12月20日，據青禾晶元官微消息，青禾晶元近日與中科院微電子所高頻高壓中心及南京電子器件研究所合作，共同基于6英寸Emerald-SiC復合襯底，成功研發(fā)出高性能且低成本的1200V SiC MOSFET。
source：青禾晶元
據了解，目前，可用于MOSFET制造的無缺陷襯底（即“高質量”襯底）的成品率通常僅為40%-60%。在6-8英寸SiC的生長和提純過程中產生的低等級襯底（即“低質量”襯底）通常被作為陪片甚至廢料處理，導致高質量SiC襯底的生產成本較高，通常占最終MOSFET器件成本的50%以上。
為應對這一挑戰(zhàn)，青禾晶元攜手中科院微電子所等合作單位在國際上首次提出了一種新型6英寸單晶SiC復合襯底，通過表面活化鍵合技術和離子注入剝離技術，將高質量SiC薄層鍵合轉移到低質量單晶SiC襯底上，實現了低質量單晶SiC襯底有效使用，每個高質量SiC晶圓可重復使用超過30次（即每個高質量晶圓可以產生超過30個薄層），預計成本降低40%。
據觀察，復合襯底已成為碳化硅乃至半導體產業(yè)的一大技術突破方向，已吸引部分廠商涉足，除青禾晶元外，達波科技近期也披露了碳化硅復合襯底相關進展。
達波科技首條4/6英寸碳化硅基壓電復合襯底生產線于11月23日在其上海臨港工廠正式貫通。
據悉，碳化硅基壓電復合襯底是一種由碳化硅和其他材料復合而成的材料，具有高硬度、耐高溫、耐腐蝕等優(yōu)點。這種材料在多個領域有廣泛應用，特別是在電子、光電和機械行業(yè)中。
在電子行業(yè)，碳化硅基壓電復合襯底被廣泛應用于制造高功率LED和功率器件，其優(yōu)異的導熱性能可以有效降低設備的溫度，提高設備的壽命和可靠性；在光電行業(yè)中，碳化硅基壓電復合襯底用于制造太陽能電池板和激光器，其高硬度和高熱導率可以有效提高器件的效率和性能。（集邦化合物半導體Zac整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。