3月6日，東芝電子元件及存儲裝置株式會社（下文簡稱“東芝”）宣布，公司已開始批量生產(chǎn)用于工業(yè)設(shè)備的第三代碳化硅（SiC）1700 V、漏極電流（DC）額定值為250 A的SiC MOSFET模塊“MG250V2YMS3”，并擴大了產(chǎn)品陣容。
source：東芝
據(jù)介紹，新產(chǎn)品MG250V2YMS3具有低導通損耗和0.8 V的低漏源導通電壓。它還具有低開關(guān)損耗，導通開關(guān)損耗低至18 mJ，關(guān)斷開關(guān)損耗低至 11 mJ。這有助于減小設(shè)備的功率損耗和冷卻裝置的尺寸。
MG250V2YMS3 具有12 nH的低雜散電感，并且能夠進行高速開關(guān)。此外，它還能抑制開關(guān)操作時的浪涌電壓。因此，它可用于高頻隔離型DC-DC轉(zhuǎn)換器。
目前，使用東芝2-153A1A封裝的SiC MOSFET模塊有四種產(chǎn)品：MG250YD2YMS3（2200 V / 250 A）、MG400V2YMS3（1700 V / 400 A）和MG600Q2YMS3（1200 V / 600 A），以及本次發(fā)布的新產(chǎn)品。這給客戶提供了更廣泛的產(chǎn)品選擇。
集邦化合物半導體Morty編譯
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