圖片來源：新微半導(dǎo)體

據(jù)介紹，該平臺采用了4英寸GaAs/AlGaAs異質(zhì)結(jié)外延技術(shù)，結(jié)合深臺面刻蝕、側(cè)壁鈍化及BCB/PBO平坦化等關(guān)鍵工藝，具備低暗電流、低電容、高響應(yīng)度、高帶寬及高可靠性等優(yōu)越性能。其代工產(chǎn)品能夠在-40℃到85℃的寬溫范圍內(nèi)穩(wěn)定運(yùn)行，確保設(shè)備在嚴(yán)寒、高溫等嚴(yán)苛環(huán)境下的性能一致性，保障終端設(shè)備可靠運(yùn)行。

在可靠性驗(yàn)證上，其代工產(chǎn)品已通過Telcordia GR468可靠性標(biāo)準(zhǔn)測試，涵蓋HTOL（高溫工作壽命）、ESD（靜電放電）、T/C（溫度循環(huán)）及THB（高溫高濕壽命）等關(guān)鍵測試項(xiàng)目。在175℃的HTOL測試以及THB（溫度85℃、濕度85%RH）測試環(huán)境中，施加-5V偏置電壓條件，三批產(chǎn)品（抽樣標(biāo)準(zhǔn)77顆樣品）經(jīng)過2000小時老化后，均實(shí)現(xiàn)零失效，產(chǎn)品可靠性滿足通信級標(biāo)準(zhǔn)。

作為先進(jìn)的化合物半導(dǎo)體晶圓代工企業(yè)，新微半導(dǎo)體自成立以來，一直專注于為功率和光電兩大應(yīng)用領(lǐng)域的客戶提供多元化的晶圓代工及配套服務(wù)。除了此次推出的砷化鎵光電探測器工藝平臺，公司還擁有基于3/4吋磷化銦（InP）材料的全系列光電工藝解決方案，以及氮化鎵（GaN）功率器件制造平臺等，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于通信、新能源、消費(fèi)電子、汽車、工業(yè)和生物醫(yī)療等多個終端應(yīng)用領(lǐng)域。

新微半導(dǎo)體總經(jīng)理王慶宇博士表示：“新微半導(dǎo)體始終致力于為客戶提供最先進(jìn)的化合物半導(dǎo)體工藝解決方案。此次高速和陣列砷化鎵光電探測器工藝平臺的推出，是我們在光電領(lǐng)域的又一重大突破。我們相信，憑借該平臺的卓越性能，將幫助客戶在市場競爭中取得優(yōu)勢，推動行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步和應(yīng)用拓展。”

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

01奧通碳素半導(dǎo)體級等靜壓石墨項(xiàng)目：設(shè)備調(diào)試收官+試生產(chǎn)并行

6月9日，據(jù)“最內(nèi)江”公眾號消息，奧通碳素（內(nèi)江）科技有限公司的半導(dǎo)體級等靜壓石墨項(xiàng)目目前已進(jìn)入設(shè)備調(diào)試收官與試生產(chǎn)并行階段。該項(xiàng)目位于成渝地區(qū)雙城經(jīng)濟(jì)圈的東興經(jīng)開區(qū)，是東興區(qū)布局產(chǎn)業(yè)鏈高端環(huán)節(jié)的關(guān)鍵項(xiàng)目。其瞄準(zhǔn)半導(dǎo)體芯片、光伏新能源、高端模具制造等 “卡脖子” 領(lǐng)域，所生產(chǎn)的高端等靜壓石墨主要應(yīng)用于碳化硅半導(dǎo)體制造行業(yè)、高端電火花加工行業(yè)以及3C產(chǎn)品模具行業(yè)，同時兼顧光伏產(chǎn)業(yè)。

項(xiàng)目分三期建設(shè)，一期工程總投資1.5億元，新建了年產(chǎn)2000噸石墨粉、配料、混捏生產(chǎn)線，目前大型設(shè)備已全部安裝完畢，調(diào)試工作進(jìn)入最后階段，預(yù)計(jì)9月可全面投產(chǎn)。二期工程計(jì)劃總投資4億元，將建設(shè)8.7萬平方米廠房，新建年產(chǎn)5000噸半導(dǎo)體級等靜壓石墨全工藝流程生產(chǎn)線，目前前期工作已啟動，計(jì)劃于2026年建成投產(chǎn)。

三期工程規(guī)劃投資4.5億元，將建設(shè)11.3萬平方米廠房及配套生產(chǎn)線，將在二期投產(chǎn)當(dāng)年同步啟動。項(xiàng)目整體建成后，可形成年產(chǎn)1萬噸半導(dǎo)體級等靜壓石墨產(chǎn)能，預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)年?duì)I收15億元，帶動當(dāng)?shù)?00余人就業(yè)。

02全磊光電化合物半導(dǎo)體外延片/芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目：順利封頂

6月8日，全磊光電的化合物半導(dǎo)體外延片/芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目也披露最新進(jìn)展，該項(xiàng)目順利封頂。項(xiàng)目位于火炬（翔安）產(chǎn)業(yè)區(qū)，由全磊光電股份有限公司投建，計(jì)劃采購金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積設(shè)備等主要生產(chǎn)工藝設(shè)備、測試設(shè)備和配套設(shè)備設(shè)施，用于生產(chǎn)化合物半導(dǎo)體外延片/芯片產(chǎn)品。

