3月1日，士蘭微發(fā)布公告稱，公司向特定對象發(fā)行股票的申請已獲上交所受理。
據(jù)悉，士蘭微擬向不超過35名特定對象發(fā)行A股股票，募集資金總額不超過65億元，主要用于以下項目：
士蘭微指出，年產36萬片12英寸芯片生產線項目、SiC功率器件生產線建設項目、汽車半導體封裝項目（一期）的建設是公司在高端功率半導體領域的核心戰(zhàn)略規(guī)劃之一，是公司積極推進產品結構升級轉型的重要舉措。
年產36萬片12英寸芯片生產線項目
年產36萬片12英寸芯片生產線項目的實施主體為公司控股子公司士蘭集昕，募集資金將通過士蘭微向士蘭集昕增資的方式投入。
該項目將建設形成一條年產36萬片12英寸功率芯片生產線，用于生產FS-IGBT、T-DPMOSFET、SGT-MOSFET功率芯片產品；項目達產后，可新增FS-IGBT功率芯片12萬片/年、T-DPMOSFET功率芯片12萬片/年和SGT-MOSFET功率芯片12萬片/年的生產能力。
SiC功率器件生產線建設項目
SiC功率器件生產線建設項目的實施主體為公司的參股子公司士蘭明鎵，募集資金將通過士蘭微向士蘭明鎵增資的方式投入。值得一提的是，本次增資后，士蘭微將取得士蘭明鎵的控制權。
該項目是在士蘭明鎵現(xiàn)有芯片生產線及配套設施的基礎上，通過購置生產設備提升SiC功率器件芯片的產能，用于生產SiC MOSFET、SiC SBD芯片產品；項目達產后，將新增SiC MOSFET芯片12萬片/年、SiC SBD芯片2.4萬片/年的生產能力。
據(jù)悉，2019年起，隨著SiC MOSFET/SBD芯片在新能源汽車電驅系統(tǒng)形成明確的應用，同時SiC功率器件在汽車應用領域得到持續(xù)推廣，士蘭微加快布局SiC MOSFET/SBD芯片和功率模塊的研發(fā)。
目前，國內車規(guī)級SiC功率器件供應商的產品以SiC二極管為主，而士蘭微通過自身6英寸SiC MOSFET/SBD功率器件芯片中試線，目前已完成平面SiC MOSFET/SBD的研制，性能指標達到國內領先水準。同時，作為國內主要的半導體IDM企業(yè)之一，士蘭微在車規(guī)級SiC功率器件的芯片設計、制造及封裝測試環(huán)節(jié)均有布局，在產品技術水平、供應鏈穩(wěn)定性、產能等方面均具備優(yōu)勢。
汽車半導體封裝項目（一期）
汽車半導體封裝項目（一期）的實施主體為士蘭微控股子公司成都士蘭，募集資金將通過公司向成都士蘭增資的方式投入。
該項目將在現(xiàn)有功率模塊封裝生產線及配套設施的基礎上，通過購置模塊封裝生產設備提升汽車級功率模塊的產能；項目達產后，可新增年產720萬塊汽車級功率模塊。（化合物半導體市場 Winter整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。