12月12日，大連創(chuàng)銳光譜科技有限公司（下文簡稱“創(chuàng)銳光譜”）官微發(fā)文稱，公司近日在碳化硅（SiC）襯底晶圓位錯缺陷的無損光學檢測技術方面取得突破性進展，并將同步推出SiC襯底晶圓位錯無損檢測專用設備:SIC-SUB-9900。
據(jù)介紹，該設備基于瞬態(tài)激發(fā)和散射光譜原理，采用大面積光學成像，實現(xiàn)了SiC襯底晶圓位錯缺陷的高速、精準、非接觸式的無損光學檢測。結合AI識別，可對襯底晶圓中的BPD、TSD、TED等缺陷實現(xiàn)精準的識別和分類（以目前行業(yè)中廣泛應用的堿液腐蝕法的結果為參照，識別準確率達到90%以上）。
與現(xiàn)有的XRT(X光形貌分析)技術相比，該檢測技術具有操作簡單、檢測速度快、性價比高等顯著優(yōu)勢。與非線性光學檢測中的點掃描模式相比，該設備中采用的大面積成像的方式，極大地提高了檢測速度：以6吋晶圓樣品為例，最快檢測時間小于17分鐘！
SiC襯底晶圓的BPD、TSD、TED等位錯缺陷的數(shù)量和分布是反映襯底質(zhì)量的重要參數(shù)。襯底中的位錯缺陷可進一步延伸到外延層中，對外延層的質(zhì)量及最終的芯片良率產(chǎn)生巨大的影響。因此對襯底中的位錯缺陷進行精準的檢測、識別和統(tǒng)計是襯底晶圓生產(chǎn)中極為重要的環(huán)節(jié)。
據(jù)悉，創(chuàng)銳光譜創(chuàng)立于2016年，基于自主技術，深耕科學儀器和半導體材料檢測兩大應用領域，已實現(xiàn)從基礎研究到工業(yè)生產(chǎn)的全產(chǎn)業(yè)鏈賦能。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
今年3月，創(chuàng)銳光譜SiC晶圓質(zhì)量大面積成像系統(tǒng)SiC-MAPPING532達到持續(xù)穩(wěn)定運行標準，正式下線發(fā)運行業(yè)知名客戶。該設備為國際首臺套基于瞬態(tài)光譜技術的第三代半導體缺陷檢測設備，不僅實現(xiàn)了相關技術的全自主國產(chǎn)化替代，在各種技術指標上也全面超越進口同類產(chǎn)品。
5月，創(chuàng)銳光譜宣布完成數(shù)千萬元天使輪融資，由君聯(lián)資本獨家投資。本輪融資將用于精密科學儀器和半導體檢測光譜新技術的開發(fā)和多款檢測設備規(guī)模化量產(chǎn)。
除了創(chuàng)銳光譜，近期國產(chǎn)半導體檢測設備有關融資、推新和產(chǎn)品交付的新聞也是接連不斷：
11月，中導光電的納米級圖形晶圓缺陷光學檢測設備（NanoPro-150）實現(xiàn)了再次交付。
不久前，半導體光學量檢設備廠商蓋澤科技宣布完成了新一輪千萬級別融資。
此外，半導體前道量測設備廠商優(yōu)睿譜，近日成功推出SiC晶圓電阻率量測設備SICV200，并且同時發(fā)布兩家客戶。
以上這些國內(nèi)半導體檢測設備廠商的消息頻增，從側面體現(xiàn)出國內(nèi)半導體市場對國產(chǎn)半導體檢測設備的重視程度和認可度在逐步提高。由于半導體檢測設備的作用幾乎貫穿終端產(chǎn)品的整個生產(chǎn)流程，且設備成本占比不低，但長期以來外國進口，這對于快速增長的國內(nèi)半導體市場有著諸多不便。無論是出于國際局勢的考量還是國際大廠的產(chǎn)能限制，半導體檢測設備本土化是一個必然的趨勢。
來源：創(chuàng)銳光譜、集邦化合物半導體整理
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