圖片來源：天映投資集團(tuán)有限公司

建成投產(chǎn)后，全磊光電將從現(xiàn)有的砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）基外延片產(chǎn)品，逐步拓展至氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品，并應(yīng)用于光通信、智能傳感、微波射頻、功率器件等領(lǐng)域。

項(xiàng)目建設(shè)期為兩年，其中一期建設(shè)內(nèi)容為生產(chǎn)車間、綜合樓以及動力車間等，計(jì)劃于2026年1月份投產(chǎn)；二期主要建設(shè)3號樓和4號樓的研發(fā)車間，將于2027年2月份投產(chǎn)，投產(chǎn)后產(chǎn)能是年產(chǎn)40萬片化合物半導(dǎo)體的外延片和芯片。該項(xiàng)目的推進(jìn)將進(jìn)一步完善廈門市化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心環(huán)節(jié)，填補(bǔ)國內(nèi)光通信領(lǐng)域高端產(chǎn)品的空白。

03晶旭半導(dǎo)體超寬禁帶半導(dǎo)體高頻濾波芯片生產(chǎn)線：沖刺試產(chǎn)

據(jù)“上杭融媒”6月9日消息，全球首條超寬禁帶半導(dǎo)體高頻濾波芯片生產(chǎn)線進(jìn)入沖刺試產(chǎn)階段。該項(xiàng)目由福建#晶旭半導(dǎo)體?科技有限公司投資建設(shè)，總投資16.8億元，建設(shè)136畝工業(yè)廠區(qū)。目前，項(xiàng)目土建部分以及主體的封頂工程已經(jīng)完成，正在進(jìn)行雨污管網(wǎng)和路面的建設(shè)，內(nèi)部裝修也全面進(jìn)入精裝修工程，動力站機(jī)房的建設(shè)以及廠房的裝修工程預(yù)計(jì)在9月份可完成初步試產(chǎn)動作。

圖片來源：上杭融媒

福建晶旭半導(dǎo)體科技有限公司是一家擁有獨(dú)立自主知識產(chǎn)權(quán)的高新技術(shù)企業(yè)，面向5G通信中高頻聲波濾波器晶圓及芯片材料。其技術(shù)團(tuán)隊(duì)從2005年開始研究5G聲波濾波器制備，擁有光電集成芯片和化合物單晶薄膜材料專利100多項(xiàng)，特別在5G核心器件射頻濾波器壓電薄膜材料芯片制備技術(shù)上處于國際領(lǐng)先地位。該生產(chǎn)線建成后，不僅將填補(bǔ)國內(nèi)在氧化鎵壓電薄膜新材料領(lǐng)域的空白，同時也對上杭縣新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要推動作用 。

隨著這些項(xiàng)目的逐步推進(jìn)和落地，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將迎來更快速的發(fā)展，有望在能源、通信、汽車等多個領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應(yīng)用，為相關(guān)產(chǎn)業(yè)的升級和創(chuàng)新發(fā)展提供有力支撐 。

（集邦化合物半導(dǎo)體 妮蔻 整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

圖片來源：合肥芯谷微電子

芯谷微砷化鎵晶圓制造線項(xiàng)目于2023年啟動建設(shè)，規(guī)劃為6英寸砷化鎵晶圓生產(chǎn)線，旨在完善公司從芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測試到微波組件生產(chǎn)的全產(chǎn)業(yè)鏈能力，推動其向IDM（垂直整合制造）模式轉(zhuǎn)型。項(xiàng)目投產(chǎn)后，將進(jìn)一步提升芯谷微在半導(dǎo)體領(lǐng)域的競爭力，助力國產(chǎn)半導(dǎo)體制造技術(shù)的突破與應(yīng)用落地。

芯谷微成立于2014年，總部位于合肥高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)，核心技術(shù)團(tuán)隊(duì)源自美國Excelics公司及國內(nèi)外知名企業(yè)，具備近30年微波集成電路設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)。芯谷微專注于微波、毫米波單片集成電路的研發(fā)與生產(chǎn)，基于砷化鎵（GaAs）和氮化鎵（GaN）工藝技術(shù)，其產(chǎn)品覆蓋DC-110GHz頻段的低噪聲放大器、功率放大器、多功能芯片等，廣泛應(yīng)用于電子對抗、雷達(dá)探測、軍用通信等國防軍工領(lǐng)域，并逐步拓展至5G毫米波通信、衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)及醫(yī)療設(shè)備等民用市場。

2022年，芯谷微完成C輪4億元融資，由廣發(fā)乾和領(lǐng)投，基石資本等跟投，主要用于推動公司向IDM（垂直整合制造）模式轉(zhuǎn)型，支持技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)能擴(kuò)張。

值得注意的是，芯谷微曾在2023年5月5日正式向科創(chuàng)板提交上市申請，2023年5月至2024年4月期間經(jīng)歷多輪問詢，因財報更新兩次中止審核，此后在2024年4月17日，芯谷微及保薦人國元證券主動撤回上市申請，上交所終止審核。

（集邦化合物半導(dǎo)體 niko 整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。