在LEDinside Micro LED前瞻技術(shù)論文征集比賽中，各家廠商跟學(xué)者都針對(duì)Micro LED技術(shù)發(fā)展的不同面向提出解決方法。除了巨量轉(zhuǎn)移與全彩化的技術(shù)外，Micro LED的背板也是技術(shù)突破的重要關(guān)鍵。
獲得優(yōu)選的美國(guó)新創(chuàng)公司QMAT，便聚焦于Micro LED的基板技術(shù)。其獲選論文Engineered Substrates for High Efficiency Micro LEDs and Commercialized High Volume Manufacturing Production指出其EpiMax基板制造技術(shù)，能有效率提升Micro LED的制作效率，減少有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積法(MOCVD, Metal-organic Chemical Vapor Deposition)的作用時(shí)間，并強(qiáng)化Micro LED的制造質(zhì)量及效率，加速商業(yè)化進(jìn)程。
論文作者: Philip Ong, QMAT
論文作者:Dong Lee, QMAT
QMAT的論文強(qiáng)調(diào)，使用氮化鎵GaN作為MOCVD的基礎(chǔ)層，能夠強(qiáng)化設(shè)備的作用效率，并減少電流密度操作點(diǎn)的變異性。此外，QMAT的層次轉(zhuǎn)移技術(shù)，能將目標(biāo)基板設(shè)計(jì)成跟磊芯片轉(zhuǎn)移前的基板一樣，因此磊芯片能夠被充分利用。
來(lái)源: QMAT
QMAT基板技術(shù)的優(yōu)勢(shì)在于能夠強(qiáng)化設(shè)備性能，降低基板成本，還能減少M(fèi)OCVD作用時(shí)間。同時(shí)，基板本身可以直接做為轉(zhuǎn)移底座，并且整合雷射剝離技術(shù)層(Laser-Lift-Off)進(jìn)行后續(xù)切除。
針對(duì)QMAT所提出的基板技術(shù)，交通大學(xué)光電研究所的評(píng)審認(rèn)為，QMAT的EpiMax基板能夠直接用于測(cè)試跟轉(zhuǎn)印的設(shè)計(jì)，在Micro LED制程上相當(dāng)具有優(yōu)勢(shì)。而臺(tái)灣地區(qū)工研院CIMS聯(lián)盟則認(rèn)為，QMAT的基板能用于雷射剝離技術(shù)，降低LED晶粒的缺陷，有助于后續(xù)制程。
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