能對(duì)框架進(jìn)行逐層疊加，實(shí)現(xiàn)更復(fù)雜的焊盤(pán)結(jié)構(gòu)印刷。

鋼網(wǎng)裝卸無(wú)需調(diào)整：鋼網(wǎng)在進(jìn)行更換后不需要重新調(diào)整參數(shù)，減少不必要的時(shí)間浪費(fèi)，提高生產(chǎn)效率

一致性高

相較于網(wǎng)板印刷，鋼網(wǎng)能夠在印刷過(guò)程中發(fā)生微變形以與框架PAD充分貼合，高精度鋼網(wǎng)能確保膠狀和圖案的一致性高。

閉環(huán)壓力

卓興半導(dǎo)體自主研發(fā)閉環(huán)壓力控制系統(tǒng)，確保在不同情況下能精準(zhǔn)的控制刮刀壓力，壓力自適應(yīng)可調(diào)整，使印刷膠點(diǎn)更均勻。

印后檢測(cè)

印刷完成后，框架直接進(jìn)入在線 AOI 檢測(cè)，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)印刷后的膠點(diǎn)質(zhì)量，并對(duì)鋼網(wǎng)狀態(tài)做出實(shí)時(shí)評(píng)估。

（以上內(nèi)容來(lái)源于Asmade卓興半導(dǎo)體）

source：英飛凌

長(zhǎng)期以來(lái)，英飛凌與美的集團(tuán)緊密合作，技術(shù)協(xié)同的深度與廣度持續(xù)升級(jí)，合作領(lǐng)域不斷拓展，從最初聚焦于家電核心模塊，逐步向智能家居生態(tài)、新能源應(yīng)用等多元場(chǎng)景延伸。

英飛凌提供全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體產(chǎn)品，美的則憑借在家電系統(tǒng)集成與場(chǎng)景應(yīng)用方面的深厚積累，將英飛凌的先進(jìn)技術(shù)轉(zhuǎn)化為貼近消費(fèi)者需求的產(chǎn)品和解決方案。目前，雙方已實(shí)現(xiàn)了從單一功率器件合作拓展至控制器、傳感器等多產(chǎn)品線協(xié)同，共同推動(dòng)家電行業(yè)智能化轉(zhuǎn)型。

稍早之前，美的廚熱事業(yè)部與英諾賽科也達(dá)成了 GaN（氮化鎵）戰(zhàn)略合作。英諾賽科將為美的廚熱提供GaN 功率器件，雙方將在產(chǎn)品開(kāi)發(fā)、技術(shù)優(yōu)化與市場(chǎng)推廣方面展開(kāi)深度合作，涉及智能電熱爐、電磁爐等產(chǎn)品。

資料顯示，GaN作為寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高電子飽和速度、高電子遷移率等特性，適用于高頻、高功率、高電壓的場(chǎng)景，被認(rèn)為是未來(lái)電力電子領(lǐng)域的關(guān)鍵材料之一。美的與英諾賽科的合作，旨在通過(guò)GaN技術(shù)的應(yīng)用，提升家電產(chǎn)品的能效與性能。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）

01、賽米控丹佛斯與中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體簽署合作備忘錄

5月6日，全球領(lǐng)先的電力電子供應(yīng)商賽米控丹佛斯（Semikron Danfoss）與創(chuàng)新型芯片研發(fā)制造商中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體宣布簽署合作備忘錄，雙方將在功率模塊芯片技術(shù)的開(kāi)發(fā)與供應(yīng)領(lǐng)域展開(kāi)深度合作。

根據(jù)合作備忘錄，賽米控丹佛斯將貢獻(xiàn)其在功率模塊封裝與制造方面的專(zhuān)業(yè)能力，而中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體則將提供先進(jìn)的 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）、碳化硅（SiC）及雙極型芯片技術(shù)。雙方的合作將聚焦于以下幾個(gè)方面：

聯(lián)合研發(fā)：共同開(kāi)展功率模塊芯片的研發(fā)項(xiàng)目，優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)與制造工藝，提升產(chǎn)品性能與可靠性。

市場(chǎng)拓展：結(jié)合賽米控丹佛斯的全球市場(chǎng)資源與中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體的國(guó)內(nèi)技術(shù)優(yōu)勢(shì)，加速功率模塊芯片在中國(guó)及全球市場(chǎng)的推廣與應(yīng)用。

客戶(hù)服務(wù)：通過(guò)雙方的技術(shù)支持與服務(wù)網(wǎng)絡(luò)，為客戶(hù)提供更全面、更高效的解決方案，滿(mǎn)足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。

賽米控丹佛斯總裁Dominic Dorfner表示：“此次合作是我們?cè)跒橹袊?guó)客戶(hù)提供先進(jìn)、可靠功率模塊道路上邁出的重要一步。通過(guò)與中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體的合作，我們將加速創(chuàng)新芯片技術(shù)的開(kāi)發(fā)與應(yīng)用?！?/p>

02、英諾賽科與美的廚熱：GaN 技術(shù)賦能家電智能化

與此同時(shí)，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體企業(yè)英諾賽科與美的廚熱事業(yè)部也達(dá)成了 GaN（氮化鎵）戰(zhàn)略合作。

source：英諾賽科公告截圖

GaN 是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高電子飽和速度、高電子遷移率等特性，適用于高頻、高功率、高電壓的場(chǎng)景，被認(rèn)為是未來(lái)電力電子領(lǐng)域的關(guān)鍵材料之一。美的廚熱作為全球領(lǐng)先的家電制造商，一直致力于推動(dòng)家電產(chǎn)品的智能化與高效化。此次與英諾賽科的合作，旨在通過(guò)GaN技術(shù)的應(yīng)用，提升家電產(chǎn)品的能效與性能。

根據(jù)戰(zhàn)略合作協(xié)議，英諾賽科將為美的廚熱提供高性能的 GaN 功率器件，雙方將在以下幾個(gè)方面展開(kāi)深度合作：

產(chǎn)品開(kāi)發(fā)：共同開(kāi)發(fā)基于 GaN 技術(shù)的家電產(chǎn)品，如智能電熱爐、電磁爐等，提升產(chǎn)品的能效與性能。

技術(shù)優(yōu)化：結(jié)合英諾賽科的 GaN 技術(shù)優(yōu)勢(shì)與美的廚熱的產(chǎn)品設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)，優(yōu)化 GaN 功率器件的應(yīng)用方案，降低系統(tǒng)成本。

市場(chǎng)推廣：通過(guò)雙方的市場(chǎng)渠道與品牌影響力，加速 GaN 技術(shù)在家用電器領(lǐng)域的推廣與應(yīng)用，提升市場(chǎng)認(rèn)可度。（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）