6月27日，青島思銳智能科技股份有限公司（以下簡稱“思銳智能”）宣布，其半導體先進裝備研發(fā)制造中心在青島自貿片區(qū)正式落成并投入生產(chǎn)。中國#半導體產(chǎn)業(yè) 領軍人物#張汝京、北京超弦存儲器研究院執(zhí)行院長趙超等眾多行業(yè)大咖到場支持。
圖片來源：思銳智能
作為山東省2024年度及2025年度連續(xù)兩年的重大項目，以及青島市的重點項目，思銳智能半導體先進裝備研發(fā)制造中心由思銳智能與青島城投集團聯(lián)合打造。該中心總占地約95畝，總建筑面積達8.6萬平方米，計劃總投資逾12億元人民幣。其核心任務聚焦于原子層沉積鍍膜（ALD）和離子注入機（IMP）兩大關鍵半導體前道設備的研發(fā)與規(guī)模化生產(chǎn)。
該中心的投產(chǎn)，有效填補了青島市在半導體核心裝備領域的空白，標志著青島在半導體產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新和高端裝備制造領域邁出了里程碑式的一步。
思銳智能董事長聶翔強調，該中心不僅僅是一個年產(chǎn)百臺設備的生產(chǎn)基地，更是構建“技術-制造-生態(tài)”閉環(huán)的關鍵環(huán)節(jié)，公司將依托此中心加速突破ALD、IMP等關鍵技術瓶頸，深化在集成電路、功率化合物等領域的戰(zhàn)略布局。
資本市場加持：思銳智能估值躍升，A股IPO啟動
思銳智能業(yè)務的快速發(fā)展，離不開其在資本市場的持續(xù)賦能與有力支撐。公司于2025年2月成功完成數(shù)億元人民幣的B輪及B+輪融資，估值躍升至41億元人民幣。此輪融資獲得了包括上汽集團、尚頎資本、鼎暉投資、招商局創(chuàng)投、上海金浦、新鼎資本等在內的多家機構的戰(zhàn)略投資。
伴隨融資的完成，思銳智能已于2025年2月正式啟動A股IPO進程，并已向中國證券監(jiān)督管理委員會青島監(jiān)管局進行輔導備案。據(jù)悉，為進一步優(yōu)化公司治理結構并為后續(xù)上市鋪平道路，思銳智能已完成股份制改制，正式更名為“青島思銳智能科技股份有限公司”（原用名“青島四方思銳智能技術有限公司”）。此外，公司的注冊資本也已由約9.5億元人民幣增至約11.2億元人民幣。
公開資料顯示，思銳智能由中國中車集團及旗下基金通過深度“產(chǎn)融結合”方式聯(lián)合發(fā)起設立，是一家高科技企業(yè)。值得一提的是，官方資料顯示，思銳智能是目前國內唯一一家能夠同時提供離子注入機和原子層沉積設備，并實現(xiàn)關鍵技術自主突破的企業(yè)。
公司主要聚焦半導體前道工藝設備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，旨在提供具有自主可控關鍵核心技術的系統(tǒng)裝備產(chǎn)品和技術服務方案。其ALD和IMP設備廣泛應用于集成電路、以功率與化合物為代表的第三代半導體、新能源、光學、生物醫(yī)學等諸多高精尖領域。
圖片來源：思銳智能
圖為思銳智能Transform系列ALD設備產(chǎn)品
自2018年9月成功收購ALD技術發(fā)源地——芬蘭倍耐克公司（BENEQ）100%股權以來，思銳智能開啟了ALD技術國內外聯(lián)合研發(fā)與本土產(chǎn)業(yè)化進程。此后，思銳智能進一步布局IMP設備業(yè)務，通過自主研發(fā)逐步完成面向硅基及化合物半導體的全系列機型布局，成為國內首家全自主研發(fā)、實現(xiàn)工業(yè)級量產(chǎn)并通過多家客戶量產(chǎn)驗證的全系列離子注入機供應商。
公開資料顯示，IMP設備是《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》要求重點發(fā)展的三種設備之一，難度僅次于光刻機，而思銳智能首先研發(fā)的便是難度最大的高能離子注入機，已于2023年9月交付國內頭部客戶。
目前，思銳智能及其子公司BENEQ在全球范圍內擁有近480余項專利，在ALD和IMP技術及應用方面積累了雄厚的技術實力。
據(jù)悉，思銳智能已成功備案設立國家級博士后科研工作站，成為青島自貿片區(qū)首家國家級博士后科研工作站，這預示著公司在高端人才引進和科技創(chuàng)新方面將邁上新的臺階。
（集邦化合物半導體 竹子 整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。